圖設(shè)計(jì)規(guī)則ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-13 16:59 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 生電容比較大，因而通 過 Poly的延遲比通過金屬 的延遲大。 Poly電容和 Poly電阻我們會在后面做專門介紹。 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly 晶體管中柵結(jié)構(gòu)的制作是流程中最關(guān)鍵的一步，因?yàn)? 它包含了最薄柵氧化層的熱生長以及多晶硅柵的刻蝕，而 多晶硅柵的寬度通常都是整個硅片上最關(guān)鍵的線寬。 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 薄氧 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly Poly Nwell Copyright by Mo Bing poly 版圖層次定義 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal active 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly MASK poly 光刻膠 SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 MASK poly 光刻膠 poly SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly Pwell SiO2 P－ type Si 場氧 場氧 場氧 poly Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 Poly ，源、漏和溝道自對準(zhǔn)于柵，這 也稱為自對準(zhǔn)工藝。 ，禁止多晶跨過有源區(qū)，避免產(chǎn)生 寄生器件。 ，需要超過有源區(qū)一定距離，保 證源漏不會發(fā) 生短路 . Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 P+/N+ CON 金屬 通孔 ?P+/N+擴(kuò) 散區(qū) ? 接觸孔 ?金屬層 (Metal) ? 通孔（ VIA） Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 P+/N+擴(kuò)散區(qū) 有源區(qū)的掩膜板主要用于打開離子注入的窗口。 而 P+和 N+擴(kuò)散區(qū)的作用在于實(shí)現(xiàn)離子的注入，從而 控制硅的摻雜類型。 前面完成的多晶硅柵可以作為 NMOS和 PMOS的 源 /漏的自對準(zhǔn)掩膜，注入可以按照任意順序進(jìn)行， 可以先進(jìn)行 N型源漏的注入，也可以先進(jìn)行 P型源漏 的注入（具體順序視工藝線情況）。 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 版圖層次定義 P+/N+擴(kuò)散區(qū) P+和 N+的作用 1. NMOS和 PMOS的源 /漏區(qū) 2. 金屬 1和 N阱（ N+擴(kuò)散區(qū)）或 P襯底（ P+擴(kuò)散區(qū)）的 接觸 3. N+電阻或 P+電阻 4. 二極管 N區(qū)（ N+擴(kuò)散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴(kuò)散區(qū)） 5. 寄生 PNP管 N區(qū)（ N+擴(kuò)散區(qū)）或 P區(qū)（ P+擴(kuò)散區(qū)） 6. Guarding（保護(hù)環(huán)） Copyright by Mo Bing active 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 P+/N+擴(kuò)散區(qū) Nwell poly 版圖層次定義 Pwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal P+ implant SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場氧 場氧 場氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴(kuò)散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 P－ type Si MASK P+ 場氧 場氧 場氧 poly 版圖層次定義 光刻膠 P+/N+擴(kuò)散區(qū) SiO2 Copyright by Mo Bing P+/N+擴(kuò)散區(qū) P－ type Si 華僑 大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 場氧 場氧 場氧 版圖層次定義 光刻膠 poly P+ implant S/D Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 active P+/N+擴(kuò)散區(qū) Nwell poly N+ impant 版圖層次定義 Nwell Active Poly P+ implant N+ impant Omicontact Metal SiO2 Copyright by Mo Bing P－ type Si 華僑 大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 Pwell SiO2 場氧
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1