液晶顯示器的陣列工藝技術(shù)-資料下載頁(yè)
2025-01-03 09:48本頁(yè)面
【正文】 缺陷216?？涛g中的倒角（ b）倒角現(xiàn)象 2（ b）倒角現(xiàn)象 1（ a）坡度角接觸電極 ITO鈍化層 SiNx絕緣層 SiNx柵線電極刻蝕中出現(xiàn)倒角現(xiàn)象，就會(huì)出現(xiàn)跨斷現(xiàn)象。如上面的接觸電極 ITO不能與下面柵線電極接觸上。 36 TFT陣列工藝中常見(jiàn)缺陷216。TFT特性不良ITO自信號(hào)線短路 ITO次信號(hào)線短路ITO柵線短路ITOCS短路過(guò)剩電荷IOFFLow Vg在 TFT陣列最終檢查中，點(diǎn)缺陷有： ITO自數(shù)據(jù)線短路、 ITO次數(shù)據(jù)線短路、 ITOCS短路、過(guò)剩電荷、 ITO柵線短路、 IOFF、 Low Vg，及其它的缺陷 。 37 TFT陣列工藝中常見(jiàn)缺陷216。靜電擊穿靜電擊穿是指由于靜電導(dǎo)致絕緣層與半導(dǎo)體層被擊穿，柵極層與信號(hào)層直接相連而發(fā)生短路。比較容易發(fā)生在短路環(huán)或基板邊緣 。靜電擊穿發(fā)生部位設(shè)備放電異常38本章小結(jié)陣列工藝主要包括清洗、成膜、光刻、刻蝕、去膠、檢查等基本工藝流程。216。 濺射工藝 濺射就是在一定真空條件下，通過(guò)外加電、磁場(chǎng)的作用，將惰性氣體電離，用加速的離子轟擊靶材，使靶材粒子在基板表面沉積的過(guò)程。216。 CVD工藝 CVD是化學(xué)氣相沉積，可分為 APCVD、 LPCVD、 PECVD。 PECVD是目前在非晶硅薄膜晶體管的制作中常用的薄膜制備方法。216。 光刻工藝 光刻工藝是圖形復(fù)印的精密加工技術(shù)，包括涂膠、曝光、顯影等工藝。216。 刻蝕工藝 刻蝕包括濕法刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕有 PE、 RIE、 CDE等。根據(jù)刻蝕的方向性，又分為各向同性刻蝕和各向異性刻蝕兩種。 39謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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