【正文】 電子使靶帶有負(fù)電、會吸引更多的陽離子撞擊靶。 ? 因此，在一段時間以后，靶材上由于電子電荷的堆積形成一個偏壓。 37 直流濺射的優(yōu)點(diǎn)： ? 設(shè)備簡單 ? 濺射率高 ? 對基板的損傷較小 38 直流濺射的缺點(diǎn)： ? 發(fā)生輝光放電，設(shè)備的真空程度較差，殘留氣體影響較大。為了有效控制氣體壓力，高時也使用電磁閥。 ? (3)向陰極 (靶材 )加載射頻 (RF)或直流 (DC)電壓，產(chǎn)生等離子體。 ? 而且因?yàn)榭梢栽谏a(chǎn)線上連續(xù)快速處理，所以效率比紫外線清洗更高。 ? 在產(chǎn)生這些物質(zhì)微粒的過程中還伴隨產(chǎn)生紫外線等高能態(tài)光線。當(dāng)紫外光照射到污垢上時，物質(zhì)的分子吸收紫外光后會處于高能量的激發(fā)狀態(tài)并可能發(fā)生分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂而分解。高壓氣體主要是壓縮空氣、氮?dú)?N2)、蒸氣。 ? 用這種方法可去除玻璃基板上的 3～ 5μm 的粒子。 ? 清洗溶液一般采用 去離子水 .加上一些可以降低水的表面張力的清潔劑。 5 ? 幾個納米 的顆粒就會造成膜的表面狀態(tài)的起伏，微米量級 的顆粒就會造成膜的斷裂或短路，或者破壞器件的電學(xué)特性。 ? 但是濕式化學(xué)清洗法有時不但不能去除微粒，反而會增加微粒在基板表面附著的可能性。 ? 一般刷子的使用壽命都不長，使用時間長了還會發(fā)生掉毛現(xiàn)象，因此需要 定期更 換。 12 TFTLCD設(shè)計(jì)及制作 ? ? 將一種高壓氣態(tài)流體與一種液態(tài)流體混合后，再通過一種特殊的噴嘴（超音速噴嘴）使高壓氣體與清洗液形成的液滴，以超過聲音在空氣中的傳播速度（ 340 米 / 秒）的速度噴出，而把需要清洗的物體放在一個可發(fā)生旋轉(zhuǎn)的圓盤上并使它做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，當(dāng)從噴嘴中噴射出的液滴噴射到做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動的被清洗物體上時，就會立即崩解并對被清洗物體產(chǎn)生強(qiáng)大的沖擊清洗作用，此時清洗液的速度可達(dá)到 1000 米 / 秒，在被清洗物體上附著的超微小顆粒在雙流體清洗液噴射時產(chǎn)生的沖擊波作用、被清洗物體表面受到?jīng)_擊時產(chǎn)生的振動作用、液滴沿被清洗物體表面高速噴射這三種作用的協(xié)同作用下而被去除。 干式清洗 16 TFTLCD設(shè)計(jì)及制作 ? 干洗技術(shù)由于可以有效清除灰塵等微粒子，而且可以節(jié)約大量水資源，因而受到重視。 ? 二是隨著液晶顯示技術(shù)的不斷進(jìn)步，玻璃基板的尺寸不斷加大處理、速度不斷加快，要求紫外線照射清洗使用的設(shè)備也要大型化和大幅度提高功率，但這對紫外線照射清洗設(shè)備來說是有很大難度的。 ? 三氟化氮 (NF3 )、氫 (H2 )及氬 (Ar)等離子體可解決各種氧化物污染問題，再以氣流將生成物帶出反應(yīng)槽。在大氣壓下比較容易控制膜的質(zhì)量。 34 ? 在濺射工藝中真空技術(shù)非常重要，工藝室抽成真空，一方面可防止陰極、靶材氧化以及控制和消除大氣中雜質(zhì)的影響 。 ? 3：電子和離子在高電壓下高速運(yùn)動，離子撞擊靶材，高速運(yùn)動的電子和離子與氣體分子碰撞，產(chǎn)生更多的離子。 ? 不可以濺射絕緣膜。 ? 3：因?yàn)槭墙涣麟妷海詭щ娏Ｗ拥募铀俜较螂S電壓而變。 43 磁控濺射 ? 1：成膜基板和靶近距離配置、靶材的后面安裝有磁鐵。 45 ?(4).反應(yīng)性濺射 ? 在氬氣中添加反應(yīng)性氣體，通過濺射得到化合物薄膜的方法稱作反應(yīng)性濺射（ reactive sputter）。 ? 在 TFTLCD工業(yè)中，彩膜黑矩陣的氧化鉻 /鉻 (CrOx/Cr)膜要求對可見光吸收性好、反射率低。 ? (注 :使原材料離子化而射向基板的手法被稱為離子注入法、而不是濺射。 51 化學(xué)氣相沉積技術(shù)原理 ? 化學(xué)氣相沉積技術(shù) 是利用熱能、等離子放電、紫外光照射等形式的能源或上述能源形式的綜合利用，使氣態(tài)物質(zhì)在灼熱的固體熱表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積，形成穩(wěn)定的固態(tài)物質(zhì)膜的工業(yè)過程 。 ? 低壓化學(xué)氣相沉積 (low pressure chemical vapor deposition， LPCVD)。 分子量 32. 118 熔點(diǎn) ℃ 101. 325 kPa 沸點(diǎn) 111. 5 ℃ 101. 325 kPa 液體密度 711 kg .m－ 3 － 185 ℃ 氣體密度 1. 