【正文】
缺陷216??涛g中的倒角( b)倒角現(xiàn)象 2( b)倒角現(xiàn)象 1( a)坡度角接觸電極 ITO鈍化層 SiNx絕緣層 SiNx柵線電極刻蝕中出現(xiàn)倒角現(xiàn)象,就會出現(xiàn)跨斷現(xiàn)象。如上面的接觸電極 ITO不能與下面柵線電極接觸上。 36 TFT陣列工藝中常見缺陷216。TFT特性不良ITO自信號線短路 ITO次信號線短路ITO柵線短路ITOCS短路過剩電荷IOFFLow Vg在 TFT陣列最終檢查中,點缺陷有: ITO自數(shù)據(jù)線短路、 ITO次數(shù)據(jù)線短路、 ITOCS短路、過剩電荷、 ITO柵線短路、 IOFF、 Low Vg,及其它的缺陷 。 37 TFT陣列工藝中常見缺陷216。靜電擊穿靜電擊穿是指由于靜電導(dǎo)致絕緣層與半導(dǎo)體層被擊穿,柵極層與信號層直接相連而發(fā)生短路。比較容易發(fā)生在短路環(huán)或基板邊緣 。靜電擊穿發(fā)生部位設(shè)備放電異常38本章小結(jié)陣列工藝主要包括清洗、成膜、光刻、刻蝕、去膠、檢查等基本工藝流程。216。 濺射工藝 濺射就是在一定真空條件下,通過外加電、磁場的作用,將惰性氣體電離,用加速的離子轟擊靶材,使靶材粒子在基板表面沉積的過程。216。 CVD工藝 CVD是化學(xué)氣相沉積,可分為 APCVD、 LPCVD、 PECVD。 PECVD是目前在非晶硅薄膜晶體管的制作中常用的薄膜制備方法。216。 光刻工藝 光刻工藝是圖形復(fù)印的精密加工技術(shù),包括涂膠、曝光、顯影等工藝。216。 刻蝕工藝 刻蝕包括濕法刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕有 PE、 RIE、 CDE等。根據(jù)刻蝕的方向性,又分為各向同性刻蝕和各向異性刻蝕兩種。 39謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH