電子組件立體封裝技術(shù)(參考版)
2025-07-17 02:16本頁面
【正文】 一般認(rèn)為隨著整合成型立體基板(MID)技術(shù)的普及與周邊技術(shù)的建立，未來可望成為小型攜帶型電子機(jī)器的主流封裝方式?！〗Y(jié)語傳統(tǒng)玻璃環(huán)氧樹脂基板與可撓曲基板等印刷布線基板，只能在基板上、下面作平面性電子組件封裝，面臨電子機(jī)器小型化、薄型化、多功能化時，傳統(tǒng)印刷布線基板面臨物理極限。今后隨著貫通芯片的微細(xì)化，勢必要求封裝的銅箔圖案高位置精度，整合成形立體基板(MID)技術(shù)變成非常有效封裝工法。(2)實現(xiàn)177。最近幾年封裝技術(shù)的變革浪潮中，多層陶瓷與整合成型立體基板(MID)的融合，已經(jīng)成為全球注目焦點(diǎn)，特別是以往整合成形立體基板(MID)，只能在射出成形組件的表面制作銅箔圖案，如果改用多層陶瓷整合成型立體基板(MID)，內(nèi)層也可以制作銅箔圖案?？梢詮?fù)數(shù)封裝貫通芯片的復(fù)芯片型陶瓷材質(zhì)整合成形立體基板(MID)，在小型化、熱傳導(dǎo)性、成本、功能面非常有利，一般認(rèn)為未來可望成為微電子組件封裝主流。上述兩范例都是利用AuSn膠將貫通芯片，在陶瓷整合成形立體基板(MID)進(jìn)行晶粒固定(Die Bonding)封裝，接著作導(dǎo)線固定與樹脂密封，形成所謂的LED封裝，本封裝技術(shù)也支持覆晶封裝?！√沾刹馁|(zhì)的整合成形立體基板(MID)，適合應(yīng)用在要求高散熱、高加熱爐耐熱特性等高輝度LED的貫通芯片封裝。圖12是包含聚醋酸乙烯酯(PPA)在內(nèi)，各種材料與陶瓷的熱傳導(dǎo)率比較?！《鄬犹沾苫迨怯删G帶(green sheet，陶瓷粉末薄片)堆積制成，制程上不易制作凸?fàn)钆c變形組件，相較之下整合成形立體基板(MID)的陶瓷，大多是在壓制技術(shù)或是陶瓷射出成形(CIM: Ceramic Injection Molded)技術(shù)制成，接著再利用雷射加工法制作銅箔圖案，因此不論是凸?fàn)罨蚴?次元形狀都可以制作銅箔圖案，換言之陶瓷整合成形立體基板(MID)的銅箔圖案位置精度比比多層陶瓷基板優(yōu)秀，而且可以取得很大的形狀自由度。有關(guān)銅箔圖案位置精度，由于制作陶瓷基板時必需經(jīng)過燒結(jié)制程，燒結(jié)后的基板會收縮，尤其是陶瓷基板銅箔圖案制成后必需經(jīng)過燒結(jié)制程，其結(jié)果造成銅箔圖案本身也會收縮，因此射出成形組件銅箔圖案的位置精度大幅降低，一般只有177。經(jīng)過反復(fù)試驗研究人員發(fā)現(xiàn)部份銅薄膜長膜制程的改良，同樣可以在陶瓷表面制作銅箔圖案，獲得其它整合成形立體基板(MID)制程沒有的特征。30μm的精度。圖10是雷射圖案化設(shè)備的概要，如圖所示為支持制作各式各樣微細(xì)圖案，雷射焦點(diǎn)高精度描準(zhǔn)射出成形組件表面非常重要。 如圖9所示微細(xì)復(fù)合加工技術(shù)(MIPTEC)，透過材料內(nèi)部填充物(Filler)種類、配合量、配合比的最佳化，使用比一般線膨脹率與異方性更低的材料，因此可以確保溫度循環(huán)時的接合穩(wěn)定性，實現(xiàn)適合封裝覆晶芯片用整合成形立體基板(MID)?！∈褂酶簿酒庋b材料一般樹脂材料會隨著溫度變化膨脹、收縮，XYZ方向的變形量彼此不均勻。貫通芯片封裝整合成形立體基板(MID)具有以下2大特征，分別是：適合導(dǎo)線固定，可以獲得銅箔圖案表面固定導(dǎo)線時銅箔圖案表面太粗糙，導(dǎo)線的接合會非常不穩(wěn)定，利用射出成形組件表面的錨點(diǎn)(Anchor)效果，可以確保射出成形組件與銅箔圖案的密著力，因此一般整合成形立體基板(MID)制程，為了使射出成形組件表面粗糙化，必需將銅箔圖案表面粗化，它相當(dāng)于上述圖7的2行程法與雷射直接成型法 (LDS)。照片2使用聚醋酸乙烯酯(PPA: Polyphthalamide)，等熱可塑性樹脂材料的整合成形立體基板(MID)，封裝貫通芯片(Via Chip)后的實際外觀。到目前為止整合成形立體基板(MID)大多是在射出成形組件表面制作銅箔圖案，使印刷布線基
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