【正文】 119 120 121 122 123 液晶材料與技術(shù) 124 。 ? 在溫度上升時(shí)，液晶材料發(fā)生從液晶相向液體相得相變，再取向發(fā)生在比此相變溫度略高的溫度下。 ? 為此，目前推廣采用被稱為“ 滴下式注入法（ one drop filling, ODF）” 的新的液晶注入方式。但是利用真空注入方式進(jìn)行液晶材料的注入，既費(fèi)時(shí)又費(fèi)力，僅注入時(shí)間就要花費(fèi) 1天以上。利用注入的方式。利用真空差壓與毛細(xì)力上升方式。利用真空差壓與毛細(xì)力上升方式。利用真空差壓與毛細(xì)力上升方式。 ?通過真空差壓的原理， LC經(jīng)過一段時(shí)間后充滿 PANEL。 ? 第三代激光切割法切割厚度為 mm的玻璃LCD面板時(shí)，完全切割的速度可增加到 400 mm/s 111 液晶材料與技術(shù) LC Injection(1) ?將容器抽真空 ?將裝有 LC的容器上升與 PANEL的注入端接觸，此時(shí)LC通過毛細(xì)現(xiàn)象上升。 ? 切割速度可被第一束激光的速度控制。第二束激光沿第一束激光的掃描刻線路徑掃描以快速加熱刻線，使刻線表面上形成了直裂縫，并擴(kuò)大到玻璃母板襯底的底層以完全分離玻璃母板襯底。 ? 僅使用一束刻劃激光和一束分離激光完成玻璃分割，無需使用制冷介質(zhì)。需要在完成切割操作后除去剩余的冷氣液體。 ? 需要先用機(jī)械法在激光切割的起點(diǎn)劃出微小的起始裂痕，增加了工藝的復(fù)雜程度； ? 需要淬火冷水或冷氣噴到玻璃受熱區(qū)域進(jìn)行快速淬火。 108 液晶材料與技術(shù) 第二代激光切割法的缺點(diǎn)： ? 切割復(fù)雜圖形，成品率低。 ? 無需通常的邊緣磨削加工過程，邊緣質(zhì)量在尺寸上非常精確而且完全釋放應(yīng)力； ? 不會(huì)產(chǎn)生像接觸型切割法所形成的垂直于切割面的直裂紋； ? 激光切割的邊緣強(qiáng)度非常高，這時(shí)由于加熱、淬火過程中的自然回火效應(yīng)引起的邊緣強(qiáng)化。 ? 選擇不同的激光功率、光點(diǎn)掃描速度等加工參數(shù)，應(yīng)力引致的斷裂深度可達(dá) 100μm 到數(shù)毫米。 105 液晶材料與技術(shù) ? 該激光切割中另一個(gè)關(guān)鍵部件是 淬火氣（水）嘴 ，隨著激光光點(diǎn)的移動(dòng)，淬火氣（水）嘴將冷空氣（水）吹到玻璃表面，對(duì)受熱區(qū)域進(jìn)行快速淬火，玻璃將沿著應(yīng)力最大的方向產(chǎn)生斷裂，從而將玻璃沿著設(shè)定的方向分離。玻璃強(qiáng)烈吸收10600nm 的激光，幾乎所有的激光能量都被玻璃表面15um吸收層所吸收，相對(duì)玻璃表面移動(dòng)激光光點(diǎn)形成所需的切割線?；逶硎抢眉す庖碌膽?yīng)力使玻璃“分離”，可以稱其為 第二代激光切割法 。 ? 加工中的另外一個(gè)問題是切割區(qū)域附近可能因剩余的熱應(yīng)力出現(xiàn)裂縫。 103 液晶材料與技術(shù) 激光融化切割方法 ? 玻璃的傳統(tǒng)激光切割方法是使用高功率 CO2激光，玻璃材料吸收激光束而被熱能熔化完成切割。 ? 在機(jī)械切割中，用砂輪或機(jī)械論在玻璃上進(jìn)行刻劃，產(chǎn)生沿著切割方向的切向張力，從而使玻璃沿著劃痕裂開。 breaking system） ? 