圖設(shè)計(jì)規(guī)則ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-01-23 16:59本頁(yè)面
【正文】 Copyright by Mo Bing 版圖層次定義 Pwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal active 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si Si3N4 有源區(qū) 生長(zhǎng)薄氧氮化硅用于應(yīng)力釋放 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si 光刻膠 MASK active 版圖層次定義 MASK Active Si3N4 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si MASK active 光刻膠 版圖層次定義 MASK Active 光刻膠 Si3N4 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si 光刻膠 版圖層次定義 光刻膠 Si3N4 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Pwell SiO2 P－ type Si 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Si3N4 有源區(qū) 封閉圖形外形成 LOCOS SiO2 Nwell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Pwell P－ type Si 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 有源區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Pwell SiO2 P－ type Si 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 薄氧 有源區(qū) 封閉圖形內(nèi)形成薄氧 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) 版圖層次定義 LOCOS生長(zhǎng)場(chǎng)氧時(shí)，氧 化層 會(huì)向四周做侵蝕，稱為 氧化物侵蝕，侵蝕形成的氧 化層形狀稱為鳥嘴，這種侵 蝕會(huì)影響 MOSFET的溝道寬 度。從 某種意義上說有源區(qū)的掩膜板主要用于打開 離子注入的窗口。需要注意的是：施主雜質(zhì)不僅會(huì)沿垂直硅片的 方向擴(kuò)散（縱向擴(kuò)散）；還會(huì)在硅片中間向四周擴(kuò) 散（橫向擴(kuò)散）。 極紫外線 不透光區(qū) 透光區(qū) 掩膜版 曝光區(qū) 襯底 NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 接著將硅片暴露在施主原子下，施主雜質(zhì)會(huì)被光刻 膠阻擋住，同時(shí)也能通過光刻膠上的開孔擴(kuò)散到開孔區(qū) 域的硅片中。 （注：具體如何制造電阻、二極管、雙極管將 在后面專門的章節(jié)進(jìn)行介紹。 ，電阻率較高， 可以用于制造 電阻，稱為阱電阻。 NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 N阱和 P襯底構(gòu)成寄生二極管，在 CMOS電路中襯 底通常接最低電平，確 保二極管處于反偏。 現(xiàn)代工藝出于犧牲 PMOS性能來優(yōu)化 NMOS 性能，所以大多數(shù)工藝都是 N阱工藝。使用 p襯底 n阱的工藝稱為 N阱工藝。 源 p + 源 n + 漏 n + 漏 p + 柵 柵 n阱 p襯底 nmos 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 p襯底 pmos Copyright by Mo Bing NWell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 實(shí)際上制造集成電路前，有些 CMOS工藝需要 先在硅片上生長(zhǎng)一層外延層，以減少閂鎖效應(yīng)的影 響（該效應(yīng)將在以后詳細(xì)介紹）。華僑大學(xué)信息學(xué)院電子工程系廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 IC工藝和版圖設(shè)計(jì) 第二章 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 主講：莫冰 Email： Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 參考文獻(xiàn) 1 . Alan Hastings著 . 張為 譯 . 模擬電路版 圖的藝術(shù) .第二版 . 電子工業(yè)出版社 . CH23 2 . Baker著 . 陳中建 譯 . CMOS電路 設(shè)計(jì)布局與仿真 . 第一版 . 機(jī)械工業(yè)出版社 . CH24 3 . Michael Quirk 著 . 韓鄭生 譯 . 半導(dǎo)體制 造技術(shù) . 第一版 . 電子工業(yè)出版社 . CH CH9 4 . CSMC DPTM Mixed Signal Technology Technology Topological Design Rule Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 本章主要內(nèi)容 版圖層次定義 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 簡(jiǎn)單反相器版圖 Layout Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Layout TO TB PT BC PS ND PD 1. 有源區(qū) 3. 場(chǎng)注入 4. 正常 Vth溝道注入 5. 低 Vth NMOS溝道注入 6. 低 VthPMOS溝道注入 7. 耗盡型 NMOS溝道注入 8. 耗盡型 PMOS溝道注入 Active NWell LVN LVP VDN VDP Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Layout NPN 基區(qū)注入 /
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1