《襯底制備》ppt課件 (2)-文庫吧
2025-04-18 06:28 本頁面
【正文】 純化器 反應(yīng)室， 300℃ HCl Si 硅粉 SiHCl3 (三氯氫硅 ， TGS) 純度 :%(9N) Si (固 ) + 3HCl(氣 ) －－ → SiHCl3(氣 )+H2(氣 ) (220~300℃ ) SiHCl3：沸點 ℃ Fe、 Al和 B被去除。 多晶硅提純 II H2 液態(tài) SiHCl3 TGS H2+SiHCl3 H2+SiHCl3→Si+3HCl 電子級硅 多晶硅 EGS 工藝腔 直拉法 （ CZ法 ） 1） 拉晶儀 ① 爐子 ? 石英坩堝：盛熔融硅液； ? 石墨基座：支撐和加熱 石英坩堝 ? 旋轉(zhuǎn)裝置：順時針轉(zhuǎn)； ? 加熱裝置： RF線圈； Si單晶的制備 柴可拉斯基拉晶儀 1）拉晶儀 ② 拉晶裝置 ? 籽晶夾持器：夾持籽晶 （ 單晶 ） ； ? 旋轉(zhuǎn)提拉裝置：逆時針； ③ 環(huán)境控制 ? 真空系統(tǒng)： ? 氣路系統(tǒng)：提供惰性氣體； ? 排氣系統(tǒng) ： ④電子控制及電源系統(tǒng) 2）拉晶過程 例 ， 3英吋硅單晶制備 ① 熔硅 ? 調(diào)節(jié)坩堝位置； （ 注意事項：熔硅時間不易長 ） ② 引晶 （ 下種 ） ? 籽晶預(yù)熱：目的 避免對熱場的擾動太大； 位置 熔硅上方； ? 與熔硅接觸：溫度太高 籽晶熔斷； 溫度太低 籽晶不熔或不生長； 合適溫度 籽晶與熔硅可長時間接觸 ， 既不會進一步融化 ， 也不會生長； 2）拉晶過程
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