液晶顯示器的陣列工藝技術(參考版)
2025-01-05 09:48本頁面
【正文】 39謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。干法刻蝕有 PE、 RIE、 CDE等。216。216。 CVD工藝 CVD是化學氣相沉積，可分為 APCVD、 LPCVD、 PECVD。 濺射工藝 濺射就是在一定真空條件下，通過外加電、磁場的作用，將惰性氣體電離，用加速的離子轟擊靶材，使靶材粒子在基板表面沉積的過程。靜電擊穿發(fā)生部位設備放電異常38本章小結陣列工藝主要包括清洗、成膜、光刻、刻蝕、去膠、檢查等基本工藝流程。靜電擊穿靜電擊穿是指由于靜電導致絕緣層與半導體層被擊穿，柵極層與信號層直接相連而發(fā)生短路。TFT特性不良ITO自信號線短路 ITO次信號線短路ITO柵線短路ITOCS短路過剩電荷IOFFLow Vg在 TFT陣列最終檢查中，點缺陷有： ITO自數(shù)據(jù)線短路、 ITO次數(shù)據(jù)線短路、 ITOCS短路、過剩電荷、 ITO柵線短路、 IOFF、 Low Vg，及其它的缺陷 。如上面的接觸電極 ITO不能與下面柵線電極接觸上。檢查35 TFT陣列工藝中常見缺陷216。陣列終檢：是整個陣列的最后一道工序，對陣列的成品進行檢查及修復的過程。 濕法刻蝕216。216?？涛g流程 濕法刻蝕32去膠：是使用去膠液等將刻蝕時起保護作用的光刻膠去掉的過程。主溶液基板薄膜光刻膠 光刻膠化學反應反應物 反應物216。濕法刻蝕藥液 濕法刻蝕30? 分為三個階段：反應物質擴散到欲被刻蝕薄膜的表面；反應物與被刻蝕薄膜反應；反應產(chǎn)物從刻蝕薄膜表面擴散到溶液中，隨溶液排出。 濕法刻蝕Wet Etcher化學刻蝕，各向同性PR膜基板PR膜基板刻
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