mos存儲器ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 04:15本頁面
【正文】 D DWBT 2T 1負 載T 4T 3B負 載Q Q(1)MOS靜態(tài)存儲單元 用基本觸發(fā)器做為存貯單元，T T4是存取晶體管 (NMOS傳輸門 )。 討論： （ 1）將位線一分為二減小了位線的電容值，增加了電荷轉移比 。在讀操作時，假如陣列左邊一個單元被選中， BLL將變化△ V，這同時 R=1，使右邊的偽單元選擇而給出參考電壓， BLR= ，當 BLL高于 時，輸出為‘ 1’，否則為‘ 0’。 （ 2）減少或者補償各種干擾，防止兩側不相等的電位漂移和時鐘脈沖引起的耦合干擾，提高放大器靈敏度。 V? V?V?（ 2）偽單元（ dummy cell） 存儲單元是單端結構，為了變成雙端差分式，要在靈敏放大器的左右兩端各增加一個偽單元，與正式單元完全一樣。 特點： 簡單，快速。EQ=1，先將 BLL和 BLR左右兩條位線預充到 ， 使觸發(fā)器處在亞穩(wěn)點，然后 EQ=0. /2DDV 讀寫時位線上會出現(xiàn) ，當 足夠大時， SE=1，靈敏放大器工作，觸發(fā)器將根據(jù) 的情況，進入一個穩(wěn)定的狀態(tài)（ 0或 1）。 (3)移位寄存器 (shift register)。 如熔絲型，一旦編程完畢，就不能改． 以上兩類都是不揮發(fā)性的，斷電信息不會丟失． NVRWM(nonvolatile readwrite memory) 習慣稱為可擦除型 ROM. (1)可擦除型 EPROM(erasable PROM)．紫外光擦除，一次性全部擦除． （２）電可擦除 EEPROM(electrically erasable PROM)．浮柵隧道結構，可逐字擦寫，速度快，不需從設備上取出．價格較貴． （３）閃爍型 復柵結構，比 EEPROM簡單，通常用作可變信息的存儲． 2E P R O M( f l a sh EEPR O M) RAM(random access memory) 揮發(fā)性的 . （１）靜態(tài) SRAM：采用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器作為存儲元件．沒有外界觸發(fā)信號時，不改變狀態(tài)．只要有電源，信號保持． （２）動態(tài) DRAM，利用電容來存儲信息，需刷新． 優(yōu)點：
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