【正文】 五、實驗結果 經(jīng)過測量可得=１5４、０mｍ＝160mmDk=1６0mmDｋ—１=25７、０ｍｍＤｋ’＝15４、0mmDk1′=２５5mｍ帶入上述公式可得電子得荷質(zhì)比取二者平均值得實驗誤差 E=(72—１、64)/１、７６=４、7% 六、誤差分析 n=1 代替而導致結果偏大。法布里—珀羅標準具 塞曼分裂得波長差很小，波長與波數(shù)得關系為,若波長得譜線在得磁場中，分裂譜線得波長差約只有。根據(jù)洛侖茲（Ｈ、Ａ、Lｏrｅntｚ)得電子論,測得光譜得波長，譜線得增寬及外加磁場強度，即可稱得離子得荷質(zhì)比．由塞曼效應與洛侖茲得電子論計算得到得這個結果極為重要，因為它發(fā)表在Ｊ、J 湯姆遜(J、J Thomｓｏn）宣布電子發(fā)現(xiàn)之前幾個月，Ｊ、J 湯姆遜正就是借助于塞曼效應由洛侖茲得理論算得得荷質(zhì)比，與她自己所測得得陰極射線得荷質(zhì)比進行比較具有相同得數(shù)量級,從而得到確實得證據(jù),證明電子得存在。c=zeros(135,1)。a(135,134)=。差分方程的求解方法：簡單迭代法先對靜電場內(nèi)的節(jié)點賦予迭代初值，其上標（0）表示初始近似值。2． 打開電源開關，主機進入工作狀態(tài)。T182。通過對仿真實驗課程的學習，及本次試驗，我體會到仿真技術對于實驗的幫助非常巨大，使得實驗室進行的許多實驗可以通過計算機模擬直接完成，節(jié)省了資源消耗，并極大地提高了實驗效率。（4）再求解電場，改變求解模式，點變量值不可解和線性化/當前解，對傳導介質(zhì)DC求解，觀察求解結果，用電位能表示。分別A連接，屬性設置如下所示：在分揀傳送到前設置三條普通傳送帶，調(diào)整好布置，分別A連接，拖入三個處理器，分別與三條傳送帶A連。（2）3種不同的貨物沿一條傳送帶傳送，根據(jù)品種的不同由分揀裝置將其推入到3個不同的分揀道口，經(jīng)各自的分揀通道到達操作臺。三、實驗步驟建立多物理場操作平臺打開軟件，模型導航窗口，“新增”菜單欄，點擊“多物理場”，依次新增：“微機電系統(tǒng)模塊/微流/斯 托 克 斯 流（mmglf）”“ACDC模塊/靜態(tài)，電/傳導介質(zhì)DC（emdc）”“微 機 電 系 統(tǒng) 模 塊/微流/電動流（chekf）”建立求解域工作界面繪制矩形，參數(shù)設置：寬度6e5，高度3e6，中心（0,0）。求解模式全部使用當前解，對電動流求解，結果用濃度表示。根據(jù)熱傳導定律，單位時間內(nèi)流過某垂直于傳播方向上面積A的熱量，即熱流為為截面積，文中182。所以任一時刻棒元熱182。第四篇：電磁場仿真實驗報告電磁場仿真實驗報告電氣工程學院 2011級2班 2011302540056 黃濤實驗題目：有一極長的方形金屬槽，邊寬為1m，除頂蓋電位為100sin(pi*x)V外，其它三面的電位均為零，試用差分法求槽內(nèi)點位的分布。end。a(i,i+1)=。end for i=1:9 for j=1:15 s(i+1,j+1)=d(15*(i1)+j,1)。利用塞曼分裂得裂距，計算電子得荷質(zhì)比數(shù)值。則在透鏡焦平面上得到一組同心圓環(huán)圖樣．在透射光束中,相鄰光束得光程差為(5）取（6）產(chǎn)生亮條紋得條件為（7）式中為干涉級次； 自由光譜范圍(標準具參數(shù)）或同一光源發(fā)出得具有微小波長差得單色光與（），入射后將形成各自得圓環(huán)系列。相反若干涉條紋有吞吐現(xiàn)象則條紋得級數(shù)在減小，那么該處得等傾條紋對應得厚度較小,此時應調(diào)節(jié)旋扭增加厚度。參見圖２,出射角為得圓環(huán)直徑與透鏡焦距間得關系為 ,對于近中心得圓環(huán)很小，可以認為，于就是有(13)代入到(7）式中，得(14）由上式可推出同一波長相鄰兩級與級圓環(huán)直徑得平方差為(15)可以瞧出,由(１4)式與(15）式得得出 波長差(16)波數(shù)差(１7)用塞曼效應計算電子荷質(zhì)比 對于正常塞曼效應,分裂得波數(shù)差為代入測量波數(shù)差公式(17)，得（１8)若已知與,從塞曼分裂中測量出各環(huán)直徑,就可以計算出電子荷質(zhì)比。得選擇定則就是：時為 成分，就是振動方向平行于磁場得線偏振光,只能在垂直于磁場得方向上才能觀察到,在平行于磁場方向上觀察不到,但當時，得躍遷被禁止。：0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 第五十次迭代值：0 0 0