液晶顯示器的陣列工藝技術(shù)-wenkub
2023-01-22 09:48:25 本頁面
【正文】 3PEP 源漏電極4PEP 鈍化及過孔玻璃1PEP 柵極2PEP 有源島5PEP 像素電極制屏清洗3 陣列工藝概述(2) 成膜(3) 涂光刻膠(1) 清洗(4) 曝光(6) 刻蝕(7) 去膠(5) 顯影光4? 清洗? 濺射? CVD? 涂膠? 曝光? 顯影? 濕刻? 干刻? 去膠? 檢查? 終檢aSi:H TFT的陣列工序5清洗：就是用毛刷、氣蝕等的物理方法及用化學(xué)腐蝕的化學(xué)方法或二者相結(jié)合的方法，除去基板表面的灰塵、污染物及自然氧化物的工程。l直流磁控濺射的特點(diǎn)：放電空間的電場和磁場垂直。在陣列中，有 AP CVD（常壓 CVD）和 PCVD（等離子體 CVD）兩種。輸運(yùn)粒子到襯底表面216。 涂膠15 涂膠16 涂膠17 涂膠旋涂 刮涂加旋涂 刮涂涂膠的方法主要有旋涂、刮涂加旋涂、和刮涂三種 。 顯影20216。既有各向同性也有各向異性的作用。在石英管進(jìn)行輝光放電的，產(chǎn)生的游離基等活性粒子通入到反應(yīng)室進(jìn)行刻蝕的過程。CDE 干法刻蝕27濕刻：就是選用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)藥液與被刻蝕的膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，改變被刻蝕物的結(jié)構(gòu)，使其脫離基板表面的過程。濕法刻蝕藥液 濕法刻蝕30? 分為三個階段：反應(yīng)物質(zhì)擴(kuò)散到欲被刻蝕薄膜的表面；反應(yīng)物與被刻蝕薄膜反應(yīng)；反應(yīng)產(chǎn)物從刻蝕薄膜表面擴(kuò)散到溶液中，隨溶液排出。刻蝕流程 濕法刻蝕32去膠：是使用去膠液等將刻蝕時起保護(hù)作用的光刻膠去掉的過程。 濕法刻蝕216。檢查35 TFT陣列工藝中常見缺陷216。TFT特性不良ITO自信號線短路 ITO次信號線短路ITO柵線短路ITOCS短路過剩電荷IOFFLow Vg在 TFT陣列最終檢查中，點(diǎn)缺陷有： ITO自數(shù)據(jù)線短路、 ITO次數(shù)據(jù)線短路、 ITOCS短路、過剩電荷、 ITO柵線短路、 IOFF、 Low Vg，及其它的缺陷 。靜電擊穿發(fā)生部位設(shè)備放電異常
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