【總結(jié)】單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路湖南工學(xué)院電力電子技術(shù)課程設(shè)計課題名稱:單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路系別:電氣與信息工程系專業(yè)班級:電氣0505班姓名:胡功偉學(xué)號:401050517指導(dǎo)教師:肖文英老師同組人員:胡功偉魯浪吳海平馬泓龍劉小軍設(shè)計時間:2007年6月前言電力電子技術(shù)無
2025-06-24 03:42
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁上
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理第第5章章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性二極管的開關(guān)作用和二極管的開關(guān)作用和反向恢復(fù)時間反向恢復(fù)時間開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】雙極型晶體管雙極型三極管BJT結(jié)構(gòu)PNebcNebc集電區(qū)N發(fā)射區(qū)N基區(qū)Pebc集電結(jié)發(fā)射結(jié)集電極發(fā)射極基極PebNPcPNP電路符號bPNeNcNPN電路符號第二章
2025-11-28 23:52
【總結(jié)】HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案雙極型半導(dǎo)體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流放大系數(shù)晶體管的特性曲線晶體管的參數(shù)
2025-05-12 23:17
【總結(jié)】復(fù)習(xí):1、光敏電阻的結(jié)構(gòu)與原理2、光敏電阻的應(yīng)用新授:光敏晶體管及其應(yīng)用光敏晶體管及其應(yīng)用光敏二極管v1.光敏二極管的結(jié)構(gòu)及原理v2.光敏二極管的主要特性(1)伏安特性(2)光譜特性v3.光敏二極管的主要參數(shù)(1)光電流IL
2025-08-17 05:02
【總結(jié)】場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)管的特點結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管第四章絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第四節(jié)場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【總結(jié)】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【總結(jié)】劉開華2022/2/11電子線路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線性失真及其分析方法單級放大器的頻率響應(yīng)多級放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(如語音信號、脈沖信號
2025-01-14 20:55
【總結(jié)】微電子器件原理第七章MOS場效應(yīng)晶體管2第七章MOS場效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【總結(jié)】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【總結(jié)】晶體管單級放大器設(shè)計學(xué)習(xí)目的?掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點的設(shè)置與調(diào)整方法?放大器基本性能指標(biāo)的測試方法?負(fù)反饋對放大器性能的影響?放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。一、電路工作原理及基本關(guān)系式圖阻容耦合共射極放大器CB++I(xiàn)1-RB2RB1IB
2025-01-08 15:08
【總結(jié)】MOS場效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的分類MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【總結(jié)】1功率場效應(yīng)晶體管功率場效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場效應(yīng)晶體管,簡稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18