襯底制備ppt課件(2)(參考版)
2025-05-06 06:28本頁(yè)面
【正文】 ? 缺點(diǎn)：平整度差 晶片加工 ③ 化學(xué)機(jī)械拋光 （ CMP， Chemical Mechanical Polishing:) ? 特點(diǎn)： 兼有機(jī)械與化學(xué)拋光兩者的優(yōu)點(diǎn) 。 ： KOH、 NaOH ? 特點(diǎn)： 1） 適于大直徑 （ 75mm） 。 ? 方法： 機(jī)械拋光 、 化學(xué)拋光 、 化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP,chemicalmechanical polishing） ① 機(jī)械拋光 :與磨片工藝原理相同 ， 磨料更細(xì) （ ） ， MgO、 SiO ZrO； 優(yōu)點(diǎn)： 表面平整；缺點(diǎn)：損傷層深 、 速度慢 。 ? 磨料： ① 要求：其硬度大于硅片硬度 。 ? 切片基本決定了晶片的晶向 、 平行度 、 翹度 ， 切片損耗占 1/3。 ? 晶體定向的方法 1） 光圖像定向法 （ 參考李乃平 ） ① 腐蝕： 要定向的晶面經(jīng)研磨 、 腐蝕 ， 晶面上出現(xiàn)許多由低指數(shù)小平面圍成 、 與晶面具有一定對(duì)應(yīng)關(guān)系的小腐蝕坑； ②光照： 利用這些小腐蝕坑的宏觀對(duì)稱性，正入射平行光反映出不同的圖像，從而確定晶面 。 硅錠整型處理 定位邊（參考面） 150mm或更小直徑 定位槽 200mm或更大直徑 單晶 Si制備 ? 截掉頭尾、 ? 直徑研磨和 ? 定位邊或定位槽。 直拉 (CZ)法生長(zhǎng) Si單晶示意 直拉 (CZ)法生長(zhǎng)的 Si單晶錠 Si單晶的制備 懸浮區(qū)熔法 ? 也稱 FZ法 ， floatzone ? 特點(diǎn)： ① 可重復(fù)生長(zhǎng) 、 提純單晶； ② 無(wú)需坩堝 、 石墨托 ， 污染 少 ， 純度較 CZ法高； ③ FZ單晶： 高純 、 高阻 、 低氧 、 低碳； ? 缺
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