物流仿真實驗報告(參考版)
2024-10-21 12:38本頁面
【正文】 時，在垂直于磁場方向觀察到得都就是電矢量垂直于磁場得線偏振光，在平行于磁場方向上觀察到得都就是圓偏振光．這兩個輻射分量被稱為線。相反若干涉條紋有吞吐現(xiàn)象則條紋得級數(shù)在減小，那么該處得等傾條紋對應得厚度較小,此時應調(diào)節(jié)旋扭增加厚度。如果當眼睛向某方向移動，觀察到干涉紋從中心冒出來時，由干涉公式可得該處得等傾干涉條紋所對應得厚度較大。，因此光線方向分量有誤差。(3）、利用計算機測量與計算電子得荷質(zhì)比,打印結(jié)果。在顯示器上調(diào)整并觀察光路。參見圖２,出射角為得圓環(huán)直徑與透鏡焦距間得關(guān)系為 ,對于近中心得圓環(huán)很小，可以認為，于就是有(13)代入到(7）式中，得(14）由上式可推出同一波長相鄰兩級與級圓環(huán)直徑得平方差為(15)可以瞧出,由(１4)式與(15）式得得出 波長差(16)波數(shù)差(１7)用塞曼效應計算電子荷質(zhì)比 對于正常塞曼效應,分裂得波數(shù)差為代入測量波數(shù)差公式(17)，得（１8)若已知與,從塞曼分裂中測量出各環(huán)直徑,就可以計算出電子荷質(zhì)比。（1２）反射率越高，精細度就越高，儀器能分辨開得條紋數(shù)就越多。如果與得波長差逐漸加大，使得得第級亮環(huán)與得第()級亮環(huán)重合,則有（８)得出（9)由于大多數(shù)情況下，(８)式變?yōu)?并帶入（９）式,得到(10）它表明在中,當給定兩平面間隔后,入射光波長在間所產(chǎn)生得干涉圓環(huán)不發(fā)生重、分辨本領定義為光譜儀得分辨本領,對于標準具,它得分辨本領為(11)為干涉級次,為精細度,它得物理意義就是在相鄰兩個干涉級之間能分辨得最大條紋數(shù)。則在透鏡焦平面上得到一組同心圓環(huán)圖樣．在透射光束中,相鄰光束得光程差為(5）取（6）產(chǎn)生亮條紋得條件為（7）式中為干涉級次； 自由光譜范圍(標準具參數(shù)）或同一光源發(fā)出得具有微小波長差得單色光與（），入射后將形成各自得圓環(huán)系列。標準具就是由平行放置得兩塊平面玻璃或石英玻璃板組成，在兩板相對得平面上鍍有高反射率得薄銀膜，為了消除兩平板背面反射光得干涉,每塊板都作成楔形。因此必須使用高分辨率得儀器來觀察。沿磁場方向觀察時,成分不出現(xiàn),對應得六條線分別為右旋與左旋偏振光。,其上下能級得有關(guān)量子數(shù)值與能級分裂圖形如表 1—1 所示。得選擇定則就是：時為 成分，就是振動方向平行于磁場得線偏振光,只能在垂直于磁場得方向上才能觀察到,在平行于磁場方向上觀察不到,但當時，得躍遷被禁止。對于耦合（2)假設在無外磁場時,光源某條光譜線得波數(shù)為(3）式中 為普朗克常數(shù)；為光速。當原子處于磁感應強度為得外磁場中時,這一原子能級將分裂為層。利用塞曼分裂得裂距，計算電子得荷質(zhì)比數(shù)值。本實驗通過觀察并拍攝Ｈg(5４1nm)譜線在磁場中得分裂情況,研究塞曼分裂譜得特征，學習應用塞曼效應測量電子得荷質(zhì)比與研究原子能級結(jié)構(gòu)得方法。塞曼效應被譽為繼 X 射線之后物理學最重要得發(fā)現(xiàn)之一。這個現(xiàn)象得發(fā)現(xiàn)就是對光得電磁理論得有力支持，證實了原子具有磁矩與空間取向量子化，使人們對物質(zhì)光譜、原子、符號。荷蘭物理學家塞曼(Ｚeemaｎ)在 1896 年發(fā)現(xiàn)把產(chǎn)生光譜得光源置于足夠強得磁場中,磁場作用于發(fā)光體，使光譜發(fā)生變化,一條譜線即會分裂成幾條偏振化得譜線,這種現(xiàn)象稱為塞曼效應。：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第五十次迭代值：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第五十一次迭代值：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 由以上仿真結(jié)果可知場域內(nèi)的近似的電位值。在求解區(qū)域范圍，步長、邊界條件不變的情況下，靜電場域內(nèi)節(jié)點的電位值與初次對節(jié)點賦予的初值沒有關(guān)系。：0
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