《納米材料制備方法》ppt課件-文庫(kù)吧
2025-03-07 05:54 本頁(yè)面
【正文】 方法有 : 激光燒蝕法 ( Laser Ablation) 、熱蒸發(fā) ( Thermal Evaporation) 等 。 化學(xué)方法有 : 化學(xué)氣相沉積 ( Chemical Vapor Deposition, 簡(jiǎn)稱CVD) 、化學(xué)氣相輸運(yùn) ( Chemical Vapor Transport) 、金屬有機(jī)化合物氣相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, 簡(jiǎn)稱MOVPE) 等。 圖 2 ： 用噴涂成圖案的 Au 作催化劑制備出的單晶 ZnO納米棒陣列組成的納米激光器 ?最具有代表性的工作有楊培東 ( ) 小組的 Ge 納米線在 Au 催化作用下的VLS 機(jī)制生長(zhǎng)過(guò)程的原位觀察 ,以及用噴涂成圖案的 Au 作催化劑制備出的單晶 ZnO 納米棒陣列組成的納米激光器 ( 見(jiàn)圖 2) 。 ? 此外 , 一系列一維納米異質(zhì)結(jié)、超晶格納米線都是利用 VLS 機(jī)制生長(zhǎng)出來(lái)的。 Lieber 小組利用 VLS 機(jī)制生長(zhǎng)出了碳納米管與 Si 納米線的異質(zhì)結(jié) ( 圖 3( a) ) 。 楊培東小組還利用脈沖激光燒蝕 化學(xué)氣相沉積方 (PLACVD) , 將Si 和 Ge 兩個(gè)氣源獨(dú)立控制并交替輸入系統(tǒng) , 借助 VLS 機(jī)制成功地制備出了 SiSiGe 超晶格納米線 ( 圖 3( b) ) 。 瑞典大學(xué)的 Bjrk等人也用 Au作催化劑成功地利用 VLS機(jī)制生長(zhǎng)出了InAsInP 超晶格納米線 ( 圖 3( c) ) 。 圖 3 ： ( a) 碳納米管與 Si 納米線的異質(zhì)結(jié) 。 ( b) SiSiGe 超晶格納米線 。 ( c) InAsInP 超晶格納米線。 ?另外 , 值得一提的是 , 最近 , 在利用 VLS 機(jī)制生長(zhǎng)一維納米結(jié)構(gòu)的研究中 , 一些低熔點(diǎn)金屬作催化劑倍受關(guān)注 , 如 Sn 、In 、 Ga 等。 VS 機(jī)制 ?研究表明 , 許多一維材料不使用催化劑也可生長(zhǎng)出來(lái) , 即直接通過(guò)氣 固 ( VS) 機(jī)制生長(zhǎng)出一維材料。在 VS 過(guò)程中 , 可以通過(guò)熱蒸發(fā)、化學(xué)還原或氣相反應(yīng)等方法產(chǎn)生氣相 , 隨后該氣相被傳輸?shù)降蜏貐^(qū)并沉積在基底上。其生長(zhǎng)方式通常是以液固界面上微觀缺陷 ( 位錯(cuò)、孿晶等 ) 為形核中心生長(zhǎng)出一維材料。 ?研究發(fā)現(xiàn) , 在 VS 生長(zhǎng)機(jī)制中 , 氣相的過(guò)飽和度決定著晶體生長(zhǎng)的主要形貌。低的過(guò)飽和度對(duì)應(yīng)晶須的生長(zhǎng) , 而中等的過(guò)飽和度對(duì)應(yīng)塊狀晶體的形成 , 在很高的過(guò)飽和度下則通過(guò)均勻形核生成粉末?，F(xiàn)在 , 用 VS 機(jī)制來(lái)生長(zhǎng)納米線、納米管及納米帶等已是非常普遍的方法。
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