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batio鐵電薄膜ppt課件-文庫吧資料

2025-05-11 08:15本頁面
  

【正文】 積 (MOCVD)、磁控濺射 (Magron Sputtering)、反應(yīng)蒸發(fā) (Reactive Vaporation)、分子束外延 (MBE)和脈沖激光沉積 (PLD)等制備方法。 BTO中的缺陷: ,形成 n型半導(dǎo)體; Ti空位,形成 p型半導(dǎo)體。BaTiO3鐵電薄膜 導(dǎo)電行為以及電荷輸運性質(zhì) Outline 實驗背景 ? BTO的特性 ? BTO的載流子輸運機制 ? BTO中的摻雜和缺陷 實驗?zāi)康? ? 對 BTO的導(dǎo)電行為和電荷輸運機制作出合理解釋 ? 實現(xiàn)絕緣性 半導(dǎo)體性 金屬性的可控 實驗方法 ? 樣品制備方法 ? 樣品檢測方法 實驗背景 (BTO)的特性 T(K)
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