【正文】 NAND gate與非門 OR gate 或門圖5多圈電位器圖片各種電子元件符號(hào)二極管表示符號(hào):D變?nèi)荻O管表示符號(hào):D雙向觸發(fā)二極管表示符號(hào):D穩(wěn)壓二極管表示符號(hào):ZD,D穩(wěn)壓二極管表示符號(hào):ZD,D橋式整流二極管表示符號(hào):D肖特基二極管隧道二極管隧道二極管光敏二極管或光電接收二極管發(fā)光二極管表示符號(hào)：LED雙色發(fā)光二極管表示符號(hào)：LED光敏三極管或光電接收三極管表示符號(hào)：Q,VT單結(jié)晶體管（雙基極二極管）表示符號(hào)：Q,VT復(fù)合三極管表示符號(hào)：Q,VTNPN型三極管表示符號(hào)：Q,VTPNP型三極管表示符號(hào)：Q,VTPNP型三極管表示符號(hào)：Q,VTNPN型三極管表示符號(hào)：Q,VT帶阻尼二極管NPN型三極管表示符號(hào)：Q,VT帶阻尼二極管及電阻NPN型三極管表示符號(hào)：Q,VTIGBT 場(chǎng)效應(yīng)管表示符號(hào)：Q,VT帶阻尼二極管IGBT 場(chǎng)效應(yīng)管表示符號(hào)：Q,VT接面型場(chǎng)效應(yīng)管PJFET接面型場(chǎng)效應(yīng)管NJFET場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型PMOS場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型NMOS場(chǎng)效應(yīng)管耗盡型PMOS場(chǎng)效應(yīng)管耗盡型NMOS電阻 電阻器或固定電阻 表示符號(hào)：R電阻 電阻器或固定電阻 表示符號(hào)：R電位器表示符號(hào):VR，RP,W可調(diào)電阻表示符號(hào):VR，RP,W電位器表示符號(hào):VR，RP,W可調(diào)電阻表示符號(hào):VR，RP,W三腳消磁電阻表示符號(hào)：RT二腳消磁電阻表示符號(hào)：RT壓敏電阻表示符號(hào)：RZ,VAR熱敏電阻表示符號(hào)：RT光敏電阻CDS電容（有極性電容）表示符號(hào)：電容（有極性電容）表示符號(hào)：C可調(diào)電容表示符號(hào)：C電容（無(wú)極性電容）表示符號(hào)：C四端光電光電耦合器表示符號(hào)：IC，N六端光電光電耦合器表示符號(hào)：IC，N運(yùn)算放大器倒相放大器AND gate 非門圖10直滑電位器圖片第2幅：第3幅：圖1線繞變阻器。圖3線繞電位器圖片。圖6，7貼片二極管第3幅：圖1，2，3，4，5螺栓大電流二極管。普通二極管。圖1，2，3，4圖9 大電流二極管。圖7 雙二極管。圖4 砷化鎵紅外發(fā)光二極管。圖2汽車發(fā)電機(jī)用二極管。 MOS管每次測(cè)量完畢，GS結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷，建立起電壓UGS，再接著測(cè)時(shí)表針可能不動(dòng)，此時(shí)將GS極間短路一下即可。本方法也適用于測(cè)MOS管。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動(dòng)，多數(shù)管子的RDS增大，表針向左擺動(dòng)。如果手捏柵極時(shí)表針擺動(dòng)很小，說(shuō)明管子的放大能力較弱；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管子已經(jīng)損壞。然后用手指捏柵極G，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號(hào)加到柵極上。 估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力 將萬(wàn)用表?yè)艿絉100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D。 注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。 制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。 判定柵極 用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。 場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別： 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。 場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。BGA逐漸向微間距方向發(fā)展，、。例如，；。引腳可超過1000，是多引腳LSI用的一種封裝。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI（大規(guī)模集成電路）后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP。在邏輯LSI方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP里。為了防止引腳變形，現(xiàn)已出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP品種。 、 、 、 、 、。塑料QFP是最普及的多引腳LSI封裝。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型。引腳數(shù)從18到84。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。帶引線的塑料芯片載體。 PLCC(plastic leaded chip carrier) 用SOJ封裝的DRAM器件很多都裝配在SIMM上。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J字形，故此得名。J 形引腳小外型封裝。 SOJ(Small OutLine JLeaded Package) 另外，；。在輸入輸出端子不超過10～40的領(lǐng)域，SOP是普及最廣的表面貼裝封裝。材料有塑料和陶瓷兩種。也叫SOIC，小外形封裝。 SOP(Small OutLine package) 封裝的形狀各異。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí)封裝呈側(cè)立狀。單列直插式封裝。 SIP(single inline package) 另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷。 DIP和slim DIP(窄體型DIP)。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC ， 存貯器LSI，微機(jī)電路等。雙列直插式封裝。 QFP DIP(dual inline package) TI DSP 工控機(jī)BIOS PLCC 通常所說(shuō)的貼片元件 SOP SSOP SIP LM2575 DIP 89C513A 常用電子元件掃盲篇(六)常用集成電路封裝篇有興趣的可以對(duì)照一下我們手頭上有的芯片 3A LM2576HVTADJ 簡(jiǎn)易開關(guān)電源穩(wěn)壓器(~37V) 15V簡(jiǎn)易開關(guān)電源穩(wěn)壓器3A LM2576HVT15 12V簡(jiǎn)易開關(guān)電源穩(wěn)壓器 3A LM2576HVT12 3A3A 簡(jiǎn)易開關(guān)電源穩(wěn)壓器(~37V)LM2576T