現代集成電路制造工藝原理-第十一章(參考版)
2025-02-09 11:09本頁面
【正文】 演講完畢，謝謝觀看！ 。 分子束外延（ MBE） ? 可以達到原子分辨率 ? 需要高真空條件，背景真空為 10101011托甚至更高。 金屬有機 CVD （ MOCVD） ? MOCVD是 VPE的一種。 外延 ? 氣相外延 （ VPE） ? 金屬有機 CVD（ MOCVD） ? 分子束外延 （ MBE） 氣相外延 （ VPE） ? 在溫度為 8001150176。C。 ? 同質外延：膜和襯底的材料相同 ? 異質外延：膜和襯底的材料不一致 ? 外延可用的氣體源包括 SiCl4， SiH2Cl2， SiHCl3和氫氣。 ? 工藝溫度通常是 350攝氏度 ? 可摻入 B或者 P來形成 BSG， PSG或者 BPSG ? 也可以采用 TEOS淀積 SiO2 （ PETEOS） 等離子體增強 CVD （ PECVD） ? PECVD氮化硅 ? PECVD氮化硅膜有時寫成 SixNyHz。 ? 等離子體增強 CVD （ PECVD） ? 高密度等離子體 CVD （ HDPCVD） 等離子體增強 CVD （ PECVD） ? 在真空腔中進行。 等離子體輔助 CVD ? 利用等離子體的能量和熱能來觸發(fā)并維持 CVD淀積所需的化學反應，可以在更低的工藝溫度（ 250450176。C通過熱分解硅烷來淀積多晶硅。C條件下，可用二氯二氫硅和氨氣 LPCVD淀積氮化硅。C）用硅烷制備SiO2 ? 在高溫（ 900176。 ? 反應速度限制 ? 一般具有好的臺階覆蓋能力 ? 熱壁。 低壓 CVD（ LP
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1