《圖設(shè)計(jì)規(guī)則》ppt課件-文庫(kù)吧
2025-01-02 16:59 本頁(yè)面
【正文】 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 NWell 光 MASK Nwell 光刻膠 SiO2 P－ type Si Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 NWell 版圖層次定義 光刻膠 光刻膠 MASK Nwell SiO2 P－ type Si Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 NWell P－ type Si 版圖層次定義 光刻膠 SiO2 光刻膠 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 NWell 版圖層次定義 SiO2 SiO2 Nwell P－ type Si Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Nwell 有源區(qū) 多晶硅 1 多晶硅 2 多晶硅 2阻擋層 ?N阱 ? 有源區(qū)（薄 氧區(qū)） ?多晶硅 1（ Poly1） . ? 多晶硅 2（ Poly2） ? 多晶硅 2摻雜阻擋層 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 有源區(qū) 有源區(qū)的主要用于制造 N型器件和 P型器 件，也可以用于金屬 1和襯底或阱的接觸。從 某種意義上說有源區(qū)的掩膜板主要用于打開 離子注入的窗口。 實(shí)際上有源區(qū)掩膜板的意義在于作為制 造硅局部氧化（ LOCOS）和薄氧（封閉圖形 內(nèi)形成薄氧，封閉圖形外形成 LOCOS）。 有源區(qū) Nwell Copyright by Mo Bing 版圖層次定義 Pwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal active 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si Si3N4 有源區(qū) 生長(zhǎng)薄氧氮化硅用于應(yīng)力釋放 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si 光刻膠 MASK active 版圖層次定義 MASK Active Si3N4 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si MASK active 光刻膠 版圖層次定義 MASK Active 光刻膠 Si3N4 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) SiO2 Nwell SiO2 P－ type Si 光刻膠 版圖層次定義 光刻膠 Si3N4 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Pwell SiO2 P－ type Si 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Si3N4 有源區(qū) 封閉圖形外形成 LOCOS SiO2 Nwell Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Pwell P－ type Si 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 有源區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Pwell SiO2 P－ type Si 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 薄氧 有源區(qū) 封閉圖形內(nèi)形成薄氧 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 有源區(qū) 版圖層次定義 LOCOS生長(zhǎng)場(chǎng)氧時(shí)，氧 化層 會(huì)向四周做侵蝕，稱為 氧化物侵蝕，侵蝕形成的氧 化層形狀稱為鳥嘴，這種侵 蝕會(huì)影響 MOSFET的溝道寬 度。所以實(shí)際制造出來的器 件的溝道長(zhǎng)度會(huì)比版圖所畫 的溝道長(zhǎng)度小?，F(xiàn)代工藝中 一般不使用 LOCOS做隔離， 而是使用淺槽隔離（ STI）。 FOX FOX FOX FOX LOCOS LOCOS Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Nwell 有源區(qū) 多晶硅 1 多晶硅 2 多晶硅 2阻擋層 ?N阱 ? 有源區(qū)（薄 氧區(qū)） ?多晶硅 1（ Poly1） . ? 多晶硅 2（ Poly2） ? 多晶硅 2摻雜阻擋層 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Poly1作用： MOSFET的柵。 Poly２一起制造 PIP電容（多晶硅１ －絕緣層－ Poly２）。 在一些特殊情況下， Poly可以用作互連線。 Poly 做互連線最大的問題是 Poly的方塊電阻數(shù)量級(jí)比較大， 大約 在 20歐姆 /；此外 Poly離襯底比較近，和襯底之 間的寄
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