印制線路板內(nèi)層制作與檢驗(參考版)
2024-07-24 21:47本頁面
【正文】 但AOI有其極限,例如細斷路及漏電(Leakage)很難找出,故各廠漸增加短、斷路電性測試。 內(nèi)層檢測 AOI(簡單線路采目視) →電測→(修補)→確認 內(nèi)層板線路成完后,必須保證通路及絕緣的完整性(integrity),即如同單面板一樣先要仔細檢查。 A. 同心圓的觀念 a. 利用輔助同心圓，可check內(nèi)層上、下的對位度 b. 不同內(nèi)層同心圓的偏位表示壓合時候的Shift滑動 B. 設(shè)計原則 所示 ，其間距為4mil，亦是各層間可容許的對位偏差,若超出同心圓以外，則此片可能不良。 ，放進Optiline PE機器上，讓CCD瞄準(zhǔn) 該光學(xué)靶點，依各廠自行設(shè)定，沖出板邊4個Slot孔或其它圖形工具孔。待冷卻，壓力釋 放后，又回復(fù)原尺寸，是一頗佳的對位系統(tǒng)。 (post Etch Punch)方式 A. Pin Lam理論 此方法的原理極為簡單，內(nèi)層預(yù)先沖出4個Slot孔， ，包括底片， prepreq都沿用此沖孔系統(tǒng)，此4個SLOT孔，相對兩組，有一組不對稱， 可防止套反。 B. 內(nèi)層先鉆(6層以上)粗對位工具孔(含對位孔及方向孔，板內(nèi)監(jiān)測孔等), 再以雙面曝光方式進行內(nèi)層線路之制作。剝膜液為堿性，因此水洗的徹底與否，非常重要，內(nèi)層之剝膜后有加 酸洗中和，也有防銅面氧化而做氧化處理者。所以也有在溶液中加入BCS幫助溶解，但有違環(huán)保，且對人體有 害。 . 目前使用CuCl2酸性蝕銅水平設(shè)備者,大半都裝置Auto dosing設(shè)備,以維持 蝕銅速率,控制因子有五: 1. 比重 2. HCl 3. H2O2 4. 溫度 5. 蝕刻速度 剝膜 剝膜在pcb制程中，有兩個step會使用，一是內(nèi)層線路蝕刻后之D/F剝除，二 是外層線路蝕刻前D/F剝除(若外層制作為負片制程)D/F的剝除是一單純簡易 的制程，一般皆使用聯(lián)機水平設(shè)備，其使用之化學(xué)藥液多為NaOH或KOH濃 度在1~3%重量比。 2. 若補充藥液是使用氯化鈉，則有可能產(chǎn)生氯氣，對人體有害。 雖然增加HCl的濃度往往可加快蝕刻速度，但亦可能發(fā)生下述的缺點。+ H2CuCl4 → 2H2CuCl3 + CuCl (不溶) (3) CuCl + 2HCl → 2H2CuCl3 (可溶) (4) 式中因產(chǎn)生CuCl沈淀，會阻止蝕刻反應(yīng)繼續(xù)發(fā)生，但因HCl的存在溶解 CuCl，維持了蝕刻的進行。即使(2)式已有些復(fù)雜，但它仍是以下兩 個反應(yīng)式的簡式而已。 b. 反應(yīng)機構(gòu) 直覺的聯(lián)想，在氯化銅酸性蝕刻液中，Cu++ 及Cu+應(yīng)是以CuCl2 及CuCl存 在才對，但事實非完全正確，兩者事實上是以和HCl形成的一龐大錯化物存 在的： Cu176。+Cu++→2 Cu+ (1) 在酸性蝕刻的再生系統(tǒng)，就是將Cu+氧化成Cu++,因此使蝕刻液能將更多的 金屬銅咬蝕掉。, 藍色離子的Cu++以及
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