課程設(shè)計(jì)論文-基于vhdl的rom的設(shè)計(jì)與仿真-文庫吧資料
2025-04-11 00:34本頁面
【正文】 軟件中進(jìn)行運(yùn)行仿真，首先新建一 個 text editor file 文檔，如圖 2 所示，單擊“ OK”，即可新建，將源程序?qū)懭肫渲?，如圖 3所示。 dataout=00001111when id=00000else 11110000when id=00010else 11001100when id=00100else 00110011when id=00110else 10101010when id=01000else 01010101when id=01010else 沈 陽 大 學(xué) 課程設(shè)計(jì)說明書 10011001when id=01100else 01100110when id=01110else 00000000when id=10000else 11111111when id=10010else 00010001when id=10100else 10001000when id=10110else 10011001when id=11000else 01100110when id=11010else 10100110when id=11100else 01100111when id=11110else XXXXXXXX。 begin id=addr amp。 end entity。 addr:in std_logic_vector(3 downto 0)。 use 。下圖是一個 ROM 存儲的例子，該 ROM 有 4 位地址線 ADDR(0)~ADDR(3),8 位數(shù)據(jù)輸出線 DATAOUT(0)~DATAOUT(7)及使能 CE，如圖 1 所示。 ROM 按其性能不同可分為： ROM， 只讀內(nèi)存 （ ReadOnly Memory）是一種只能讀取資料的內(nèi)存； PROM 可編程程序只讀內(nèi)存 （ Programmable ROM， PROM） 之內(nèi)部有 行列式 的镕絲，視需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次； .EPROM， 可抹除可編程只讀內(nèi)存 （ Erasable Programmable Read Only Memory， EPROM） 可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光于 紫外線 下，則資料可被清空，并且可重復(fù)使用；EEPROM ， 電子式 可抹除可編程只讀內(nèi)存（ Electrically Erasable Programmable Read Only Memory， EEPROM）之運(yùn)作原理類似 EPROM，但是抹除的方式是使用高 電場 來完成，因此不需要透明窗。對于存儲起來說，由于存儲單元數(shù)目極大而器件的引腳數(shù)目有限，因此存儲器采用一種地址的方法來進(jìn)行存儲單元的訪問，這 樣可以大大減低存儲器引腳的數(shù)目。 Opencore 特征， Max+plusⅡ軟件具有開放核的特點(diǎn)，允許設(shè)計(jì)人員添加自己認(rèn)為有價(jià)值的宏函數(shù)。模塊化工具，設(shè)計(jì)人員可以從各種設(shè)計(jì)輸入、處理和較驗(yàn)選項(xiàng)中進(jìn)行選擇從而使設(shè)計(jì) 環(huán)境用戶化。 完全集成化， Max+
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