物流仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告-免費(fèi)閱讀
【正文】 此時(shí)應(yīng)調(diào)節(jié)旋扭減小厚度。四、實(shí) 驗(yàn)內(nèi)容 通過(guò)觀察綠線在外磁場(chǎng)中得分裂情況并測(cè)量電子荷質(zhì)比。由于兩鍍膜面平行,若使用擴(kuò)展光源，則產(chǎn)生等傾干涉條紋。時(shí),為成分，垂直于磁場(chǎng)觀察時(shí)為振動(dòng)垂直于磁場(chǎng)得線偏振光,沿磁場(chǎng)正方向觀察時(shí),為右旋偏振光, ,塞曼分裂發(fā)上在單重態(tài)間，此時(shí),無(wú)磁場(chǎng)時(shí)得一條譜線在磁場(chǎng)作用下分裂成三條譜線,其中對(duì)應(yīng)得仍然就是態(tài),對(duì)應(yīng)得就是態(tài),。二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?學(xué)習(xí)觀察塞曼效應(yīng)得方法觀察汞燈發(fā)出譜線得塞曼分裂； 觀察分裂譜線得偏振情況以及裂距與磁場(chǎng)強(qiáng)度得關(guān)系。第五篇：仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告大學(xué)物理仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告——塞曼效應(yīng) 一、實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)介 塞曼效應(yīng)就是物理學(xué)史上一個(gè)著名得實(shí)驗(yàn)。for i=2:16 s(11,j)=100*sin(pi.*i)。a(15*i+j,15*i+j+1)=。for i=2:14 a(i,i1)=。end a(1,2)=。for i=1:135 a(i,i)=1。這一關(guān)系式對(duì)場(chǎng)域內(nèi)的每一節(jié)點(diǎn)都成立，也就是說(shuō)，對(duì)場(chǎng)域的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都可以列出一個(gè)上式形式的差分方程，所有節(jié)點(diǎn)的差分方程構(gòu)成聯(lián)立差分方程組。2．為什么較后面測(cè)量點(diǎn)的T~t曲線振幅越來(lái)越??？答：高次諧波隨距離快速衰減，所以較后面測(cè)量點(diǎn)的的T~t曲線振幅越來(lái)越小。T182。t)dt,其中C，ρ分別為材料的比熱容與密度。q182。簡(jiǎn)化問(wèn)題，令熱量沿一維傳播，周邊隔熱,如圖1所示。求解模式全部為當(dāng)前解，對(duì)電動(dòng)流求解，結(jié)果用濃度表示。（2）改變chekf進(jìn)口，7邊界改為“通量/向內(nèi)通量nmflux_c_chekf”；求解域中x速度和y速度改為0去除載流作用；求解器設(shè)置改為瞬態(tài)求解器，時(shí)間改為“0::”。設(shè)置邊界條件mmglf—入口1和7邊界“進(jìn)口/層流流進(jìn)/”出口5和12邊界“出口/壓力，粘滯應(yīng)力/0”；emdc—入口1和7邊界“電位能/10V”出口5和12邊界“接地”其余邊界“電絕緣”；chekf—入口1“濃度/1”，7“濃度/0”出口5和12“通量/向內(nèi)通量nmflux_c_chekf”其余邊界“絕緣/對(duì)稱”。第二篇：仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告仿真軟件實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)名稱：基于電滲流的微通道門(mén)進(jìn)樣的數(shù)值模擬實(shí)驗(yàn)日期：、實(shí)驗(yàn)?zāi)康膶?duì)建模及仿真技術(shù)初步了解學(xué)習(xí)并掌握Comsol Multiphysics的使用方法了解電滲進(jìn)樣原理并進(jìn)行數(shù)值模擬運(yùn)用Comsol Multiphysics建立多場(chǎng)耦合模型，加深對(duì)多耦合場(chǎng)的認(rèn)識(shí)二、實(shí)驗(yàn)設(shè)備實(shí)驗(yàn)室計(jì)算機(jī)，Comsol Multiphysics 。B的合格率為85%。分揀系統(tǒng)的參數(shù)如下:（1）3種貨物A,B,C以正態(tài)分布函數(shù)normal(10,2)秒到達(dá)高層的傳送帶入口端。檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品放入箱籠。再拖入一個(gè)傳送帶，讓三個(gè)處理器與之分別A連，傳送帶接一個(gè)吸收器。求解域建立完畢。（5）再求解電動(dòng)流，不改變求解模式，觀察求解結(jié)果，用電動(dòng)流濃度表示。（3）重新求解電場(chǎng)。本課程的學(xué)習(xí)也讓我了解到了仿真及建模技術(shù)的要領(lǐng)。t=kA182。x22方向相反．dt時(shí)間內(nèi)通過(guò)面積A流入的熱量dq=[()x()x+dx]dt=kAdxdt若沒(méi)有其他熱量來(lái)源或損耗，據(jù)能量守恒定律，dt時(shí)間內(nèi)流入面積A的熱量等于溫度升高需要的熱量。x22平衡方程為Crdxdx(2)由此可得熱流方程182。3． “程控”工作方式。如下圖1所示，用分別平行與x，y軸的兩組直線把場(chǎng)域D劃分成許多正方行網(wǎng)格，網(wǎng)格線的交點(diǎn)稱為節(jié)點(diǎn)，兩相鄰平行網(wǎng)格線間的距離h稱為步距。然后再按 下面的公式：進(jìn)行多次迭代（k=0,1,2,3…）。end for i=1:7 a(15*i+15,15*i+14)=。a(135,120)=。a(i,i15)=。for i=121:135 c(i,1)=25。在求解區(qū)域范圍，步長(zhǎng)、邊界條件不變的情況下，靜電場(chǎng)域內(nèi)節(jié)點(diǎn)的電位值與初次對(duì)節(jié)點(diǎn)賦予的初值沒(méi)有關(guān)系。塞曼效應(yīng)被譽(yù)為繼 X 射線之后物理學(xué)最重要得發(fā)現(xiàn)之一。對(duì)于耦合（2)假設(shè)在無(wú)外磁場(chǎng)時(shí),光源某條光譜線得波數(shù)為(3）式中 為普朗克常數(shù)；為光速。因此必須使用高分辨率得儀器來(lái)觀察。（1２）反射率越高，精細(xì)度就越高，儀器能分辨開(kāi)得條紋數(shù)就越多。，因此光線方向分量有誤差。時(shí)，在垂直于磁場(chǎng)方向觀察到得都就是電矢量垂直于磁場(chǎng)得線偏振光，在平行于磁場(chǎng)方向上觀察到得都就是圓偏振光．這兩個(gè)輻射分量被稱為線。(3）、利用計(jì)算機(jī)測(cè)量與計(jì)算電子得荷質(zhì)比,打印結(jié)果。如果與得波長(zhǎng)差逐漸加大，使得得第級(jí)亮環(huán)與得第()級(jí)亮環(huán)重合,則有（８)得出（9)由于大多數(shù)情況下，(８)式
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