cvd設(shè)備基礎(chǔ)級教育資料-文庫吧資料
2025-05-23 01:45本頁面
【正文】 ng Dept. Page 15 MB2設(shè)備介紹 ? MB2設(shè)備是采用多腔體方式，利用光能對反應(yīng)氣體進行加熱，反應(yīng)室為真空狀態(tài)，主要反應(yīng)氣體為 WF6，SiH2Cl2和 ClF3等。 爐體系 搬送系 氣體部 控制部 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 13 MCVD 的主要特征及設(shè)備 ? 特征 將反應(yīng)材料導(dǎo)入到真空的反應(yīng)室，利用加熱器或紫外光等加熱，發(fā)生反應(yīng)形成一層金屬膜。 Gas Input Feed through Shower Header Heater RF Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 11 LPCVD 的主要特征及設(shè)備 ? 特征 反應(yīng)室為減壓真空狀態(tài)，利用加熱器進行加熱使氣體發(fā)生反應(yīng)，采用批處理方式（ Batch Mode) ? 主要設(shè)備 TEL生產(chǎn)的 ALPHA8設(shè)備 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 12 ALPHA8設(shè)備介紹 ? ALPHA8設(shè)備主要由爐體系，搬送系，氣體部，控制部組成。 ? 主要設(shè)備 ASM生產(chǎn)的 Eagle10設(shè)備 Novellus生產(chǎn)的 Concept1設(shè)備 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 9 Eagle10設(shè)備介紹 ? Eagle10設(shè)備采用多腔真空方式，利用 430KHz對 SiH4 或 TEOS ， N2O和 O2等反應(yīng)材料印加，
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