液晶材料與技術(12)——lcd工藝技術討論—陣列-資料下載頁
2025-01-19 01:27本頁面
【正文】 以及二氧化硅 (SiO2)絕緣膜中的硅原子 ( Si )反應速率相當快，會形成四氟化硅（ SiF4 )的揮發(fā)生成物，是良好的刻蝕氣體。 ? 為了增加刻蝕速率也可以 通入氬氣 (Ar) ，因為氬原子的質量較大，當獲得能量時就會有較大的沖量產(chǎn)生，進而將材料表面的原子鍵打斷，因此增強了物理轟擊的作用。 液晶材料與技術 70 ? 刻蝕步驟 ? 刻蝕的具體過程可描述為如下 6個步驟 : ? (1)刻蝕物質的產(chǎn)生。射頻電源施加在一個充滿刻蝕氣體的反應腔上，通過等離子體輝光放電產(chǎn)生電子、離子、活性反應基團。 ? (2)刻蝕物質向基板表面擴散。 ? (3)刻蝕物質吸附在基板表面上。 ? (4)在離子轟擊下刻蝕物質和基板表面被刻蝕材料發(fā)生反應。 ? (5 )刻性反應副產(chǎn)物在離子轟擊下脫離基板表面。 ? (6 )揮發(fā)性刻蝕副產(chǎn)物和其他未參加反應的物質被真空泵抽出反應腔。 液晶材料與技術 71 ? 整個過程中有諸多的參數(shù)影響刻蝕工藝，其中最重要的是 :壓力、氣體比率、氣體流速、射頻功率 。 ? 另外 基板的位置和刻蝕設備的結構 也是刻蝕工藝的重要條件。 液晶材料與技術 72 干刻設備 ? 干法刻蝕系統(tǒng)主要由主控制臺，工藝室，電源，工作氣體供應系統(tǒng)，環(huán)保廢氣處置系統(tǒng)，真空系統(tǒng)等組成。根據(jù)不同的刻蝕要求，系統(tǒng)可以做必要的局部調整。 液晶材料與技術 73 ? 不同的干刻對象需要采用不同的干刻設備和干刻材料。 液晶材料與技術 74 濕法刻蝕與干法刻蝕的比較 濕法 干法 加工可控性 側向刻蝕大 （各向同性刻蝕） 斜度控制容易 （各向異性刻蝕） 均勻性 大型基板不太容易實現(xiàn)均勻性 良 選擇性 可以做到很大 比較小 顆粒的影響 比較小 比較大 工藝過程對組件的損傷 小 大（等離子體損傷） 吞吐量（生產(chǎn)效率） 刻蝕速率大 刻蝕速率小，單片出來 多層膜連續(xù)處理 困難 通過玻璃基板交換來實現(xiàn) 裝置價格 比較便宜 較為昂貴（真空裝置） 75 光刻膠剝離與退火 ? 在 TFT工藝中，通過濺射射或者 CVD在陣列基板成膜。以光刻膠作為掩膜，通過濕法刻蝕或者干法刻蝕，在膜層上得到所需要的圖案。然后去除作為掩膜的光刻膠，這個過程叫作 剝離 。 ? 光刻膠剝離對三極管特性、像素特性以及成品率等都有很大影響。 液晶材料與技術 76 ? 為剝離作為高分子材料的光刻膠，一般采用 濕法剝離和干法灰化 兩種方式。 ? 濕法剝離 ：是用有機溶劑或堿性水溶液與光刻膠聚合物發(fā)生絡合反應使之溶解去除； ? 干法灰化 分為 等離子體灰化和臭氧灰化 ，等離子體灰化是利用氧的活性基等，是高分子光刻膠聚合物發(fā)生氧化分解，變成低的相對分子質量的易揮發(fā)物而被去除，臭氧灰化是利用臭氧的灰化過程。 液晶材料與技術 77 TFTLCD設計及制作 光刻膠濕法剝離與干法灰化的比較 濕法剝離 等離子灰化 臭氧灰化 剝離能力 對于變質的光刻膠較差 很強 很強 均勻性 不太好 良好 良好 再現(xiàn)性 藥液劣化后較難 良好 良好 損傷 幾乎無 有可能發(fā)生損傷，但向下流動式不發(fā)生 幾乎無 吞吐量 良好 低 良好 設備價格 便宜 貴 便宜 占地面積 大 小 小 輔助用料量 多 少 少 剝離介質的保存情況 需要更好剝離液 良好 良好 78 TFTLCD設計及制作 ? 在 4次光刻的工藝中，柵極、漏極 /硅島、接觸孔、像素電極光刻后都要做光刻膠的剝離處理。 ? 像素電極光刻膠剝離以后 TFT的制作工藝進入最后一個環(huán)節(jié)就是退火處理。 79 TFTLCD設計及制作 工藝要求 ? 剝離的工藝要求主要有兩個 : ? 一個是 剝離性 ，要求剝離后沒有光刻膠殘留 。 ? 另外一個 防止金屬電極被腐蝕 。 80 液晶材料與技術 81 液晶材料與技術 82 ? 為了防止剝離液蒸氣進入凈化間，剝離裝置內部設計為負壓。 ? 各處理槽之間的氣壓關系為 : ? 剝離槽 1和剝離槽 2的氣壓基本相等，在整個裝置中這個位置的氣壓最低， DMSO槽 DMSO槽 2和水洗槽 1， 水洗槽 2的氣壓相同，比剝離槽高，比凈化間氣壓低。 ? 現(xiàn)在有些生產(chǎn)線開始采用 Uturn系統(tǒng)的剝離設備，如圖 ，這個系統(tǒng)沒有基板反轉部，人口和出口共用一個機器手，更加簡潔。 液晶材料與技術 83 退火 退火 是將 TFT基板加熱到大約 300 ℃ ，此工藝可以 使TFT特性穩(wěn)定，同時，可以提高金屬和ITO薄膜的電導率 。 液晶材料與技術 84 ? Array 部分的工序已講完。 ? 請大家回憶一下都有哪些內容。 液晶材料與技術 85 ? 清洗工藝 ? 濺射成膜 ? CVD成膜 ? 曝光與顯影工藝 ? 濕刻工藝 ? 干刻工藝 ? 光刻膠剝離及退火 液晶材料與技術
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