【摘要】第八講集成電路可測(cè)性原理與設(shè)計(jì)浙大微電子韓雁2022/8/17浙大微電子2/26IC測(cè)試概念?在芯片設(shè)計(jì)正確的前提下,在制造過(guò)程中引入的缺陷(故障)造成的電路失效,需要用測(cè)試的方法將其檢測(cè)出來(lái)。?對(duì)IC設(shè)計(jì),用仿真手段驗(yàn)證設(shè)計(jì)正確性?對(duì)IC制造,用測(cè)試手段報(bào)告生產(chǎn)“良率”?故障的存
2024-07-31 23:08
【摘要】集成電路可測(cè)性設(shè)計(jì)中網(wǎng)表的解析與實(shí)現(xiàn)東北大學(xué)東軟信息學(xué)院嵌入式系統(tǒng)工程系申華1.前言隨著微電子制造技術(shù)向深亞微米方向發(fā)展,數(shù)字集成電路的集成度也越來(lái)越高,而半導(dǎo)體工藝中可能引入各種失效,另外材料的缺陷以及工藝的偏差都可能會(huì)導(dǎo)致芯片中電路連接的短路、斷路以及器件結(jié)間穿通等問(wèn)題。這樣的物理失效必然導(dǎo)致電路功能或者性能方面的故障。為了保證設(shè)計(jì)的正確性,在制造和使用芯片時(shí)必須要
2025-07-04 01:06
【摘要】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2024-08-03 00:26
【摘要】集成電路工藝原理復(fù)旦大學(xué)微電子研究院於偉峰SemiconductorVLSIProcessPrinciple半導(dǎo)體集成電路工藝原理2第四章擴(kuò)散(Diffusion)§引言§擴(kuò)散機(jī)理§擴(kuò)散方程及其解§影響雜質(zhì)分布的其他因素§
2025-01-21 20:36
【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過(guò)程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過(guò)光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過(guò)程。金屬線被夾在兩個(gè)絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-05-03 18:17
【摘要】集成電路分析與設(shè)計(jì)第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進(jìn)工藝?BiCMOS工藝流程?無(wú)源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對(duì)于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-10 01:53
【摘要】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計(jì)算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-18 16:29
【摘要】集成電路原理與設(shè)計(jì)重點(diǎn)內(nèi)容總結(jié)第一章緒論摩爾定律:(P4)集成度大約是每18個(gè)月翻一番或者集成度每三年4倍的增長(zhǎng)規(guī)律就是世界上公認(rèn)的摩爾定律。集成度提高原因:一是特征尺寸不斷縮小,大約每三年縮小倍;二是芯片面積不斷增大,;三是器件和電路結(jié)構(gòu)的不斷改進(jìn)。等比例縮小定
2025-06-28 19:07
【摘要】集成電路制造工藝原理課程總體介紹:1.課程性質(zhì)及開(kāi)課時(shí)間:本課程為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)(微電子技術(shù)方向和光電子技術(shù)方向)的專業(yè)選修課。本課程是半導(dǎo)體集成電路、晶體管原理與設(shè)計(jì)和光集成電路等課程的前修課程。本課程開(kāi)課時(shí)間暫定在第五學(xué)期。2.參考教材:《半導(dǎo)體器件工藝原理》國(guó)防工業(yè)出版社
2025-06-28 03:24
【摘要】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長(zhǎng)第三章實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-10 13:40
【摘要】第五章MOS集成電路的版圖設(shè)計(jì)根據(jù)用途要求確定系統(tǒng)總體方案工藝設(shè)計(jì)根據(jù)電路特點(diǎn)選擇適當(dāng)?shù)墓に?,再按電路中各器件的參?shù)要求,確定滿足這些參數(shù)的工藝參數(shù)、工藝流程和工藝條件。電路設(shè)計(jì)根據(jù)電路的指標(biāo)和工作條件,確定電路結(jié)構(gòu)與類型,依據(jù)給定的工藝模型,進(jìn)行計(jì)算與模擬仿真,決定電路中各器件的參數(shù)(包括電參數(shù)、幾何
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院第三章厚/薄膜技術(shù)(二)前課回顧采用絲網(wǎng)印刷、干燥和燒結(jié)等工藝,將傳統(tǒng)無(wú)源元件及導(dǎo)體形成于散熱良好的陶瓷絕緣基板表面,并處理達(dá)到所需精度的工藝技術(shù)。有效物質(zhì)+粘貼成分+有機(jī)粘結(jié)劑+溶劑或稀釋劑功能相+載體相;懸浮+流動(dòng):非牛頓流體?厚膜導(dǎo)體材料主要內(nèi)
2025-02-24 09:30
【摘要】集成電路后端設(shè)計(jì)簡(jiǎn)介第一部分簡(jiǎn)單導(dǎo)言集成電路的發(fā)展?集成電路(IC:IntegratedCircuit)是指通過(guò)一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻、電容、電感等無(wú)源器件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體晶片上,并封裝在一個(gè)外殼內(nèi),執(zhí)行特定電路或系統(tǒng)功能的一種器件。?1965年,In
2025-01-10 01:54
【摘要】第九章版圖設(shè)計(jì)實(shí)例主要內(nèi)容1.CMOS門電路2.CMOSRAM單元及陣列3.CMOSD觸發(fā)器4.CMOS放大器5.雙極集成電路1.CMOS門電路(1)反相器電路圖
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無(wú)線電系2022年?yáng)|?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2024-08-12 14:45