【正文】 。cm3 。12．第四周期第ⅣB族 TiO2為離子晶體，TiCl4和TiBr4為分子晶體，故TiO2的熔點高，TiCl4和TiBr4的結(jié)構(gòu)相似，TiBr4的相對分子質(zhì)量比的TiCl4相對分子質(zhì)量大，則T解析： 第四周期第ⅣB族 TiO2為離子晶體，TiCl4和TiBr4為分子晶體，故TiO2的熔點高，TiCl4和TiBr4的結(jié)構(gòu)相似，TiBr4的相對分子質(zhì)量比的TiCl4相對分子質(zhì)量大，則TiBr4的范德華力比TiCl4的范德華力強， 故TiBr4的熔點比TiCl4的熔點高 sp2雜化 sp雜化 平面三角形 金屬 1:1 6 【解析】【分析】（1）Ti原子的原子序數(shù)是22，在元素周期表中位于第四周期第ⅣB族，基態(tài)Ti原子的價層電子排布圖為；（2）比較幾種晶體的熔點，離子晶體的熔點高，分子晶體的結(jié)構(gòu)相似時，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越強，熔點越高；（3）利用價層電子對數(shù)求雜化類型及分子間的空間構(gòu)型；（4）晶胞中原子個數(shù)的求法；（5）求TiO2晶體密度時，注意一個晶胞中含有2個Ti原子、4個O原子，注意晶胞參數(shù)的單位換算。11．1s22s22p3 Mg、Si BNNaCl SiCl4 分子間存在氫鍵 正四面體 三角錐形 12 面心立方堆積 a Cu3N解析：1s22s22p3 Mg、Si BNNaCl SiCl4 分子間存在氫鍵 正四面體 三角錐形 12 面心立方堆積 a Cu3N Cu3N+4HCl= NH4Cl+3CuCl↓ 【解析】【分析】A是空氣中含量最高的元素則A為N； D、E元素的基態(tài)原子3p能級上都有兩個未成對電子，則核外電子排布式為1s22s22p63s23p2或1s22s22p63s23p4，故D為Si、E為S，B是同周期中原子半徑最大的元素，則B是Na；C原子的最外層電子數(shù)與核外電子層數(shù)相等，則C為Al；F原子的外圍電子排布為(n1)d10ns1，則F為29號元素Cu。10．1s22s22p63s23p2 D sp3雜化 1:2 Al＜Si＜O 硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵 8 【解析】【分析】解析：1s22s22p63s23p2 D sp3雜化 1:2 Al＜Si＜O 硅原子半徑較大，形成的σ鍵的鍵長較長，難以形成π鍵 8 【解析】【分析】（1）硅是14號元素，根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律可以寫出電子排布式；硅原子最外層有4個電子，硅的IIII4相差不多，而I4比I5小很多，則最大；（2）晶體硅具有金剛石型結(jié)構(gòu)，每個硅原子連有4個硅原子，硅原子的配位數(shù)為4，則硅原子的雜化方式是sp3雜化；結(jié)合硅晶體的結(jié)構(gòu)分析硅原子與σ鍵的個數(shù)比；（3）非金屬元素的電負性大于金屬元素，非金屬性越強，電負性越大； （4）因為硅原子半徑比碳原子半徑要大，硅原子之間形成σ鍵后，原子間的距離比較大，p電子云之間進行難以進行“肩并肩”重疊或重疊程度小，所以難以形成穩(wěn)定的雙鍵及三鍵； （5）根據(jù)均攤法計算晶胞中Si原子的個數(shù)，根據(jù)m=ρV列方程進行計算。cm3，故答案為：12；6；。9．[Ar]3d7或1s22s22p63s23p63d7 10 sp、sp2 O 12 6 【解析】【分析】（1）Co為27號元素，Co2+的核外電子數(shù)解析：[Ar]3d7或1s22s22p63s23p63d7 10 sp、sp2 O 12 6 【解析】【分析】（1）Co為27號元素，Co2+的核外電子數(shù)為25，根據(jù)構(gòu)造原理書寫核外電子排布式；（2）1molFe(CO)5中Fe原子與5個CO形成5個配位鍵，在每個CO分子中存在1個配位鍵；Co2(CO)8中含有碳氧雙鍵和碳氧三鍵；元素的非金屬性越強，電負性越大；(3)由金屬鈷的堆積方式為六方最密堆積可知配位數(shù)為12；由晶胞結(jié)構(gòu)可知，鈷原子有12個位于頂點、2個位于面心、3個位于體內(nèi)，由均攤法確定原子個數(shù)和計算晶體密度。