【正文】 儀器價格高 ， 相對靈敏度較差 ， 定量分析應(yīng)用尚不廣泛 激光拉曼光譜分析 氣體 、 液體 、 固體樣品 （ 判斷有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)即結(jié)構(gòu)鑒定 ） ； （ 幾何構(gòu)型等 ） ； 3. 高聚物研究 （ 結(jié)晶度 、 取向性 、碳鏈結(jié)構(gòu)等 ） 適用于沒有偶極矩變化的有機(jī)化合物分析 ， 因而與 IR配合成為判斷有機(jī)化合物的重要手段 。 直接法只適用于具有熒光性質(zhì)的物質(zhì)分析 （ 芳香族有機(jī)化合物 、 稀土元素離子等 ） 核磁共振波譜分析（ NMR） 液體（固體樣品配制溶液） （ 有機(jī)化合物結(jié)構(gòu)鑒定 ） ； （ 化合物組分 、 混合物組分含量 ） ； ； 結(jié)構(gòu)分析的重要手段 ， 可用以研究反應(yīng)過程與機(jī)理 。 作為重要輔助手段可與IR、 NMR等進(jìn)行配合進(jìn)行有機(jī)化合物鑒定和結(jié)構(gòu)分析 續(xù)附表 9 紅外吸收光譜分析（ IR） 氣、液、固體（薄膜）樣品（需經(jīng)樣品制備過程） [已知物驗證 ， 化合物純度鑒定 ， 未知物結(jié)構(gòu)鑒別 （ 常用于結(jié)構(gòu)相近化合物鑒別 ） ] （ 確定分子結(jié)構(gòu)等） ； （ 單組分和多組分含量 ）； （ 高分子聚合過程 、涂料成膜過程 、 高聚物光熱老化過程等 ） 適用于分子 （ 基團(tuán) ） 振動中伴有偶極矩變化的有機(jī)化合物分析 。 靈敏度不夠高 ， 只能分析含量在%以上的元素 紫外、可見吸收光譜分析 （ UV、 VIS） 一 般 用 液體 （ 樣品配制溶液 ） （ 有機(jī)化合物鑒定和結(jié)構(gòu)分析 ） ； 2.（ 某些 ） 有機(jī)化合物構(gòu)型和構(gòu)象的測定； （ 單一物質(zhì) ， 化合物組分 ， 混合物組分含量 ） ； 4. 化學(xué)和物理數(shù)據(jù)測定 （ 氫鍵強(qiáng)度、 化合物相對分子質(zhì)量測定等 ） 主要用于有機(jī)化合物微量和常量組分定量分析 。 相對靈敏度不高（ 只能測樣品 ω＞ %的組分 ） ， 絕對靈敏度高 （ 痕量分析 ） 難于準(zhǔn)確定量 結(jié)構(gòu)分析與物質(zhì)分析研究 結(jié)構(gòu)定性分析 [確定元素的化學(xué)狀態(tài) （ 環(huán)境 ） —— 元素存在于何種化合物中 （ 常與 XPS結(jié)合分析 ） ] [確定元素的化學(xué)狀態(tài)（ 環(huán)境 ） （ 常與 AES結(jié)合分析 ） ]； [角分辨光電子譜（ ARXPS） ]； （ 軌道 ） 結(jié)構(gòu)分析 （ 軌道結(jié)構(gòu)特征 、 電子量子數(shù)檢測 、 自旋 軌道偶合 、 多重分裂研究等 ） ； （ CT） 現(xiàn)象的研究 （ 簡單混合物組分 、 某些同分異構(gòu)體鑒定等 ） ； [角分辨光電子譜 （ ARUPS或 UARPS） ]； （ 項目同 XPS） ； 轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)分析 [振動精細(xì)結(jié)構(gòu) （ 高分辨UPS） ]等； （ 小的原子聚集體 ） 的 UPS研究 （ 原子簇價帶測定等 ） 固體表面分析 （ EAES：微區(qū)分析 、 點(diǎn)分析 、 線分析 、面分析 、 深度分析 ） ； 化學(xué)研究 （ 如：表面碳的存在形態(tài)鑒定 ， 表面內(nèi)氫的狀態(tài)分析 ， 含硅化合物的電子結(jié)構(gòu)分析 ， 催化劑結(jié)構(gòu)分析， 銅合金腐蝕機(jī)理研究等 ） （ 可作深度拋析 ） ； （ 如半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)測定等 ） ； [如：元素存在的化學(xué)狀態(tài) ， 粉末樣品氧化層厚度測定與層狀結(jié)構(gòu)分析 （ ARXPS） 等 ] （ 