信息與通信]蛋白質(zhì)層析技術(shù)(參考版)
2025-01-22 03:32本頁面
【正文】 特殊高選擇性介質(zhì) ?如 thiophilic adsorption chromatography：采用含硫和吡啶的配基； ?主要問題：疏水性可能太強，不易保證活性回收。 金屬螯合柱層析 ? 依賴 IgG上的 His Cluster，效果很好； ? 是條件最溫和的吸附層析，最有利于活性保持； ? 要防止金屬離子的泄漏。但最好先去除 樣。運用陽離子交換時，可采用低 pH殺病毒。 分子排阻層析 ?分離選擇性有限，通常限于 IgM類。 ? Ethacridine沉淀雜蛋白，對高 pI的單抗效果更好。 沉淀法的應用 ? 鹽析 :(NH4)2SO4,K2HPO4,Na2SO4,citrate. ? 正辛酸（ octanoic acid）沉淀雜蛋白，對高 pI的單抗效果更好。 ? 溶解性：如低離子強度下的低溶解度 (Euglobulin)：IgM類。 ? 抗體的電性：以 pI為弱堿為多。 含血清培養(yǎng)基 無血清培養(yǎng)基 ? 下游：單克隆抗體純化平臺已實現(xiàn) — 無論單抗是否產(chǎn)生于含血清的培養(yǎng)基，都可在兩步層析后得到足夠純度和活性回收，但效益不同。 單克隆抗體的純化（綱要） 姜韜 ?單克隆抗體的生產(chǎn)是最大的生物工程行業(yè)，也是制備規(guī)模的層析技術(shù)最大的使用行業(yè)。 Sizeexclusion ?Sample format: desolved 50%(NH4)2SO4 precipitate ?Purification factor: 0 20 40 60 80 100 120 2Vol um e( m l )OD280nm(AUFS) UV20406080100h p a g 4 o n Su p e rd e x 2 0 0 Con.(mS/cm) Condu c ti v i tyAnion exchange ?Sample format: ultrfiltration concentrated and desulted target fraction ?Purification factor: 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 340 . 00 . 10 . 20 . 30 . 4hpag4 on resourceQVol um e( m l )OD280nm(AUFS) U V020406080100Con.(mS/cm) C o n d u c t i v i t y從陽離子交換入手 ── 凝膠過濾，疏水 Cation Exchange ?Sample format: 的 olved and desulted 50%(NH4)2SO4 precipitate ?Purification factor: 13 5 0 0 50 100 150 200 250 300 350 4000 . 00 . 51 . 01 . 52 . 0T IM P on M acroPrepHighSV ol ume(m l )OD280nm(AUFS) U V020406080Con.(mS/cm) C o n d u c t i v i t ySize Exclusion ?Purification factor: 0 20 40 60 80 1000 . 00 . 10 . 20 . 30 . 40 . 50 . 6T IM P and HW on Supe rde x 200Vo l um e( m l )OD280nm(AUFS) U V20406080100120140Con.(mS/cm) C o n d u c t i v i t y ?Purification factor: 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 260 . 0 00 . 0 20 . 0 40 . 0 60 . 0 80 . 1 0T I M P on M on oQV ol ume(m l )OD280nm(AUFS) UV01020304050Con.(mS/cm) Co n d u c t i v i t yPolishing 0 10 20 30 400 . 0 00 . 0 10 . 0 20 . 0 30 . 0 40 . 0 50 . 0 6HM on souce15 I SOVo l um e( m l )OD280nm(AUFS) U V050100150200250Con.(mS/cm) C o n d u c t i v i t y 2 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160Vo l um e( m l )OD280nm U V050100150200Siz e exc lus ion fo r F ABPConductivity(mS/cm) C o n d u c t i v i t yFABP 0 100 200 300 400 500 600Vo l um e( m l )OD280nm U V050100150200250HIC for FABPConductivity(mS/cm) C o n d u c t i v i t y1 0 0 10 20 30 40 50 60 70 800 . 10 . 00 . 10 . 20 . 30 . 4Ionexc hange for F ABPVo l um e( m l )OD280nm U V020406080100Con.(mS/cm) C o n d u c t i v i t yAffinity chromatography may be not necessary GST forms multipeaks ?Sample format: desulted target fraction of former step 0 10 20 30 40 500 . 00 . 10 . 20 . 3Vo l um e( m l )OD280nm(
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