液晶顯示器的陣列工藝技術(shù)-文庫吧資料
2025-01-07 09:48本頁面
【正文】 蝕液浸入造成邊緣刻蝕29? M1： Mo/AlNd? M2： Mo/Al/Mo ? ITOHNO3 （ ~%)CH3COOH（ ~%）H3PO4 （ ~%）COOH (~%) COOH對于 M1及 M2兩道制程，為降低成本均選擇同一濃度的三酸混合系統(tǒng)蝕刻液，通過設(shè)定的條件配方，達(dá)到不同 PEP的要求。CDE 干法刻蝕27濕刻：就是選用適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)藥液與被刻蝕的膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，改變被刻蝕物的結(jié)構(gòu)，使其脫離基板表面的過程。216。在石英管進(jìn)行輝光放電的，產(chǎn)生的游離基等活性粒子通入到反應(yīng)室進(jìn)行刻蝕的過程。PE 干法刻蝕24輝 光 區(qū) 域離 子上電極下電極接地接地RF電容PE輝 光 區(qū) 域離 子接地接地RF電容上電極下電極RIE216。既有各向同性也有各向異性的作用?？涛g方向性控制的必要性 干法刻蝕22216。 顯影20216。陣列中，曝光分一次曝光、分步曝光、背面曝光。 涂膠15 涂膠16 涂膠17 涂膠旋涂 刮涂加旋涂 刮涂涂膠的方法主要有旋涂、刮涂加旋涂、和刮涂三種 。涂膠的方式是旋轉(zhuǎn)基板，用滴管從中間滴下光刻膠，并同時(shí)吹入 N2，滴下的光刻膠從中間向四周散布涂敷整個(gè)基板的過程。輸運(yùn)粒子到襯底表面216。 CVD工藝10 CVD工藝11 CVD工藝萬級間百級間裝載 /卸載P/C：反應(yīng)室傳送室機(jī)械手運(yùn)載室 反應(yīng)室電極板12通入反應(yīng)氣體擴(kuò)散板基板 基座升降機(jī) 泵 PECVD三個(gè)基本的過程：216。在陣列中，有 AP CVD（常壓 CVD）和 PCVD（等離子體 CVD）兩種。lMoW濺射、 ITO濺射、 MoAlMo濺射濺射與真空渡膜的比較： 濺射 真空蒸渡原理 原理 從靶材上濺射 熱蒸發(fā)形狀 面 點(diǎn)濺射與蒸發(fā)的原子的能量 約 10eV 約 沖擊基板的高能量粒子 離子高能量的氣體分子 沒有
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