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2025-03-26 12:40
【摘要】集成電路設計上機實驗報告班級:13020188姓名:樊雪偉學號:130201880222016年4月21日目錄……………………………………..3(1)D觸發(fā)器設計……………………
【摘要】哈爾濱理工大學數(shù)字集成電路設計實驗報告學院:應用科學學院專業(yè)班級:電科12-1班學號:1207010132姓名:周龍指導教師:劉倩2015年5月20日實驗一、反相器
2025-07-24 11:17
【摘要】?2022/8/20東?南?大?學射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設計基礎王志功東南大學無線電系2022年東?南?大?學射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2025-08-04 14:45
【摘要】模擬CMOS集成電路報告1北京郵電大學電子工程學院模擬CMOS集成電路課程實驗報告姓名:何佳羲指導老師:韓可學院:
2025-02-08 06:07
【摘要】北京郵電大學電子工程學院模擬CMOS集成電路課程實驗報告姓名:楊珊指導老師:韓可學院:電子工程班級:2013211204
2024-09-17 11:31
【摘要】2022/2/61《集成電路設計概述》2022/2/62目的?認識集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設計工藝?熟悉集成電路設計工具?培養(yǎng)集成電路設計興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-12 14:11
【摘要】CMOS集成電路設計基礎-數(shù)字集成電路基礎對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應偏離設計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-12 01:07
2025-07-18 18:10
【摘要】CMOS集成電路設計基礎-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個重摻雜N區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-15 16:50
【摘要】集成電路設計基礎莫冰華僑大學電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-10 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導體基礎知識PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應用到的材料分類
【摘要】華?僑?大?學?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實?驗?室?IC設計基礎EDAC華僑大學電子工程電系2022年華?僑?大?學?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實?驗?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-01-11 15:42
【摘要】《集成電路設計基礎》山東大學信息學院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設
2025-01-20 09:42
【摘要】集成電路設計基礎莫冰華僑大學電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第五章MOS場效應管的特性MOS場效應管MOS管的閾值電壓體效應MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應MOS場效應管
2025-01-10 01:55