【摘要】集成電路課程設(shè)計(jì)論文劉旭波-1-目錄【摘要】...................................................................................................................................-2-1.設(shè)計(jì)目的與任務(wù)...
2025-06-12 22:13
【摘要】課程設(shè)計(jì)開課學(xué)期:2021-2021學(xué)年第一學(xué)期課程名稱:集成電路綜合課程設(shè)計(jì)學(xué)院:專業(yè):班級(jí):學(xué)號(hào):姓名:
2025-06-15 12:04
【摘要】課程設(shè)計(jì)開課學(xué)期:2013-2014學(xué)年第一學(xué)期課程名稱:集成電路綜合課程設(shè)計(jì)學(xué)院:專業(yè):班級(jí):學(xué)號(hào):姓名:任課教師:
2025-01-23 04:50
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-15 01:07
【摘要】 CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝,本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件(例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率CMOS集成電路等),因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要,在本章最后將重點(diǎn)說明高低壓兼容的CMOS工藝流程?!』镜闹苽涔に囘^程CMOS集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而
2025-07-05 07:07
【摘要】一.目的與任務(wù) 4二.設(shè)計(jì)題目及要求 4 4要求的電路性能指標(biāo) 4設(shè)計(jì)內(nèi)容 4三、74HC139芯片介紹 4四、電路設(shè)計(jì) 6工藝與設(shè)計(jì)規(guī)則和模型的選取 6 輸出級(jí)電路設(shè)計(jì) 7輸出級(jí)N管(W/L)N的計(jì)算 7P管(W/L)P的計(jì)算 8 內(nèi)部基本反相器中的各MOS尺寸的計(jì)算 9 12 輸入級(jí)設(shè)計(jì) 12 緩沖級(jí)的設(shè)計(jì) 13 1
2025-07-01 03:11
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-18 16:50
2025-07-21 18:10
【摘要】大連理工大學(xué)電信學(xué)院1CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)巢明大連理工大學(xué)電信學(xué)院2課程背景?課程目的:?掌握構(gòu)成CMOS模擬集成電路的基本器件模型?理解運(yùn)算放大器的性能指標(biāo)?能夠正確使用仿真工具進(jìn)行分析,仿真和設(shè)計(jì)?了解CMOS集成電路的設(shè)計(jì)流程?完成一個(gè)兩級(jí)運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)和仿真
2025-01-24 02:36
【摘要】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-19 01:31
【摘要】第三章CMOS集成電路工藝流程白雪飛中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系?多晶硅柵CMOS工藝流程?可用器件?工藝擴(kuò)展提綱2多晶硅柵CMOS工藝流程?初始材料–重?fù)诫sP型(100)襯底硅,P+–減小襯底電阻,提高抗CMOS閂鎖效應(yīng)能力?外延生長(zhǎng)–在襯底
2025-02-13 20:36
【摘要】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計(jì)?封裝技術(shù)3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-13 20:38
【摘要】第二章CMOS數(shù)字集成電路引言集成電路的主要生產(chǎn)工藝?晶片準(zhǔn)備?制版?光刻工藝?氧化工藝?淀積?腐蝕
2025-05-11 12:05
【摘要】1第二部分參考答案第0章緒論,將晶體管,二極管等有源器件和電阻,電容等無源元件,按一定電路互連。集成在一塊半導(dǎo)體基片上。封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定的電路或系統(tǒng)功能。(SSI),中規(guī)模集成電路(MSI),大規(guī)模集成電路(VSI),超大規(guī)模集成電路(VLSI),特大規(guī)模集成電路(ULSI),巨大規(guī)模集成電路(
2025-01-15 05:37
【摘要】模擬集成電路設(shè)計(jì)第7章噪聲(二)董剛微電子學(xué)院11?2In,MOS222上一講噪聲的統(tǒng)計(jì)特性平均功率Pav=limt??T?T/2?T/22x(t)dt噪聲譜(功率譜密度PSD)幅值分布(時(shí)域)相關(guān)噪聲源
2025-01-13 21:46