薄膜物理ppt課件(參考版)
2025-05-15 03:05本頁(yè)面
【正文】 PZT具 有非常優(yōu)秀的鐵電性能，被公認(rèn)為最有前途的鐵電材料之一， 具有高的居里溫度和剩余極化值 溶膠 凝膠法在鐵電薄膜 制備中的應(yīng)用 Pt PZT Ti SiO2 Si PZT作為鐵電存儲(chǔ)材料的原理 在鐵電薄膜的許多應(yīng)用中，鐵電存儲(chǔ)器尤其引人注目 鐵電存儲(chǔ)器具有非易失性、快速存取與抗輻射等特點(diǎn)， 使得它在計(jì)算機(jī)、航空航天、軍工國(guó)防領(lǐng)域呈現(xiàn)廣闊的 應(yīng)用前景，引起全世界科技界的極大關(guān)注 圖 17 美國(guó)軍用飛機(jī)中的非揮發(fā)存儲(chǔ)器 (1988) Fig. 17 NVRAM used in fighter planes of U. S. A. 鐵電薄膜存儲(chǔ)器主要優(yōu)點(diǎn)是其非揮發(fā)、快速存取、抗輻射、 低工作電壓、寬工作溫度和與大規(guī)模集成電路工藝兼容等 鐵電薄膜制備方法 濕化學(xué)法：包括溶膠－凝前法（ SolGel）、金屬有機(jī)物分解 法 (MOD)和水熱法； 物理氣相沉積法 (PVD)：粒子束濺射法、射頻或直流濺射法、 電子束蒸發(fā)法、激光脈沖沉積法及分 子束外延法 (MBE) 化學(xué)氣相沉積法 (CVD)：包括常規(guī) CVD法、金屬有機(jī)物氣相 沉積法 (MOCVD)、激光增強(qiáng) CVD法 和等離子增強(qiáng) CVD法 常用的方法有四種： 1. 激光脈沖沉積 (PLD) 2. 金屬有機(jī)物氣相沉積法 (MOCVD) 3. 濺射法 (Sputtering) 4. 溶膠－凝膠法 (SolGel) 表 14 鐵電薄膜制備技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀比較 比較項(xiàng)目 濺射法 PLD法 MOVCD法 SolGel法 發(fā)展?fàn)顩r + 0 0 降低退火溫度的潛力 + + + + 復(fù)雜化合物沉積 + + 對(duì)襯底材料的敏感性 0 0 0 0 快速沉積的潛力 0 + + 沉積優(yōu)質(zhì)膜的潛力 0 0 + 0 直接沉積外延膜潛力 + + + 0 工藝開(kāi)發(fā)要求 0 0 0 擴(kuò)大規(guī)模的難度和成本 0 + + 設(shè)備耗資 0 + 已生成的材料 BaTiO3, Bi4Ti3O12, PZT, PLZT, LiNbO3等 BaTiO3, Bi4Ti3O12, PZT, LiNbO3, K(Ta,Nb)O3等 BaTiO3, PZT, LiNbO3等 BaTiO3, Bi4Ti3O12, PLZT, LiNbO3, Pb(Mg,Nb)O3等 前景 0 0 + + 注： (+) 理想或很好； (0) 一般或可以接受； () 不佳或有待發(fā)展 原料 1 ?????? 原料 n 溶膠 溶膠膜 凝膠膜 非晶膜 晶態(tài)膜 有機(jī)溶劑 勻膠 干燥 熱處理 熱分解 重復(fù)鍍膜 圖 110 溶膠－凝膠法制備鐵電薄膜工藝流程圖 溶膠 凝膠法 Pb(CH3COO)2 CH3COOH Ti(isoOC3H7)4 CH3COOH C2H5OH C2H5OH Zr(OC3H7)4 CH3COOH C2H5OH C2H5OH H2O acac PZT precursor sol (OOCCH3)2 10mlCH3OCH2CH2OH CH3 CH3COCH2COCH3 (OC4H9)4 PZT溶膠 溶膠 凝膠法 溶膠 凝膠法 (OOCCH3)2 10mlCH3OCH2CH2OH CH3COCH2COCH3 (OC4H9)4 PZT溶膠 溶膠 凝膠法 Prepara
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1