cvd設(shè)備基礎(chǔ)級教育資料(存儲版)
【正文】 50設(shè)備 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 6 WJ1000設(shè)備介紹 ? WJ1000設(shè)備主要由 Belt將硅片在反應(yīng)室內(nèi)傳送， 4個Injector導(dǎo)入 SiH4,O2和 N2等 氣體，加熱器 380度進(jìn)行加熱使氣體反應(yīng)成膜，每個 Injector各生長 1/4膜厚。 Gas Input Feed through Shower Header Heater RF Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 11 LPCVD 的主要特征及設(shè)備 ? 特征 反應(yīng)室為減壓真空狀態(tài)，利用加熱器進(jìn)行加熱使氣體發(fā)生反應(yīng)，采用批處理方式（ Batch Mode) ? 主要設(shè)備 TEL生產(chǎn)的 ALPHA8設(shè)備 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 12 ALPHA8設(shè)備介紹 ? ALPHA8設(shè)備主要由爐體系，搬送系，氣體部，控制部組成。 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 17 CVD設(shè)備的構(gòu)成總結(jié) 主要由以下組成： ? 搬送系 (ATM Robot, Cassette Port, Cassette Loadlock, Transfer Robot, Orienter Chamber, etc) ? 氣體系 (Gas Box, Gas Distribution Unit, Gas Manifold, etc) ? 能量系 (Heater,
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