【摘要】BaTiO3鐵電薄膜導(dǎo)電行為以及電荷輸運(yùn)性質(zhì)Outline實(shí)驗(yàn)背景?BTO的特性?BTO的載流子輸運(yùn)機(jī)制?BTO中的摻雜和缺陷實(shí)驗(yàn)?zāi)康?對(duì)BTO的導(dǎo)電行為和電荷輸運(yùn)機(jī)制作出合理解釋?實(shí)現(xiàn)絕緣性-半導(dǎo)體性-金屬性的可控實(shí)驗(yàn)方法?樣品制備方法?樣品檢
2025-05-08 08:15
【摘要】第五節(jié)介電和鐵電材料-12四、反鐵電材料(反鐵電體)一般是離子晶體,電疇內(nèi)存在兩套極化強(qiáng)度相等、方向相反的亞晶格,使得宏觀不顯自發(fā)極化雙電滯回線:AB:反鐵電體特征,類似于一般的線性介質(zhì)BC、CD:鐵電體特征,出現(xiàn)固有電極化強(qiáng)度五、介電鐵電材料的應(yīng)用電容器,鐵電材料可用于高容量電容器:電子線路中用于阻斷、耦合、交直流分離、
2025-05-07 18:31
【摘要】第五章鐵電壓電材料參數(shù)的測(cè)量§5-1鐵電材料參數(shù)的測(cè)量鐵電性:在一定溫度范圍內(nèi)具有自發(fā)極化,而且其自發(fā)極化方向可以因外電場(chǎng)變化而轉(zhuǎn)向,這種特性稱為鐵電性。鐵電體:具有鐵電性的晶體材料。鐵電電疇結(jié)構(gòu)示意圖:(a)形貌像;(b)面內(nèi)極化;(c)面外極化鐵電陶瓷的S
2025-05-08 06:48
【摘要】§4-1概述§4-2陶瓷的鐵電性與鐵電陶瓷§4-3強(qiáng)介鐵電瓷的改性機(jī)理§4-4鐵電陶瓷的老化與疲勞現(xiàn)象§4-5鐵電陶瓷材料確定原則第四章強(qiáng)介鐵電陶瓷重點(diǎn)掌握的幾個(gè)概念:?自發(fā)極化?剩余極化?矯頑場(chǎng)?鐵電體?電滯回線?
2025-05-07 22:25
【摘要】§6-1概述§6-2陶瓷的鐵電性與鐵電陶瓷§6-3強(qiáng)介鐵電瓷的改性機(jī)理§6-4鐵電陶瓷的老化與疲勞現(xiàn)象§6-5鐵電陶瓷材料確定原則第六章強(qiáng)介鐵電陶瓷重點(diǎn)掌握的幾個(gè)概念:?自發(fā)極化?剩余極化?矯頑場(chǎng)?鐵電體?電滯回線?
2025-05-15 22:35
【摘要】無(wú)機(jī)納米薄膜的制備何桂麗納米材料概述近20年來(lái)納米材料和技術(shù)是一門新型學(xué)科(納米學(xué)),是富有活力,研究?jī)?nèi)涵十分豐富的科學(xué)分支,已被廣泛地應(yīng)用于微電子、冶金、化工、國(guó)防、核技術(shù)、航天、醫(yī)學(xué)和生物工程等領(lǐng)域。納米科學(xué)技術(shù)的誕生,將對(duì)人類社會(huì)生產(chǎn)力的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響,并從根本上解
2025-05-06 03:30
【摘要】名人名言傲不可長(zhǎng),欲不可縱,樂(lè)不可極,志不可滿?!横纭?7–3光程薄膜干涉一薄膜干涉1光程差1)路程差引起的光程差
2025-05-06 05:18
【摘要】第四章薄膜材料與工藝?1、電子封裝中至關(guān)重要的膜材料及膜技術(shù)?薄膜和厚膜?膜及膜電l路的功能?成膜方法?電路圖形的形成方法?膜材料?2、薄膜材料?導(dǎo)體薄膜材料?電阻薄膜材料?介質(zhì)薄膜材料?功能薄膜材料1、電子封裝工程中至關(guān)重要的膜材料及膜技術(shù)?薄膜和
2025-05-15 13:52
【摘要】第三節(jié)溶膠-凝膠法一、膠體分散體系:一種或幾種物質(zhì)分散在另一物質(zhì)之中所構(gòu)成的系統(tǒng)叫分散體系分散相:分散體系中被分散的物質(zhì)分散介質(zhì):分散體系除了分散相以外的物質(zhì)1.膠體及其相關(guān)的概念溶膠-凝膠法溶膠-凝膠法分散體系的分類均相分散系統(tǒng)
2025-05-15 03:05
【摘要】介質(zhì)薄膜材料要求:?1、初步認(rèn)識(shí)介質(zhì)薄膜材料;?2、了解介質(zhì)薄膜的分類;?3、熟悉典型介質(zhì)薄膜的制備、性質(zhì)及應(yīng)用;第一節(jié)概述一、介質(zhì)薄膜簡(jiǎn)介介質(zhì)薄膜以其優(yōu)良的絕緣性能和介電性能在半
2025-05-08 22:55
【摘要】一.概述1.定義:一般將厚度在。2.性能:透明、柔韌、良好的耐水性、防潮性和阻氣性,機(jī)械強(qiáng)度較好,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,耐油脂,可以熱封制袋。PE、PP、PS、PVC、PVDC、NY、PET、EVA、PVA。3.分類:化學(xué)組成:擠出吹塑、擠出流延、壓延、溶
2025-05-15 03:37
【摘要】第十章薄膜化學(xué)汽相淀積(CVD)技術(shù).化學(xué)汽相淀積(CVD)原理.薄膜生長(zhǎng)的基本過(guò)程(與外延相似)外延是一特殊的薄膜生長(zhǎng)1)參加反應(yīng)的氣體混合物被輸運(yùn)到沉積區(qū)2)反應(yīng)物分子由主氣流擴(kuò)散到襯底表面3)反應(yīng)物分子吸附在襯底表面4)吸附物分子間或吸附分子與氣體分子間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成
2025-01-18 10:03
【摘要】第七章硅薄膜材料提綱硅材料最重要的形式是硅單晶,在微電子工業(yè)和太陽(yáng)能光伏工業(yè)已經(jīng)廣泛應(yīng)用,受單晶硅材料價(jià)
2025-05-04 22:24
【摘要】第十七章波動(dòng)光學(xué)17-3光程薄膜干涉一光程光在真空中的速度001???c光在介質(zhì)中的速度??1?uncu1???'?u???c真空中的波長(zhǎng)介質(zhì)的折射率)(π2cos1101?rTtEE??)'(π2cos2202?rTtEE??n???
2025-05-09 04:20