如聚合物價帶結(jié)構(gòu)分析等 ） ； [表面原子排列與電子結(jié)構(gòu)分析 （ 表面馳豫與重構(gòu) ） ，表面吸附性質(zhì) 、 表面催化機(jī)理研究等 ] 固體樣品探測深度 約 ～ 2nm（ 俄歇電子能量50～ 2022eV范圍內(nèi) ） （ 與電子能級及樣品材料有關(guān) ） 約 ～ （ 金屬及金屬氧化物 ） ；約 4～ 10nm（ 有機(jī)物和聚合材料 ） 約 ～ 2nm（ 光電子能量 10～ 100eV范圍內(nèi) ） 附表 分析方法（縮寫） 樣品 基本分析項目與應(yīng)用 應(yīng)用特點(diǎn) 原子發(fā)射光譜分析(AES) 固 體 與 液體樣品 ，分 析 時 被蒸發(fā) 、 解離 為 氣 態(tài)原子 元素定性分析 、 半定量分析與定量分析（ 可測所有金屬和譜線處于真空紫外區(qū)的 C、 S、 P等非金屬共七八十種元素 。 典型應(yīng)用： RHEED監(jiān)控人造超晶格材料的生長 （ 分子束外延 、 原子層外延或分子層外延生長等 ） 附表 6. 電子顯微分析方法 方法或儀器名稱（縮寫） 技術(shù)基礎(chǔ) （分析原理） 檢測信息 （物理信號） 樣品 基本應(yīng)用 透射電鏡 （ TEM） 透射和衍射 透射電子和衍射電子 薄膜和 復(fù)型膜 （ 顯微組織 、 晶體缺陷 ） ； ； （ 配附件 ） 高壓透射電鏡 （ HVEM） 透射和衍射 透射電子和衍射電子 薄膜和 復(fù)型膜 （ 顯微組織 、 晶體缺陷 ） ； ； （ 配附件 ） 與電子結(jié)構(gòu)分析 掃描電鏡 (SEM) 電子激發(fā)二次電子；吸收電子和背散射電子 二次電子、吸收電子和背散射電子 固體 1. 形貌分析 ［ 顯微組織 、 斷口形貌 、三維立體形態(tài) （ 通過深腐蝕 ）］ ； 2. 成分分析 （ 配附件 ） ； 3. 斷裂過程動態(tài)研究； 4. 結(jié)構(gòu)分析 掃描透射電鏡 (STEM) 透射和衍射 透射電子和衍射電子 薄膜和 復(fù)型膜 （ 顯微組織 、 晶體缺陷 ） ； ； （ 配附件 ） 與電子結(jié)構(gòu)分析 電子探針 （ EPMA） 電子激發(fā)特征 X射線 X光子 固體 （ 元素 ） 分析 （ 離表面 1～ 10μ m層內(nèi) ） ：點(diǎn)分析 、 線分析 、 面分析； 俄歇電子能譜 （ AES） 電子激發(fā)俄歇效應(yīng) 俄歇電子 固體 成分分析 （ ≤ 1nm， 幾個原子層內(nèi) ） ：點(diǎn)分析 、 線分析 、 面分析 ， 并可做深度分析 場發(fā)射顯微鏡 (FEM) （電）場致電子發(fā)射 場發(fā)射電子 針尖狀（ 電極 ） 1. 晶面結(jié)構(gòu)分析； 、 擴(kuò)散和脫附等分析 （分辨率一般可達(dá) ， 最高小于 1nm） 續(xù)附表 6 場離子顯微鏡 （ FIM） 場電離 正離子 針尖狀（ 電極 ） （ 直接觀察原子排列組態(tài) ， 即結(jié)構(gòu)像 、 晶體缺陷像等 ） ； 、 表面重構(gòu) 、 擴(kuò)散等分析 （ 分辨率可達(dá) ） 原子探針 場離子顯微鏡 （ APFIM） 場蒸發(fā) 正離子 針尖狀（ 電極 ） ； （ 離子 ） 種類； （ 如晶界 、 相界元素偏聚和分布 ） ； （ APFIM是各種質(zhì)譜計與 FIM相結(jié)合的裝置 ，可有各種結(jié)合形式 ， 且各具特色 ） 掃描隧道顯微鏡 （ STM） 隧道效應(yīng) 隧道電流 固體（ 具有一定導(dǎo)電性 ） （ 表面原子三維輪廓 ） ； 、 表面物理與表面化學(xué)研究 （ 不能檢測樣品深層信息 ） 原子力顯微鏡 （ AFM） 隧道效應(yīng)；并通過力傳感器建立其針尖尖端上原子與樣品表面原子間作用力 （ 原子力 ） 和掃描隧道電流的關(guān)系 隧道電流 固體（ 絕緣體 、 半導(dǎo)體 、導(dǎo)體 ） （ 接近原子分辨水平 ） ； 質(zhì)的測定 掃描電子聲學(xué)顯微鏡 (SEAM) 熱彈性效應(yīng) 聲波 固體 研究； 附表 方法名稱 縮寫 源信號（ 入射束 ） 技術(shù)基礎(chǔ)（源信號與樣品作用