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【正文】 ? 主要設(shè)備 AMAT 生產(chǎn)的 CenturaWxZ設(shè)備 TEL生產(chǎn)的 MB2和 UnityEP設(shè)備 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 14 CenturaWxZ設(shè)備介紹 ? CenturaWxZ設(shè)備是采用多腔體方式，反應(yīng)室為真空狀態(tài)，利用加熱體進行加熱，反應(yīng)氣體主要為 WF6，SiH4， ClF3和 O2等。 Gas input Exhaust Thin Film Wafer Energy Source Gas (heater,plasma,ultraviolet light etc. ) Shower Head Reactor Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 4 CVD 的設(shè)備種類 CVD的設(shè)備大致可分為以下幾類： ? APCVD(Atmospheric Pressure CVD) 常壓化學(xué)氣象淀積 ? PECVD(Plasma Enhanced CVD) 等離子化學(xué)氣象淀積 ? LPCVD(Low Pressure CVD) 低壓化學(xué)氣象淀積 ? MCVD(Metal CVD) 金屬化學(xué)氣象淀積 Metal Group Thin Film Section Manufacturing Engineering Dept. Page 5 APCVD 的主要特征及設(shè)備 ? 特征在近大氣壓氛圍下，利用加熱器（ 350~500度）加熱，進行反應(yīng)成膜 ? 主要設(shè)備 WatkinsJohnson生產(chǎn)的 WJ1000設(shè)備 Canon生產(chǎn)的 APT58

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