液晶材料與技術(shù)(12)——lcd工藝技術(shù)討論—陣列(參考版)
2025-01-22 01:27本頁面
【正文】 ? 請大家回憶一下都有哪些內(nèi)容。 液晶材料與技術(shù) 83 退火 退火 是將 TFT基板加熱到大約 300 ℃ ，此工藝可以 使TFT特性穩(wěn)定，同時，可以提高金屬和ITO薄膜的電導率 。 ? 各處理槽之間的氣壓關系為 : ? 剝離槽 1和剝離槽 2的氣壓基本相等，在整個裝置中這個位置的氣壓最低， DMSO槽 DMSO槽 2和水洗槽 1， 水洗槽 2的氣壓相同，比剝離槽高，比凈化間氣壓低。 ? 另外一個 防止金屬電極被腐蝕 。 ? 像素電極光刻膠剝離以后 TFT的制作工藝進入最后一個環(huán)節(jié)就是退火處理。 ? 濕法剝離 ：是用有機溶劑或堿性水溶液與光刻膠聚合物發(fā)生絡合反應使之溶解去除； ? 干法灰化 分為 等離子體灰化和臭氧灰化 ，等離子體灰化是利用氧的活性基等，是高分子光刻膠聚合物發(fā)生氧化分解，變成低的相對分子質(zhì)量的易揮發(fā)物而被去除，臭氧灰化是利用臭氧的灰化過程。 ? 光刻膠剝離對三極管特性、像素特性以及成品率等都有很大影響。以光刻膠作為掩膜，通過濕法刻蝕或者干法刻蝕，在膜層上得到所需要的圖案。 液晶材料與技術(shù) 73 ? 不同的干刻對象需要采用不同的干刻設備和干刻材料。 液晶材料與技術(shù) 72 干刻設備 ? 干法刻蝕系統(tǒng)主要由主控制臺，工藝室，電源，工作氣體供應系統(tǒng)，環(huán)保廢氣處置系統(tǒng)，真空系統(tǒng)等組成。 液晶材料與技術(shù) 71 ? 整個過程中有諸多的參數(shù)影響刻蝕工藝，其中最重要的是 :壓力、氣體比率、氣體流速、射頻功率 。 ? (5 )刻性反應副產(chǎn)物在離子轟擊下脫離基板表面。 ? (3)刻蝕物質(zhì)吸附在基板表面上。射頻電源施加在一個充滿刻蝕氣體的反應腔上，通過等離子體輝光放電產(chǎn)生電子、離子、活性反應基團。 ? 為了增加刻蝕速率也可以 通入氬氣 (Ar) ，因為氬原子的質(zhì)量較大，當獲得能量時就會有較大的沖量產(chǎn)生，進而將材料表面的原子鍵打斷，因此增強了物理轟擊的作用。 ? 在 接觸孔 刻蝕中，不同部位的刻蝕量差異大，需要采用刻蝕速率快的 傳導藕合等離子體刻蝕 方式，采用 六氟化碳、氦氣和氧氣 (灰化用 )作為工藝氣體。 ? 光刻膠 的刻蝕 （和硅島刻蝕） 采用的氣體是 氧氣和氨氣。 液晶材料與技術(shù) 67 ? 刻蝕氣體的選擇 ? 干刻工藝針對不同的膜，選擇的刻蝕氣體是不同的。 ? (3)形成的化學生成物必須能夠從材料表面被釋出。 液晶材料與技術(shù) 66 ? 對于活性離子刻蝕中所使用的氣體有幾點要求： ? (1)氣體必須能被刻蝕材料表面所吸附，以形成化學鍵。 ? （ 3）達到高真空后，通入刻蝕氣體。 液晶材料與技術(shù) 65 ? 基本步驟： ? （ 1）將待刻蝕材料置于真空腔的電極板正中央，經(jīng)由機械泵粗抽真空室到 1020mtorr的真空度。 ? 這種 化學和物理反應的相互促進 ，使得反應離子刻蝕具有上述兩種干法刻蝕所沒有的優(yōu)越性 :良好的形貌控制能力 (各向異性 )、 較高的選擇比、可以接受的刻蝕速率。 64 ? 反應離子刻蝕 是上述兩種刻蝕方法相結(jié)合的產(chǎn)物，它是利用有 化學反應性氣體 產(chǎn)生具有化學活性的基團和離子。 ? 傳導耦合性等離子體刻蝕 的優(yōu)勢在于 刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過 對反應氣體的選擇，達到針對光刻股和襯底的高選擇比。這是一種“ 通用 ”的刻蝕方式，可以在任何材料上形成圖形。 液晶材料與技術(shù) 62 ? 干刻的方式有 ? 等離子刻蝕 (plasma etching， PE)， ? 反應性離子刻蝕 (reactive ion etching， RIE) ? 傳導耦合等離子刻蝕 (inductive couple plasma etching， ICP）等 液晶材料與技術(shù) 63 TFTLCD設計及制作 ? 等離子刻蝕是利用高能量惰性氣體離子轟擊被刻蝕物體的表面，達到濺射刻蝕的作用。 液晶材料與技術(shù) 61 干法刻蝕 ? 利用等離子體或微波等使反應氣體激發(fā)分解，生成離子及活性基，利用這些離子及活性基照射玻璃基板并與被刻蝕層發(fā)生反應，實現(xiàn)刻蝕，完成圖形化的過程。 液晶材料與技術(shù) 59 ? 像素電極刻蝕殘余 ? 若刻蝕量不足，且存在 ITO膜的結(jié)晶不均勻時，易產(chǎn)生刻蝕殘余，導致點缺陷和短路，還會造成端子部的短路。 ? 另外，漏源電極被刻蝕的量太大，使得圖形的最小線寬變大，限制了設計的自由度，因此漏極電極被刻蝕的量應該控制在一定的范圍內(nèi)。 ? 如果 W/L變小，則電流 Ion變小，而開態(tài)電流過小也會導致驅(qū)動電流不足，造成顯示不良。 液晶材料與技術(shù) 57 ? 溝道寬長比與開口率有關，與 TFT的工作電流有關。 ? 線寬控制 ： 源漏電極被刻蝕的量大，則溝道的寬長比 W/L越小 。 圖 (c)所示柵極線刻蝕量太小，源極與柵極重復太多，極聞電容過大。 ? 如果基板上各處的邊刻蝕量有很大差別，導致基板各處的柵源電極間電容 Cgs(柵極電極與源極電極間電容量 )容量大小不一，則會造成 產(chǎn)品顯示不良，產(chǎn)生閃爍等現(xiàn)象。若一旦出現(xiàn)逆梯形， 則在后面成膜時在梯形處容易發(fā)生斷裂其中最可能發(fā)生的是
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