液晶材料與技術(shù)(12)——lcd工藝技術(shù)討論—陣列-wenkub
2023-02-03 01:27:09 本頁面
【正文】 速度和時間，可以控制光刻膠膜厚與均一性。 ? 這種狹縫涂布法不能兼用與甩膠旋涂，適用與大型玻璃基板的光刻膠涂布。 液晶材料與技術(shù) 13 液晶材料與技術(shù) 14 液晶材料與技術(shù) 15 ? 作為改善對策，一般采用旋轉(zhuǎn)筒型旋涂法。 ? （ 2） 狹縫涂布（ slitcoating) ? （ 3） 利用毛細管現(xiàn)象（ CAP）的涂布 ? 對于 TFTLCD用光刻膠的涂布來說，為保證涂布膜厚的均勻性，主要采用甩膠涂布和狹縫涂布。大多數(shù)光刻膠是無定向的聚合體。 ? 負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙?，而曝光的區(qū)域被保留。 ? 通過對光刻膠的曝光、顯影等過程，把掩模板上的微細圖形轉(zhuǎn)移至待加工的襯底上，然后進行刻蝕加工，形成器件所需的圖形。涂敷后，在曝光之前需要將勻膠完的基板進行預烘干，使光刻膠具有一定的硬 度。 ? 隨著玻璃基板的增大，對曝光技術(shù)不斷提出技術(shù)挑戰(zhàn)，改進提高曝光技術(shù)是 TFT技術(shù)進步的重大課題。 液晶材料與技術(shù) 3 ? 曝光是精密地將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)寫到光刻膠上的光化學反應 。 ? 過程涉及的主要對象 有鍍膜的基板、清洗設(shè)備、光刻膠、涂膠機、掩膜板、曝光機、顯影液及顯影設(shè)備、堅膜設(shè)備 等多個方面。 液晶材料與技術(shù) 4 ? 光刻膠形成圖形后，根據(jù)圖形對下面的膜層進行相應刻蝕，形成滿足器件光電特性要求的膜層圖形。 ? 使用帶有圖形的掩模板 (Mask)對基板進行曝光，掩模板上沒有圖形的部分可以透光，使光刻膠相應部分受到光照射。 液晶材料與技術(shù) 7 ? 根據(jù)光刻膠的極性可將光刻膠分為 正性光刻膠和 負性光刻膠 。 ? 正性光刻膠的分辨力比較好，在 TFT陣列制造中一般選擇正性光刻膠。當溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)換溫度，聚合體中相當多的鏈條片以分子運動形式出現(xiàn)，因此聚合體呈黏性流動 。 液晶材料與技術(shù) 11 ? （ 1）甩膠（旋涂）涂布法 ? 固定筒型旋涂法、旋轉(zhuǎn)筒型涂布法。 ? 旋涂設(shè)備增設(shè)一個與基板同時旋轉(zhuǎn)的旋涂內(nèi)筒，并由內(nèi)筒蓋封閉。 液晶材料與技術(shù) 17 18 ? （ 3）利用毛細管現(xiàn)象涂布法 ? CAP涂布：利用噴嘴細管的毛細管現(xiàn)象，在涂布時使位于光刻膠槽中的噴嘴上升，是光刻膠經(jīng)過毛細管噴嘴涂布與玻璃基板上。 液晶材料與技術(shù) 21 ? 圖 液晶材料與技術(shù) 22 ? 除水干燥 ： ? 基板洗凈經(jīng)風刀干燥后，表面仍有水分存在，為防止光刻膠涂敷前水分附著帶來的影響，首先進行干燥處理，然后根據(jù)表面膜層的要求有選擇地進行黏著強化劑涂敷，以增加光刻膠與基板的密著性。 ? 掩膜板和玻璃基板之間設(shè)有微細間隙 （ proximity gap) 液晶材料與技術(shù) 25 26 ? 接近式曝光由于是一次曝光，生產(chǎn)效率高，裝置比較簡單、價格便宜。 ? 由光源發(fā)出的光照射掩膜板，通過掩膜板的光在一對凹面鏡和凸面鏡，以及臺形發(fā)射鏡的聯(lián)合反射作用下，最終將掩膜圖形轉(zhuǎn)寫在玻璃基板上。 ? 由于使用的是小型掩膜板，因此掩膜板的價格相對來說比較便宜。隨著分辨率的提升，鏡面投影曝光機使用開始普及。 液晶材料與技術(shù) 36 液晶材料與技術(shù) 37 ? TFTLCD生產(chǎn)線投資中大約 55%的投入是設(shè)備；其次是土木工程，大約占 20%，因為是無塵室，所以占的比例比較高；再其次是土地成本，大約占 10%。 陣列段的曝光機全球只有佳能和尼康能制造，一條月產(chǎn)能 6萬片的 8代線，陣列段曝光機總售價高達數(shù)億美元 。一種是與光刻膠配套的專用顯影液，另一種是一定濃度的堿液氫氧化鉀或氫氧化鈉 (KOH或 NaOH)。 ? 而且，藥液循環(huán)使用同樣會出現(xiàn)劣化，從而造成顯影圖形線條不合格，需要定期檢查。 液晶材料與技術(shù) 43 ? 因顯影時膠膜會發(fā)生軟化、膨脹而影響膠膜的抗蝕能力，在顯影后必須用適當?shù)臏囟群姹翰ＡЩ逡猿ニ郑鰪娔z膜與玻璃的黏附性以保證刻蝕的精 度。 ? 但是基本上都是利用 強酸 ，如磷酸 (H3PO4) ，硝酸 (HNO3) ，鹽酸 (HCl) ，冰醋酸 (CH3COOH)等 及其混合物對金屬的溶解和氧化還原過程，實現(xiàn)金屬膜的圖形化。通過浸潤可加快這一過程，使藥液移送的速度加快。 液晶材料與技術(shù) 48 濕刻方式 ? 濕刻的刻蝕方式主要有 3種 :噴淋方式、浸潤方式和浸泡方式 。 ? 若對刻蝕形狀要求高，應選擇刻蝕速率較低的方式 (浸潤和浸泡 )。而在低速刻蝕時，如圖 8. 3(b)所示，藥液在光 刻膠和對象膜層之間的浸入量較多。 ? 如果基板上各處的邊刻蝕量有很大差別，導致基板各處的柵源電極間電容 Cgs(柵極電極與源極電極間電容量 )容量大小不一，則會造成 產(chǎn)品顯示不良，產(chǎn)生閃爍等現(xiàn)象。 ? 線寬控制 ： 源漏電極被刻蝕的量大，則溝道的寬長比 W/L越小 。 ? 如果 W/L變小，則電流 Ion變小，而開態(tài)電流過小也會導致驅(qū)動電流不足，造成顯示不良。 液晶材料與技術(shù) 59 ? 像素電極刻蝕殘余 ? 若刻蝕量不足，且存在 ITO膜的結(jié)晶不均勻時，易產(chǎn)生刻蝕殘余，導致點缺陷和短路，還會造成端子部的
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