元器件鑒定檢驗(yàn)工作程序與常用可靠性試驗(yàn)-wenkub.com
2025-01-17 04:02 本頁面
【正文】 對(duì)本試驗(yàn)失效的器件可用顯微鏡或掃描電鏡對(duì)剪切解剖面進(jìn)行形貌觀察和失效分析。 芯片剪切強(qiáng)度試驗(yàn)： 目的： 檢查芯片粘附在熱沉或管座上所使用材料和工藝的完整 性。避免由于鍵合虛接（零克點(diǎn)）和鍵合強(qiáng)度低于規(guī)定要求而導(dǎo)致的失效。如果試樣的 響應(yīng)功率譜密度大于規(guī)定的極限值，則試樣不合格。篩選時(shí)為 100％檢驗(yàn)，質(zhì)量一致性檢 測(cè)時(shí)也可抽樣檢測(cè)。有時(shí)規(guī)定要求在沖擊中測(cè)試，也可按規(guī)定試驗(yàn)后進(jìn)行外觀觀察和電測(cè)試后決定是否合格。在篩選檢測(cè)中，不合格必須剔除。 ? ④測(cè)試輻照試驗(yàn)后器件的相關(guān)電性能參數(shù)。主要用來判定低劑量率電離輻射對(duì)器件的作用。通過各種輻照效應(yīng)試驗(yàn)，可確定器件的致命損傷劑量、失效規(guī)律及失效機(jī)理，從而在材料、結(jié)構(gòu)、工藝和線路上進(jìn)行抗輻射的設(shè)計(jì)改進(jìn)。為破壞性試驗(yàn)。轉(zhuǎn)換時(shí)間小于 10s. 判據(jù)： 主要檢驗(yàn)襯底開裂、絕緣體位移、引線焊接、封裝等缺 陷。（高溫工作測(cè)試在工作溫度上限溫度做試驗(yàn)，高溫貯存在貯存溫度上限做試驗(yàn)）。 d)檢驗(yàn)原始記錄按檢驗(yàn)綱要分組順序匯總裝訂成冊(cè)， 封面蓋章，不編頁碼。鑒定檢驗(yàn)必須嚴(yán)格按照檢驗(yàn)綱要和流程卡的要求進(jìn) 行。元器件鑒定檢驗(yàn)工作程序和 常用可靠性試驗(yàn)方法介紹 主要內(nèi)容 鑒定檢驗(yàn)基本流程 直接檢驗(yàn) 監(jiān)督檢驗(yàn) 二次檢驗(yàn) 常用可靠性檢驗(yàn)方法介紹 一、鑒定檢驗(yàn)基本流程 直接檢驗(yàn) 制定 檢驗(yàn) 計(jì)劃 編寫 檢驗(yàn) 綱要 準(zhǔn)備 申請(qǐng) 受理 送樣 檢驗(yàn) 出具 報(bào)告 檢驗(yàn) 結(jié)束 二次檢驗(yàn) 不合格 直接檢驗(yàn) 直接檢驗(yàn)申請(qǐng)資料： 協(xié)議書 檢驗(yàn)申請(qǐng)單 關(guān)鍵原材料清單 產(chǎn)品實(shí)物照片（正面、側(cè)面、背面（ 3張） ) 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖 篩選合格的工藝記錄 鑒定檢驗(yàn)樣品 監(jiān) 督 檢驗(yàn) 編寫 檢驗(yàn) 綱要 檢驗(yàn) 綱要 報(bào)批 準(zhǔn)備 申請(qǐng) 受理 檢驗(yàn) 實(shí)施 出具 報(bào)告 檢驗(yàn) 結(jié)束 二次檢驗(yàn) 不合格 監(jiān)督檢驗(yàn) 協(xié)議書 軍用電子元器件產(chǎn)品鑒定檢驗(yàn)申請(qǐng)表 檢驗(yàn)綱要和檢驗(yàn)流程卡 產(chǎn)品實(shí)物照片 3張（正面、背面、側(cè)面全貌和標(biāo)志要清晰） 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)圖 批次的工藝和篩選記錄 鑒定檢驗(yàn)日程安排表 封存的樣品母體及專用工裝夾具 申請(qǐng)監(jiān)督檢驗(yàn)所需資料： 現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn) 的流程 首次 會(huì)議 日
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