【正文】
Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 本章主要內(nèi)容 版圖層次定義 版圖設(shè)計規(guī)則 簡單反相器版圖 Layout Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 設(shè)計規(guī)則 CSMC Double Poly Triple Metal Mixed Signal Technology Topological Design Rule Process information Process Name: 6S05DPTM(T)— SDXXXX (have Pplug photo layer) 6S05DPTM(T)— ADXXXX (not have Pplug photo layer) Technology: Number of Poly Layers: 2 Number of Metal Layers: 3 Process Description: Generic Si Gate CMOS Twin Well Double Poly Triple Metal Mixed Signal Process Poly Gate Type: Polycide Gate (Poly1) Voltage Type: 3~5V 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 NWELL 光刻膠 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+ N+ NWELL b c d N+ e a g f 版圖設(shè)計規(guī)則 P+ h c 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 有源區(qū)( TO) Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+ N+ N+ P+ 有源區(qū)( TO) 版圖設(shè)計規(guī)則 P+ a a P+ N+ N+ 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Poly1 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Poly1 版圖設(shè)計規(guī)則 e e f g b d b c g b a Copyright by Mo Bing 版圖設(shè)計規(guī)則 TO IM IM IM POLY2 Poly2阻擋層 d c POLY2 g POLY1 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 a b f e Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Poly2 版圖設(shè)計規(guī)則 c i g/h b a e d 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+擴散區(qū) Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 N+擴散區(qū) 使用 TO和 P+的反版,兩層光刻膠開出 N+有源窗口 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+擴散區(qū) d c e 版圖設(shè)計規(guī)則 b a f 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 接觸孔 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 PO2 PO1 Contact b c f a i d TO i PO2 e e a j 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 金屬層 1 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 金屬層 1 注意: 1. M1的電流密度