液晶注入、密封工程（ filling system） ? 洗凈、倒角工程 ? 偏光片貼附工程（ polarizer sticking system） ? 檢查工程 100 液晶材料與技術(shù) 1ST CUTTING 2ND CUTTING Cutting Method 101 液晶材料與技術(shù) Cutting Process 1 6 5 4 3 2 102 液晶材料與技術(shù) ? 傳統(tǒng)玻璃制品的切割方式是使用金剛石砂輪和高硬度金屬輪的機(jī)械加工方法。 97 液晶材料與技術(shù) ? 在封接材料形成之后，還要實(shí)現(xiàn)陣列基板和 CF基板上公用電極的 電氣連接 ，一般是利用分配器描畫方式將導(dǎo)電膠涂布在所需要的位置。 ? 隔離子決定液晶屏的厚度，而此厚度是決定顯示性能中的響應(yīng)時(shí)間及對(duì)比度的重要參數(shù)。 96 液晶材料與技術(shù) ? 在完成取向膜形成及取向處理之后，需要將兩塊玻璃基板在保持一定間隙的條件下對(duì)位貼合。復(fù)雜的交換網(wǎng)絡(luò)可能需要制造多層的多層 LB膜芯片 95 液晶材料與技術(shù) ? 還有采用光刻技術(shù)，在某些光敏性聚合物表面形成排列規(guī)整的密紋結(jié)構(gòu)，液晶分子沿這些密紋結(jié)構(gòu)取向。這種膜展現(xiàn)出多種電化學(xué)和光化學(xué)性能。幾年以后Blodgett拓展了 Langmuir的研究，他的研究包括多層膜在固態(tài)晶格上的沉積。 ? 術(shù)語 LangmuirBlodgett來自于研究科學(xué)家和他的助手， Irving Langmuir和 Katherine Blodgett，他們于二十世紀(jì)初發(fā)現(xiàn)了這種薄膜的獨(dú)有的特性。 94 液晶材料與技術(shù) ? LangmuirBlodgett膜是一套單層，或是許多層組織一個(gè)分子厚的層，沉淀在固態(tài)晶格 。 ? 1986年， kakimoto等人利用預(yù)聚物方法第一次制得聚酰亞胺 LB膜。 93 液晶材料與技術(shù) （ 2）使用 LB（ langmuirblodget）膜技術(shù)使液晶分子取向。 92 液晶材料與技術(shù) ? David等人發(fā)現(xiàn)，通過使用 線性偏振紫外光 （波長(zhǎng)為254nm）對(duì) PI表面進(jìn)行輻射后，液晶分子產(chǎn)生與摩擦法同樣的取向。液晶分子的取向排列也隨之消失，因此使用意義不大。 ? 液晶分子的預(yù)傾角可通過輻射劑量和方向來控制。 ? 這種方法是 Schadt及其合作者于 1992年首先提出的。 ? （ 2）使用 LB（ langmuirblodget）膜技術(shù)使液晶分子取向。 89 液晶材料與技術(shù) 非摩擦法液晶分子取向技術(shù) ? 針對(duì)摩擦法存在的局限性，人們開始對(duì)非摩擦技術(shù)進(jìn)行深入研究。 ? 3. 現(xiàn)在的摩擦法只對(duì)平面表面起作用 ,對(duì)于形狀不規(guī)則的基板 ,通過摩擦取向就很困難。另外還有少數(shù)絨毛即使通過清洗工序也很難徹底清除 ,影響 LCD 的顯示效果 ,甚至出現(xiàn)次品。摩擦過程中容易產(chǎn)生靜電 ,這會(huì)造成薄膜晶體管的擊穿 。 ? 取向效果的好壞對(duì)于液晶顯示器的均一性、視角、色差、響應(yīng)速度、閾值電壓等基本性能都有重要影響。