VSEPR模型為平面三角形，與其互為等電子體的離子中含有3個原子、價電子數(shù)是18，與其互為等電子體的陰離子有NO2(合理即可)；(3)形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點較高，乙醇能形成分子間氫鍵、甲醚不能形成分子間氫鍵，所以乙醇的熔沸點比甲醚高；(4)Fe2+的配位數(shù)為6；與O2緊鄰的所有Fe2+構(gòu)成的幾何構(gòu)型、與Fe2+緊鄰的所有O2構(gòu)成的幾何構(gòu)型相同，根據(jù)知，表中有標記的這幾個離子形成正八面體，則與O2緊鄰的所有Fe2+構(gòu)成的幾何構(gòu)型為正八面體。VSEPR模型，與其互為等電子體的離子中含有3個原子、價電子數(shù)是18；(3)形成分子間氫鍵的物質(zhì)熔沸點較高；(4)Fe2+的配位數(shù)為6；與O2緊鄰的所有Fe2+構(gòu)成的幾何構(gòu)型為正八面體?！驹斀狻浚?）在X射線的照射下，晶體會出現(xiàn)明銳的衍射圖案，非晶體因為沒有規(guī)律的晶格結(jié)構(gòu)，因此不會產(chǎn)生衍射圖案，而準晶體的衍射圖案介于二者之間；（2）銅原子的核電荷數(shù)29，1s22S22p63s23p63d104s1或[Ar] 3d104s1；銅原子的價電子排布的軌道式為；（3）離子中氟原子的孤電子對數(shù)，鍵電子對數(shù)為2，價層電子對數(shù)為4，VSEPR模型為四面體，空間構(gòu)型為V型；與具有相同空間構(gòu)型和鍵合形式的分子有、陰離子有；（4）根據(jù)分析，分子中一共有6個鍵，根據(jù)價層電子對互斥理論可以判斷其空間構(gòu)型為正八面體，而硫原子一共形成了6個雜化軌道，而硫原子中只有M層有d軌道，因此為雜化；（5）由圖a可知，則鍵的鍵能為；（6）①從熔融時幾乎不導電可以判斷它是一個分子晶體，而分子晶體一般熔沸點較低，低于離子晶體和原子晶體；②根據(jù)分析，晶胞中一共有4個，則單個晶胞的質(zhì)量為，代入密度的表達式得到其晶胞體積，1cm=107nm，所以則晶胞參數(shù)。【詳解】(1)隨著原子序數(shù)的遞增，同一周期的主族元素第一電離能呈遞增趨勢，堿金屬的第一電離能最小，而稀有氣體的第一電離能最大，C元素所在的周期為第二周期，則該周期Ne的第一電離能最大；(2)Ti的原子序數(shù)為22，基態(tài)Ti原子的電子排布式為[Ar]3d24s2，價電子排布式為3d24s2，能量最高的能級為3d，3d軌道共有五個，按洪特規(guī)則，其中有2個軌道分別被2個電子占據(jù)，還含有3個空軌道；(3)甲基硅油結(jié)構(gòu)中Si原子形成4個單鍵，故Si原子的雜化方式為sp3雜化，硅橡膠能夠耐高溫，原因是共價鍵牢固，硅橡膠中含Si?O和Si?C，Si?O更牢固；(4)CO32?中C原子價電子對數(shù)＝3＋＝3，且不含孤電子對，CO32?空間構(gòu)型為平面三角形，C原子的雜化方式為sp2雜化，由于CO32?空間構(gòu)型為平面三角形，則C原子與O原子之間存在3個σ鍵和1個大π鍵；(5)Ti原子在結(jié)構(gòu)單元中的位置：頂點8個、面心2個、棱上1個、體內(nèi)1個，則一個晶胞中，含有Ti的數(shù)目為8＋2＋1＋1＝，Al原子在頂點有4個，體內(nèi)1個，則一個晶胞中含有Al的數(shù)目為4＋1＝，則化學式為：Ti11Al5或Al5Ti11，則晶胞的密度為ρ＝＝=1030g/cm3。【詳解】（1）鈷的電子排布式為，鈷原子失去4個電子后可以得到的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，因此更容易失去第4個電子，表現(xiàn)為第四電離能較小； （2）為直線型分子，因此其碳原子的雜化方式為雜化，而1個分子中有2個鍵和2個鍵；（3）根據(jù)分析，反應方程式為； （4）根據(jù)分析，鈷原子的配位數(shù)為12，在計算一個晶胞中的原子數(shù)時，12個頂點上的原子按算，上下表面面心的原子按算，體內(nèi)的按1個算，因此一個晶胞內(nèi)一共有個原子；而晶體密度為?！军c睛】每個電子的運動狀態(tài)均不同，核外有幾個電子就有多少個運動狀態(tài)不同的電子；體心立方堆積中，棱長a=2r；面心立方堆積中，棱長a=r；六方最密堆積中底面邊長a=b=2r。4．5 1s22s22p63s23p63d5 K2[Fe(SCN)5] 4 abd 11 sp3 255 +5 CrnO(3n+1)2 【解析：5 1s22s22p63s23p63d