42 kg .m－ 3 O ℃ ， 100 kPa 比容 (kg） l ℃ ， 101. 325 kPa 臨界溫度 － ℃ 蒸氣壓 kPa 163 ℃ 1 040 kPa 60 ℃ 4 150 kPa 10 ℃ 黏度 101. 325 kPa， 0 ℃ 爆炸界限 0. 8%~98% 60 ? 硅烷在常溫常壓下為具有 惡臭的無色氣體 ； ? 在室溫下能著火 ，在空氣或鹵素氣體中發(fā)生爆炸性燃燒 。對幾乎所有的金屬無腐蝕性。一級報(bào)警濃度為 ppm；二級報(bào)警濃度為 ppm。 ? 磷烷氣體純度要求在 %以上，工藝載氣氫氣的純度要求在 %以上。多次暴露的會潛在影響健康。 ? 當(dāng)氨氣大規(guī)模泄漏時，工作人員需要穿全身防護(hù)服，并立即隨時意識到潛在的火災(zāi)和爆炸危險(xiǎn)。其熔點(diǎn)為 ℃ 1沸點(diǎn)為 ℃ ，蒸氣壓為 kPa(一 58 ℃ ) ，臨界溫度為 ℃ ，臨界壓力為 7 265 kPa。 73 ? 常溫下氫氣并不活潑，但是能與單質(zhì)氟在暗處迅速反應(yīng)，生成具有很強(qiáng)的腐蝕性的氫氟酸 (HF)。溶于水 (0 ℃ 時 ， (100 mL) l 水， . 40 ℃ 時 cm3(100 mL) l 水 ).微溶于醇；液化溫度為 K，固化溫度為 . ? 在 TFT工藝中，氮?dú)馐侵匾脑牧蠚怏w。設(shè)備可配備裝載單元 (load lock chamber)和最多 5臺的處理艙。隨著加工設(shè)備的體積日益龐大， CVD設(shè)備的生產(chǎn)將會越來越困難 。 ? 取向效果的好壞對于液晶顯示器的均一性、視角、色差、響應(yīng)速度、閾值電壓等基本性能都有重要影響。 89 液晶材料與技術(shù) 非摩擦法液晶分子取向技術(shù) ? 針對摩擦法存在的局限性，人們開始對非摩擦技術(shù)進(jìn)行深入研究。液晶分子的取向排列也隨之消失，因此使用意義不大。 94 液晶材料與技術(shù) ? LangmuirBlodgett膜是一套單層，或是許多層組織一個分子厚的層，沉淀在固態(tài)晶格 。復(fù)雜的交換網(wǎng)絡(luò)可能需要制造多層的多層 LB膜芯片 95 液晶材料與技術(shù) ? 還有采用光刻技術(shù)，在某些光敏性聚合物表面形成排列規(guī)整的密紋結(jié)構(gòu)，液晶分子沿這些密紋結(jié)構(gòu)取向。 breaking system） ? 液晶注入、密封工程（ filling system） ? 洗凈、倒角工程 ? 偏光片貼附工程（ polarizer sticking system） ? 檢查工程 100 液晶材料與技術(shù) 1ST CUTTING 2ND CUTTING Cutting Method 101 液晶材料與技術(shù) Cutting Process 1 6 5 4 3 2 102 液晶材料與技術(shù) ? 傳統(tǒng)玻璃制品的切割方式是使用金剛石砂輪和高硬度金屬輪的機(jī)械加工方法?；逶硎抢眉す庖碌膽?yīng)力使玻璃“分離”，可以稱其為 第二代激光切割法 。 ? 無需通常的邊緣磨削加工過程，邊緣質(zhì)量在尺寸上非常精確而且完全釋放應(yīng)力； ? 不會產(chǎn)生像接觸型切割法所形成的垂直于切割面的直裂紋； ? 激光切割的邊緣強(qiáng)度非常高，這時由于加熱、淬火過程中的自然回火效應(yīng)引起的邊緣強(qiáng)化。 ? 僅使用一束刻劃激光和一束分離激光完成玻璃分割，無需使用制冷介質(zhì)。 ?通過真空差壓的原理， LC經(jīng)過一段時間后充滿 PANEL。利用注入的方式。 119 120 121 122 123 液晶材料與技術(shù) 124 。但是利用真空注入方式進(jìn)行液晶材料的注入，既費(fèi)時又費(fèi)力，僅注入時間就要花費(fèi) 1天以上。利用真空差壓與毛細(xì)力上升方式。第二束激光沿第一束激光的掃描刻線路徑掃描以快速加熱刻線，使刻線表面上形成了直裂縫，并擴(kuò)大到玻璃母板襯底的底層以完全分離玻璃母板襯底。 108 液晶材料與技術(shù) 第二代激光切割法的缺點(diǎn)： ? 切割復(fù)雜圖形，成品率低。玻璃強(qiáng)烈吸收10600nm 的激光，幾乎所有的激光能量都被玻璃表面15um吸收層所吸收，相對玻璃表面移動激光光點(diǎn)形成所需的切割線。 ? 在機(jī)械切割中，用砂輪或機(jī)械論在玻璃上進(jìn)行刻劃，產(chǎn)生沿著切割方向的切向張力，從而使玻璃沿著劃痕裂開。 96 液晶材料與技術(shù) ? 在完成取向膜形成及取向處理之后，需要將兩塊玻璃基板在保持一定間隙的條件下對位貼合。 ? 術(shù)語 LangmuirBlodgett來自于研究科學(xué)家和他的助手， Irving Langmuir和 Katherine Blodgett，他們于二十世紀(jì)初發(fā)現(xiàn)了這種薄膜的獨(dú)有的特性。 92 液晶材料與技術(shù) ? David等人發(fā)現(xiàn)，通過使用 線性偏振紫外光 （