液晶顯示器的陣列工藝技術-wenkub.com
2025-01-01 09:48 本頁面
【正文】 根據(jù)刻蝕的方向性，又分為各向同性刻蝕和各向異性刻蝕兩種。 光刻工藝 光刻工藝是圖形復印的精密加工技術，包括涂膠、曝光、顯影等工藝。216。比較容易發(fā)生在短路環(huán)或基板邊緣 。 36 TFT陣列工藝中常見缺陷216。 濕法刻蝕216。去膠 濕法刻蝕33在刻蝕、顯影等之后檢查產品的缺陷，以便在過程中發(fā)現(xiàn)問題，進行修復處理。反應機制 濕法刻蝕31噴嘴來回擺動循環(huán)水洗直水洗基板入 蝕刻藥液噴灑 直水洗循環(huán)水洗 直水洗滾輪轉動方向風刀干燥 基板出216。216。CDE 干法刻蝕26中性氣體活性氣體反應產物微波等離子體反應氣體反應室基板載臺排氣Al管系216。PE與 RIE的區(qū)別 干法刻蝕25CDE是化學干法刻蝕。干法刻蝕機制 干法刻蝕（ a）++ ：正離子（ b）：活性基團RR（ c）R：活性基團+ ：正離子+R23PE是等離子體刻蝕 ,使用惰性氣體轟擊的物理作用與使用游離基等活性離子反應的化學作用相結合的刻蝕過程。 曝光19顯影：用顯影液除去被改性的光刻膠的過程。光刻膠有正性和負性之分。等離子相反應216。就是在高頻電場的作用下，使反應氣體電離形成等離子體，反應離子及活性基團依靠從高頻電場獲得的能量從而能夠在較低的溫度襯底上成膜。在陣列中惰性氣體有 Kr、 Ar氣，靶材有 MoW靶、 ITO靶、 Mo靶、 AL靶。第 8章 液晶顯示器的陣列工藝技術長春工業(yè)大學王麗娟2023年 02月 10日平板顯示技術基礎， 2023年，北京大學出版社 1本章主要內容 清洗工藝 濺射工藝 CVD工藝 光刻工藝 干刻工藝 濕刻工藝 陣列工藝中常見缺陷2 陣列工藝概述GlassfilmPRGlassGlass Glassfilm成膜涂膠曝光顯影刻蝕Glass去膠鍍下一層膜
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