液晶材料與技術(shù)(12)——lcd工藝技術(shù)討論—陣列-wenkub.com
2025-01-16 01:27 本頁(yè)面
【正文】 液晶材料與技術(shù) 84 ? Array 部分的工序已講完。 80 液晶材料與技術(shù) 81 液晶材料與技術(shù) 82 ? 為了防止剝離液蒸氣進(jìn)入凈化間，剝離裝置內(nèi)部設(shè)計(jì)為負(fù)壓。 液晶材料與技術(shù) 77 TFTLCD設(shè)計(jì)及制作 光刻膠濕法剝離與干法灰化的比較 濕法剝離 等離子灰化 臭氧灰化 剝離能力 對(duì)于變質(zhì)的光刻膠較差 很強(qiáng) 很強(qiáng) 均勻性 不太好 良好 良好 再現(xiàn)性 藥液劣化后較難 良好 良好 損傷 幾乎無(wú) 有可能發(fā)生損傷，但向下流動(dòng)式不發(fā)生 幾乎無(wú) 吞吐量 良好 低 良好 設(shè)備價(jià)格 便宜 貴 便宜 占地面積 大 小 小 輔助用料量 多 少 少 剝離介質(zhì)的保存情況 需要更好剝離液 良好 良好 78 TFTLCD設(shè)計(jì)及制作 ? 在 4次光刻的工藝中，柵極、漏極 /硅島、接觸孔、像素電極光刻后都要做光刻膠的剝離處理。然后去除作為掩膜的光刻膠，這個(gè)過(guò)程叫作 剝離 。根據(jù)不同的刻蝕要求，系統(tǒng)可以做必要的局部調(diào)整。 ? (6 )揮發(fā)性刻蝕副產(chǎn)物和其他未參加反應(yīng)的物質(zhì)被真空泵抽出反應(yīng)腔。 ? (2)刻蝕物質(zhì)向基板表面擴(kuò)散。 液晶材料與技術(shù) 69 ? 二氟化碳 (CF2)和氟 ( F )是四氟化碳等離子體中主要的化學(xué)基，氟和非晶 硅膜以及二氧化硅 (SiO2)絕緣膜中的硅原子 ( Si )反應(yīng)速率相當(dāng)快，會(huì)形成四氟化硅（ SiF4 )的揮發(fā)生成物，是良好的刻蝕氣體。 液晶材料與技術(shù) 68 ? 非晶硅層和 n+非晶硅 的刻蝕邊用 四氟化碳 (CF4 )、六氟化硫 (SF6 )、氯化氫 (HCl)、氦氣 (He)作為工藝氣體，采用反應(yīng)式等離子刻蝕。 ? (2)材料表面的原子必須能重新排列，以形成化學(xué)生成物。 ? （ 2）由渦輪泵細(xì)抽真空，到 1mtoor以下。經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速的高能離子轟擊被刻蝕材料，使表面受損，提高被刻蝕材料表面活性，加速與活性刻蝕反應(yīng)基團(tuán)的反應(yīng)速度，從而獲得較高的刻蝕速度。它的弱點(diǎn) 刻蝕速度較低，選擇性較差 。 ? TFT干刻 (dry etching)工藝主要用于非金屬膜圖形的刻蝕。 液晶材料與技術(shù) 58 ?（ 3）像素電極濕刻 ? 在許多 TFT的設(shè)計(jì)中，都把像素電極膜放在陣列基板的最上層，這樣對(duì)電極形狀的要求比較低，但是對(duì)線寬控制的要求比較高，因此在兩刻蝕槽中均采用速度較快、對(duì)線寬控制較好的噴淋方式進(jìn)行濕刻，在工藝性能上對(duì) ITO 殘?jiān)c線寬控制要求比較嚴(yán)格。 ? 若 W/L變大，則電流 Ion變大，但開口率降低導(dǎo)致亮度以及對(duì)比度的降低，此外電流 Ioff也變大，會(huì)產(chǎn)生漏電流造成顯示不良 。 液晶材料與技術(shù) 56 ? （ 3）源漏極濕刻 ? 源漏電極的工藝性能要求 線寬控制的優(yōu)先級(jí)高于形狀控制。 液晶材料與技術(shù) 54 （ 2）柵極線寬控制 ? 金屬電極的刻蝕，要求電極寬度控制良好，保證電極邊緣刻蝕量有良好的一致性。 ? 在各向同性刻蝕量相同的情況下，如圖 (a)所示，在高速刻蝕時(shí)藥液在光刻膠和對(duì)象膜層之間的浸入量較少 。而在刻蝕的后半階段，由于刻蝕對(duì)象物質(zhì)露出的部分較少，氣泡比較難以被吸附在膜層上，此時(shí)根據(jù)性能要求選擇其他的刻蝕方式。反應(yīng)速度由活化能快定，溫度越高反應(yīng)速度越快。 在刻蝕過(guò)程中，刻蝕液不斷被消耗，同時(shí)反應(yīng)生成物不斷生成，這樣在刻蝕對(duì)象周圍形成濃度梯度，在濃度梯度作用下，新的刻蝕液不斷向刻蝕對(duì)象輸送，并將反應(yīng)生成物從其表面除去，使新的刻蝕液與對(duì)象物質(zhì)接 觸。 ? 刻蝕分為： ? 濕法刻蝕 ? 干法刻蝕 液晶材料與技術(shù) 45 濕法刻蝕原理 ? 在濕刻工藝中，應(yīng)根據(jù)不同金屬膜，選擇不同的刻蝕藥液。 ? 由于每次顯影都使用新的藥液，顯影質(zhì)量有保證，可期望發(fā)展成為穩(wěn)定的工藝過(guò)程。 ? 由于浸漬槽底部會(huì)積存含有雜質(zhì)的顯影液，在設(shè)備定期保養(yǎng)維修時(shí)必須將這些積存的顯影液徹底去除干凈。 ? 顯影液有兩種 。 ? 在 TFTLCD設(shè)備中，價(jià)格最高的是曝光機(jī) 、其次是 CVD和 PVD設(shè)備。通過(guò)設(shè)置的 ID信 息用二維代碼標(biāo)記后，經(jīng)過(guò)后工程的讀取，可以構(gòu)筑成遍及全線的管理體系。 ? 相對(duì)于大規(guī)模集成電路的制造而言， TFT的制造電路結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，集成度很低，接近式曝光機(jī)已經(jīng)完全可以滿足工藝要求，因此 TFT行業(yè)過(guò)去都采用接近式曝光機(jī)。 ? 為此， 使固定玻璃基板的支持臺(tái)（ stage)步進(jìn)移動(dòng)，按要求通過(guò)掩膜板的更換，完成幾次步進(jìn)式分割曝光。 液晶材料與技術(shù) 27 ? （ 2）反射鏡投影一次曝光 ? 大直徑透鏡制作，控制球面像差等非常困難，而反射鏡一次曝光是 由反射鏡替代透鏡 ，將掩膜圖形一次投影轉(zhuǎn)寫在玻璃基板上。 ? 曝光方式： ? （ 1）接近式一次曝光 ? （ 2）反射鏡投影一次曝光 ? （ 3）透鏡步進(jìn)式分割曝光 液晶材料與技術(shù) 24 ? （ 1）接近式一次曝光 ? 接近式（ proximity)一次曝光是利用一塊大型掩膜板， 一次完成曝光過(guò)程。 ? 通過(guò)調(diào)整旋轉(zhuǎn)
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