元器件鑒定檢驗工作程序與常用可靠性試驗-免費閱讀
【正文】 芯片剪切強度不合格具有批次性。（有時規(guī)定要求在振動中測試，也可按規(guī)定試驗后進行外 觀觀察和電測試后決定是否合格。電 子產(chǎn)品易受影響的頻率為 50Hz— 2023Hz。 機械試驗 恒定加速度： ? 目的： 檢查在規(guī)定的離心加速度作用下的適應能力或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。 輻照試驗： ? 中子輻照試驗 在核反應堆中進行 ，測量半導體器件在中子環(huán)境的性能退化的敏感性，是一種破壞性試驗，主要檢測半導體器件關鍵參數(shù)和中子注入的關系 ? 總劑量輻照試驗 總劑量輻照試驗采用鈷 60放射源以穩(wěn)態(tài)形式對器件進行輻照。在篩選檢測中，不合格品必 須剔除。（低溫工作測試在工作溫度下限溫度做試驗，低溫貯存在貯存溫度下限做試驗）。 檢驗綱要 監(jiān) 督 檢驗 重點要素 ? 鑒定檢驗樣品的抽樣母體， X品（一個批次）， X譜（三個連續(xù)批），一般為鑒定檢驗所需樣品數(shù)的 2倍，不包含規(guī)定數(shù)量的備份樣品和追加樣品； ? 不符合上述要求的應進行評審，并在檢驗綱要中予以說明； ? 檢驗樣品由鑒定檢驗機構(gòu)派人到研制方現(xiàn)場準備的母體中隨機抽取，剩余樣品封存。 c)檢驗原始記錄須相關試驗、測試、監(jiān)督人員簽名。 溫度循環(huán) 溫 度 試驗 目的： 檢驗電子元器件在遇到溫度劇變時其抵抗和適應能力的 試驗。 輻照試驗： 目的： 試驗時，高能粒子進入器件，使其微觀結(jié)構(gòu)變化，產(chǎn)生附加電荷或電流甚至缺陷，導致器件參數(shù)退化、鎖定、翻轉(zhuǎn)或產(chǎn)生浪涌電流燒壞失效。 ? ③進行輻照試驗。在篩選檢測中，不合格必須剔除。（試樣在隨機激勵下產(chǎn) 生隨機振動，由試驗設備顯示出試樣的響應功率譜密度。對直接連金屬化層從芯片上脫落的失效則需從金屬化鍍膜工藝去分析失效原因。 演講完畢，謝謝觀看！ 。 失效分析： 我所主要產(chǎn)品的本試驗失效的器件多為金絲頸縮點、引線損傷導致的不達標或通電熔斷，可采取引線斷面顯微鏡觀察確定是機械損傷（斷面凸凹不平）或電燒熔（斷面為球面）來進行失效分析。在篩選檢測中，不合格必須剔除。 ? 所需設備： 離心機 ? 合格判據(jù)： 器件無損壞，標識清楚，其他參數(shù)測試 機械沖擊： ? 目的： 檢查在規(guī)定的沖擊條件下受到機械沖擊時的適應性或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。 輻照試驗： 試驗程序和方法： ? ①按規(guī)范要求，選定輻照類型、劑量或劑量率及輻照時間。 ? 所需設備： 溫濕箱 ? 試驗程序 ? 干燥－升溫－保持－降溫－升溫－保持－降溫 循環(huán) 10次
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