電子元件標準封裝(參考版)
2025-07-18 06:24本頁面
【正文】 例如：JN DIP封裝 JR表貼 JD DIP陶封 BB BB產(chǎn)品命名規(guī)則： 前綴ADS模擬器件 后綴U表貼 P是DIP封裝 帶B表示工業(yè)級 前綴INA、XTR、PGA等表示高精度運放 后綴U表貼 P代表DIP PA表示高精度 INTEL INTEL產(chǎn)品命名規(guī)則： 3 N80C196系列都是單片機 前綴：N=PLCC封裝 T=工業(yè)級 S=TQFP封裝 P=DIP封裝 KC20主頻 KB主頻 MC代表84引角 舉例：TE28F640J3A120 閃存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP ISSI 以“IS”開頭 比如：IS61C IS61LV 4表示DRAM 6表示SRAM 9表示EEPROM 封裝： PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP LINEAR 以產(chǎn)品名稱為前綴 LTC1051CS CS表示表貼 LTC1051CN8 **表示*IP封裝8腳 IDT IDT的產(chǎn)品一般都是IDT開頭的 后綴的說明： 后綴中TP屬窄體DIP 后綴中P 屬寬體DIP 后綴中J 屬PLCC 比如：IDT7134SA55P 是DIP封裝 IDT7132SA55J 是PLCC IDT7206L25TP 是DIP NS NS的產(chǎn)品部分以LM 、LF開頭的 LM324N 3字頭代表民品 帶N圓帽 LM224N 2字頭代表工業(yè)級 帶J陶封 LM124J 1字頭代表軍品 帶N塑封 HYNIX 封裝： DP代表DIP封裝 DG代表SOP封裝 DT代表TSOP封裝。后綴中H表示圓帽。 后綴的說明： 后綴中J表示民品（070℃），N表示普通塑封，后綴中帶R表示表示表貼。 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后綴均為普通雙列直插。 MAX或MAX 說明： 后綴CSA、CWA 其中C表示普通級，S表示表貼，W表示寬體表貼。 三、 國際部分品牌產(chǎn)品的封裝命名規(guī)則資料 MAXIM 更多資料請參考 MAXIM前綴是“MAX”。 TinyBGA封裝的內(nèi)存其厚度也更薄（）。這樣不僅大幅提升了芯片的抗干擾、抗噪性能，而且提高了電性能。TSOP封裝內(nèi)存的引腳是由芯片四周引出的，而TinyBGA則是由芯片中心方向引 2 出。是Kingmax公司于1998年8月開發(fā)成功的，其芯片面積與封裝面積之比不小于1:，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高2～3倍，與TSOP封裝產(chǎn)品相比，其具有更小的體積、更好的散熱性能和電性能。 BGA封裝的I/O端子以圓形或柱狀焊點按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術的優(yōu)點是I/O引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術有所減少；寄生參數(shù)減小，信號傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。 采用BGA技術封裝的內(nèi)存，可以使內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，BGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。20****90年代隨著技術的進步，芯片集成度不斷提高，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對集成電路封裝的要求也更加嚴格。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(shù)(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻
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