數(shù)字電路第8章存儲器-文庫吧資料
2025-05-22 01:21本頁面
【正文】 4， 6， 9， 14） F3＝ ∑（ 3， 4， 5， 7， 9， 13， 14， 15） F4＝ ∑（ 0， 1， 2， 3， 4， 6， 7， 8， 9， 10， 11， 12， 13， 14） （ 3）矩陣的容量 8 16＋ 4 16＝ 192 （ 4）畫出點陣圖 JHR JHR 第三節(jié) 可編程序邏輯陣列 PLA 為避免 ROM的面積浪費和進一步的簡化，在ROM的基礎上發(fā)展出來的一個分支稱為可編程序邏輯陣列，除上面介紹的 PROM、 EPROM外，還有 PLA、 PAL及 GAL。 JHR 用 EPROM實現(xiàn)邏輯函數(shù)時，一般步驟為如下： （ 1）確定輸入變量數(shù)和輸出端個數(shù)； （ 2）將函數(shù)化為最小項之和的形式； （ 3）確定 EPROM的容量； （ 4）確定各存儲單元的內(nèi)容； （ 5）畫出相應的點陣圖。 （ 2）從 F F2的邏輯表達式中看出，當 XYZ＝010,100時， F1＝ F2＝ 0 JHR ［例題 3］如圖所示為多輸出函數(shù) F F F F4的ROM點陣圖，寫出 F F F F4對輸入變量 A、B、 C的邏輯表達式。因此可直接寫出輸入和輸出間的與 —或表達式。 （ 2）說明 X、 Y、 Z為何種取值時， F1＝ F2＝ 0。 存儲容量為 6 8＋ 2 8＝ 64（個存儲單元） ［例題 2］ EPROM實現(xiàn)的組合邏輯函數(shù)如圖所示。因此輸入和輸出間的邏輯關系可直接寫成與 —或表達式，輸入變量是 A、 B、C，直接加在 EPROM地址端，輸出變量 Y Y2由EPROM數(shù)據(jù)輸出端輸出。 JHR ［解］（ 1）邏輯函數(shù) Y Y2由 EPROM矩陣實現(xiàn)。 （ 1）寫出函數(shù) Y Y2的邏輯表達式。即它的存儲元件是一種特殊的 FAMOS管，（浮柵雪崩注入 MOS管）其柵極是浮空的多晶硅。 JHR 2. EPROM （ 1） EPROM的概念 EPROM即光擦可編程只讀存儲器（ Erasable Read Only Memory ） , EPROM的存儲內(nèi)容不僅可以根據(jù)需要來寫入，而且當需要更新存儲內(nèi)容時還可以將原存儲內(nèi)容抹去，再寫入新的內(nèi)容。這種 ROM可實現(xiàn)一次編程要求，若編寫結(jié)束，存儲器中存儲信息就已固化，不可能改編入別的信息。 PROM電路的特點是在與或陣列的各個交叉點上均有熔絲和存儲元件串接的電路，如圖所示： JHR PROM 與門陣列是固定的，或門陣列可編程。 JHR 三、 PROM和 EPROM PROM為可編程只讀存儲器（ Programmable Read Only Memory ），可由使用者根據(jù)編程要求，將應該存儲信息一次寫入 PROM中，寫好后就不可更改。 JHR ［解］（ 1）四位二進制碼轉(zhuǎn)換為格雷碼的真值表將四位二進制碼 B3B2B1B0作為 ROM碼制轉(zhuǎn)換器的四位地址輸入，四位 Gray 碼 G3G2G1G0作為 ROM的字輸出。這種簡化圖又稱作 “ ROM陣列邏輯圖” ，它與 ROM電路真值表具有一一對應關系。 JHR 4 4ROM電路 JHR 5. 4 4ROM簡化圖 JHR 在簡化形式的 ROM圖中，不再畫出電源、電阻、二極管（或三極管），只在與或陣列的交叉線處加黑點表示有存儲元件（在真值表中為 1）。 （ 3） 4 4ROM真值表 JHR 當 A1A0＝ 0時，由于字線 0輸出為“ 1”，或矩陣中 DD D0位線有二極管掛到字線 0（ W0線）上， D2位線無二極管掛到字線 0（ W0線），因此輸出一個 W0字“ 1011”。 如，當 A1＝ A0＝ 0時，字線 W2＝ 1， DD1與 W2交叉點上跨接有二極管， D2＝ D1＝ 1， DD0與 W2交叉點上無二極管， D3＝ D0＝ 0，輸出的字單元內(nèi)容 D3D2D1D0＝ 0110。 12 ?nWJHR 2. 4 4ROM的電路結(jié)構(gòu)和簡化框圖 JHR JHR 3. 4 4ROM電路的工作原理 （ 1）當使能控制 S＝ 1時， A0、 A1在“ 00～ 11”中取值， W0～ W3中必有一根被選中為“ 1”。對于有 n位地址和 m位字長的 ROM來說，它的存儲容量為 2 n m位。圖中 n位地址（ A0～ An－ 1）經(jīng)譯碼器譯出后使 2n字線 （ W0～ ）中的一條有效，從而在存儲矩陣 2n個存儲單元中選中其中之一。 JHR 第二節(jié) 只讀存儲器（
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