電力晶體管和晶閘管(參考版)
2025-05-14 15:48本頁面
【正文】 雙向晶閘管有四種觸發(fā)方式： Ⅰ +、Ⅰ 、 Ⅲ +、 Ⅲ ，其中以 Ⅰ +觸發(fā)靈敏度最高，Ⅲ +最低，使用時一般采用 Ⅰ +、 Ⅲ 接法。 50 ? 雙向晶閘管 內部結構可看作兩只普通晶閘管反并聯(lián)，引出的三個端子為主極 T T2和門極 G。 選擇晶閘管的額定電壓應為元件在電路中可能承受的最大瞬時值電壓的 2～ 3倍 。關斷條件是：使流過晶閘管的陽極電流小于維持電流。 三、逆導晶閘管 （ Reverse Conducting Thyristor—— RCT） b)a)UOIKGAIG= 0圖 19 逆導晶閘管的電氣圖形符號和伏安特性 a) 電氣圖形符號 b) 伏安特性 46 四、 光控晶閘管 （ Light Triggered Thyristor—— LTT） ? 光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管，是利用一定波長的光照信號觸發(fā)導通的晶閘管。 44 ? 包括所有專為快速應用而設計的晶閘管 ， 有快速晶閘管和高頻晶閘管 （ 10kHz以上 ） ； ? 管芯結構和制造工藝進行了改進 ， 開關時間以及du/dt和 di/dt耐量都有明顯改善； ? 普通晶閘管關斷時間數百微秒 ， 快速晶閘管數十微秒 ，高頻晶閘管 10?s左右； ? 高頻晶閘管的不足在于其電壓和電流定額都不易做高； ? 由于工作頻率較高 ， 選擇通態(tài)平均電流時不能忽略其開關損耗的發(fā)熱效應； ? FST由于允許長期通過的電流有限 ， 所以其不宜在低頻下工作 。 第二種是過零觸發(fā) ， 適用于調功電路及無觸點開關電路 。 ? 由于雙向晶閘管的內部結構原因 ， 四種觸發(fā)方式中觸發(fā)靈敏度不相同 ， 以 Ⅲ + 觸發(fā)方式靈敏度最低 ， 使用時要盡量避開 ，常采用的觸發(fā)方式為 Ⅰ + 和 Ⅲ 。 ? Ⅲ 觸發(fā)方式： 主極 T1為負 ， T2為正；門極電壓 G為負 ， T2為正 。 ? Ⅲ + 觸發(fā)方式： 主極 T1為負 ， T2為正；門極電壓 G為正 ， T2為負 。 ? Ⅰ 觸發(fā)方式： 主極 T1為正 ， T2為負；門極電壓 G為負 ， T2為正 。 主電壓與觸發(fā)電壓相互配合 ， 可以得到四種觸發(fā)方式： ? Ⅰ + 觸發(fā)方式： 主極 T1為正 ， T2為負；門極電壓 G為正 ， T2為負 。如 圖 17（ d） 所示 。 第三節(jié) 雙向晶閘管及其他派生晶閘管 圖 17 雙向晶閘管 39 ? 小結： ? 1 晶閘管的工作原理 ? 2 晶閘管的基本特性 ? 3 晶閘管的主要參數 ? 4 晶閘管的主要類型 40 ? 作業(yè)： ? 3 41 ? 雙向晶閘管具有正反向對稱的伏安特性曲線 。 但其內部是一種 NPNPN五層結構引出三個端線的器件 。 ２ ） 門極觸發(fā)電壓 UGT和門極觸發(fā)電流 IGT 在室溫下 ， 對晶閘管加上６ V正向陽極電壓時 ，使元件由斷態(tài)轉入通態(tài)所必須的最小門極電流稱為門極觸發(fā)電流 IGT， 相應的門極電壓稱為門極觸發(fā)電壓 UGT。門極伏安特性曲線可通過實驗畫出，如圖 16所示。 5） 通態(tài)電流臨界上升率 di／ dt ：在規(guī)定條件下 ，晶閘管在門極觸發(fā)開通時所能承受不導致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率稱為通態(tài)電流臨界上升率 。 ? 對同一晶閘管來說 ， 通常 IL約為 IH的 2~4倍 。 通態(tài)平均電壓 UT(AV)分為 A～Ｉ ， 對應為 ～ 。 31 閘管的通態(tài)平均電流 IT(AV)和正弦電流最大值Im之間的關系表示為： 正弦半波電流的有效值為： 平均電流 IT(AV)與有效值關系為： m0 mT ( A V )1)(s i n21 IttdII ?????????m02mT 21)()s i n(21 ItdtII ?? ?? ???)T ( A VT ?II32 ? 流過晶閘管的電流波形不同時，其電流有效值也不同，以上比值也不同。 29 舉例： 一 晶閘管用于相電壓 一 晶閘管用于相電壓為 220V 的單相電路中時，器件的電壓等級選擇如下： 9 3 3 .2 V~ 2 023~2 2 VUU nT ??? ）（考慮到既能滿足耐壓要求，又較經濟取系列值： VUnT 700?30 2. 額定電流（通態(tài)平均電流） IT(AV) 定義：在環(huán)境溫度為 +140度和規(guī)定的散熱條件下，晶閘管在電阻性負載時的單相、工頻（ 50Hz）、正弦半波（導通角不小于170度
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