物流仿真實(shí)驗(yàn)報告-預(yù)覽頁
【正文】 樣原理并進(jìn)行數(shù)值模擬運(yùn)用Comsol Multiphysics建立多場耦合模型，加深對多耦合場的認(rèn)識二、實(shí)驗(yàn)設(shè)備實(shí)驗(yàn)室計(jì)算機(jī)，Comsol Multiphysics 。5和9兩端點(diǎn)取圓角，半徑1e6。設(shè)置邊界條件mmglf—入口1和7邊界“進(jìn)口/層流流進(jìn)/”出口5和12邊界“出口/壓力，粘滯應(yīng)力/0”；emdc—入口1和7邊界“電位能/10V”出口5和12邊界“接地”其余邊界“電絕緣”；chekf—入口1“濃度/1”，7“濃度/0”出口5和12“通量/向內(nèi)通量nmflux_c_chekf”其余邊界“絕緣/對稱”。（4）再求解電場，改變求解模式，點(diǎn)變量值不可解和線性化/當(dāng)前解，對傳導(dǎo)介質(zhì)DC求解，觀察求解結(jié)果，用電位能表示。（2）改變chekf進(jìn)口，7邊界改為“通量/向內(nèi)通量nmflux_c_chekf”；求解域中x速度和y速度改為0去除載流作用；求解器設(shè)置改為瞬態(tài)求解器，時間改為“0::”。（2）改變cmdc進(jìn)口，7邊界“電位能/10”，1邊界“電位能/3”。求解模式全部為當(dāng)前解，對電動流求解，結(jié)果用濃度表示。通過對仿真實(shí)驗(yàn)課程的學(xué)習(xí)，及本次試驗(yàn)，我體會到仿真技術(shù)對于實(shí)驗(yàn)的幫助非常巨大，使得實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行的許多實(shí)驗(yàn)可以通過計(jì)算機(jī)模擬直接完成，節(jié)省了資源消耗，并極大地提高了實(shí)驗(yàn)效率。簡化問題，令熱量沿一維傳播，周邊隔熱,如圖1所示。p182。q182。T182。t)dt,其中C，ρ分別為材料的比熱容與密度。T182。T182。2． 打開電源開關(guān)，主機(jī)進(jìn)入工作狀態(tài)。2．為什么較后面測量點(diǎn)的T~t曲線振幅越來越??？答：高次諧波隨距離快速衰減，所以較后面測量點(diǎn)的的T~t曲線振幅越來越小。差分網(wǎng)格的劃分有多種不同的方式，這里將討論二維拉普拉斯方程的正方形網(wǎng)格劃分法。這一關(guān)系式對場域內(nèi)的每一節(jié)點(diǎn)都成立，也就是說，對場域的每一個節(jié)點(diǎn)都可以列出一個上式形式的差分方程，所有節(jié)點(diǎn)的差分方程構(gòu)成聯(lián)立差分方程組。差分方程的求解方法：簡單迭代法先對靜電場內(nèi)的節(jié)點(diǎn)賦予迭代初值，其上標(biāo)（0）表示初始近似值。for i=1:135 a(i,i)=1。a(15*i+1,15*i14)=。end a(1,2)=。a(135,134)=。for i=2:14 a(i,i1)=。a(i,i+1)=。a(15*i+j,15*i+j+1)=。c=zeros(135,1)。for i=2:16 s(11,j)=100*sin(pi.*i)。反之，迭代的次數(shù)越少，計(jì)算結(jié)果的精確度就越低。第五篇：仿真實(shí)驗(yàn)報告大學(xué)物理仿真實(shí)驗(yàn)報告——塞曼效應(yīng) 一、實(shí)驗(yàn)簡介 塞曼效應(yīng)就是物理學(xué)史上一個著名得實(shí)驗(yàn)。根據(jù)洛侖茲（Ｈ、Ａ、Lｏrｅntｚ)得電子論,測得光譜得波長，譜線得增寬及外加磁場強(qiáng)度，即可稱得離子得荷質(zhì)比．由塞曼效應(yīng)與洛侖茲得電子論計(jì)算得到得這個結(jié)果極為重要，因?yàn)樗l(fā)表在Ｊ、J 湯姆遜(J、J Thomｓｏn）宣布電子發(fā)現(xiàn)之前幾個月，Ｊ、J 湯姆遜正就是借助于塞曼效應(yīng)由洛侖茲得理論算得得荷質(zhì)比，與她自己所測得得陰極射線得荷質(zhì)比進(jìn)行比較具有相同得數(shù)量級,從而得到確實(shí)得證據(jù),證明電子得存在。二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?學(xué)習(xí)觀察塞曼效應(yīng)得方法觀察汞燈發(fā)出譜線得塞曼分裂； 觀察分裂譜線得偏振情況以及裂距與磁場強(qiáng)度得關(guān)系。各層能量為(1)其中為磁量子數(shù),它得取值為，、,共個；為朗德因子；為玻爾磁矩()；為磁感應(yīng)強(qiáng)度。時,為成分，垂直于磁場觀察時為振動垂直于磁場得線偏振光,沿磁場正方向觀察時,為右旋偏振光, ,塞曼分裂發(fā)上在單重態(tài)間，此時,無磁場時得一條譜線在磁場作用下分裂成三條譜線,其中對應(yīng)得仍然就是態(tài),對應(yīng)得就是態(tài),。法布里—珀羅標(biāo)準(zhǔn)具 塞曼分裂得波長差很小，波長與波數(shù)得關(guān)系為,若波長得譜線在得磁場中，分裂譜線得波長差約只有。由于兩鍍膜面平行,若使用擴(kuò)展光源，則產(chǎn)生等傾干涉條紋。依賴于平板內(nèi)表面反射膜得反射率。四、實(shí) 驗(yàn)內(nèi)容 通過觀察綠線在外磁場中得分裂情況并測量電子荷質(zhì)比。五、實(shí)驗(yàn)結(jié)果 經(jīng)過測量可得=１5４、０mｍ＝160mmDk=1６0mmDｋ—１=25７、０ｍｍＤｋ’＝15４、0mmDk1′=２５5mｍ帶入上述公式可得電子得荷質(zhì)比取二者平均值得實(shí)驗(yàn)誤差 E=(72—１、64)/１、７６=４、7% 六、誤差分析 n=1 代替而導(dǎo)致結(jié)果偏大。此時應(yīng)調(diào)節(jié)旋扭減小厚度。并且,當(dāng)時，迎著或逆著磁場方向分別觀察到右旋或左旋前進(jìn)得圓偏振光,這個分量被稱為線；當(dāng)時，迎著或逆著磁場方向分別觀察到左旋或右旋前進(jìn)得圓偏振光,這個分量被稱為線、結(jié)果如下：
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