cvd設備基礎級教育資料(編輯修改稿)
2025-06-20 01:45 本頁面
【文章內容簡介】 在真空狀態(tài)下，有加熱器進行加熱，氣體被激勵成等離子狀態(tài)進行反應成膜。 ? 主要設備 ASM生產的 Eagle10設備 Novellus生產的 Concept1設備 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 9 Eagle10設備介紹 ? Eagle10設備采用多腔真空方式，利用 430KHz對 SiH4 或 TEOS ， N2O和 O2等反應材料印加，低溫加熱使氣體反應，進行成膜。 ~ RF電源 Gas Input Exhaust Shower Plate Wafer Heater Reactor Transfer Loadlock Cassette From Top View Orienter Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 10 Concept1設備介紹 ? Concept1設備是在真空狀態(tài)下，將 SiH4,NH3,N2O和O2等 反應氣體通過 6個 Shower Head導入真空反應室，印加 RF，加熱接熱進行反應成膜。 Gas Input Feed through Shower Header Heater RF Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 11 LPCVD 的主要特征及設備 ? 特征 反應室為減壓真空狀態(tài)，利用加熱器進行加熱使氣體發(fā)生反應，采用批處理方式（ Batch Mode) ? 主要設備 TEL生產的 ALPHA8設備 Metal Group Thin Film Section Ma
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