這一發(fā)現(xiàn)對(duì)于液晶顯示技術(shù)的發(fā)展起到了重要的作用 ,至今為止仍然是各類液晶顯示器制造過程中使用最廣泛的取向技術(shù)。 AKT在 CVD設(shè)備的生產(chǎn)中使用了相當(dāng)于波音公司在飛機(jī)制造中使用的鋁材料用量的約 20%。加工艙使用的鋁材料的采購目益困難， 僅美國應(yīng)用材料 (applied komatsu technology， AKT)公司 2022年大約采用了 3100萬噸鋁材料，相當(dāng)于 47架被音 747飛機(jī)的鋁材料用量。隨著加工設(shè)備的體積日益龐大， CVD設(shè)備的生產(chǎn)將會(huì)越來越困難 。 81 ? 但是，對(duì)于第 7代生產(chǎn)線以后的大型化，即使解決了均勻性問題，仍存在其他諸多問題。 ? 第 8代生產(chǎn)線的設(shè)置與第七代線的設(shè)置相比，提高了發(fā)生等離子的 2個(gè)電極的平行度，進(jìn)一步提高了等離子密度的均勻性， 解決了第 7代生產(chǎn)線和第 8代生產(chǎn)線大型基板中間與四周堆相膜厚的不穩(wěn)定性。 ? 一條月產(chǎn)能為 3萬枚的液晶面板生產(chǎn)線，需要導(dǎo)入 5~6臺(tái) CVD設(shè)備。設(shè)備可配備裝載單元 (load lock chamber)和最多 5臺(tái)的處理艙。 ? 支持第 8代的等離子 CVD裝置 77 78 79 ? 2022年，美國應(yīng)用材料公司旗下的日本 AKT公司開發(fā)出了面向第 8代 (基板尺寸為 2150 mm X 2 450 mm)TFT液晶面板生產(chǎn)線的 CVD設(shè)備“ AKT50K PECVD” ， 2022年第一季度開始供貨。 ? 因此， 要求特氣的供應(yīng)和使用必須符合國家的工業(yè)環(huán)境保護(hù)和安全條件的要求，有報(bào)警系統(tǒng)、排風(fēng)和除害裝置，滅火、防爆都必須嚴(yán)格按照要求設(shè)置。 75 ? CVD工藝采用的氣體稱為工業(yè)特種氣體，簡(jiǎn)稱為特氣。溶于水 (0 ℃ 時(shí) ， (100 mL) l 水， . 40 ℃ 時(shí) cm3(100 mL) l 水 ).微溶于醇；液化溫度為 K，固化溫度為 . ? 在 TFT工藝中，氮?dú)馐侵匾脑牧蠚怏w。氣體相對(duì)密度為 1. 2506，熔點(diǎn)為一 ℃ ，沸點(diǎn)為－ 195. 8 ℃ 。氫分子雖然很穩(wěn)定，但在高溫下，在電弧中，或進(jìn)行低壓放電，或在紫外線的照射下，氫分子能發(fā)生離解作用，得到原子氫。 使用氫氣之前必須接受必要的上崗技術(shù)培訓(xùn)。 73 ? 常溫下氫氣并不活潑，但是能與單質(zhì)氟在暗處迅速反應(yīng)，生成具有很強(qiáng)的腐蝕性的氫氟酸 (HF)。 ? 氫氣的質(zhì)量只有空氣的 1/，具有很大的擴(kuò)散速度和很高的導(dǎo)熱性。 ? 單質(zhì)氫氣是由兩個(gè)原子以共價(jià)單鍵的形式結(jié)合而成的雙原子分子，其鍵長(zhǎng)為 74 pm。采購該原料要有質(zhì)量分析。其熔點(diǎn)為 ℃ 1沸點(diǎn)為 ℃ ，蒸氣壓為 kPa(一 58 ℃ ) ，臨界溫度為 ℃ ，臨界壓力為 7 265 kPa。 ? 有助燃性，在室溫時(shí)穩(wěn)定，受高溫有爆炸危險(xiǎn) 。 ? 笑氣常溫下為 無色氣體，略帶甜味，吸入能使人狂笑