第四章、存儲系統(tǒng)-wenkub.com
2025-07-29 13:40 本頁面
【正文】 計算機(jī)組成原理 Slide 90 ?采用高速器件提高速度； ?增加字長，在每個存儲周期中存取多個字。主要是為服務(wù)器和工作站領(lǐng)域的應(yīng)用而研制的 。 SDRAM與 CPU的數(shù)據(jù)交換時鐘信號同步 ， 且以處理器 /主存總線的最高速度運(yùn)行 ， 不需要等待時間 。 amp。 amp。 ? 0x0000到 0x3FFF為 ROM存儲區(qū)域，從 0x4000到0x5FFF為保留地址區(qū)域，暫時不用，從 0x6000到0xFFFF為 RAM地址區(qū)域。 RAM的控制信號為 CS和 WE， CPU的地址線為 A15~A0，數(shù)據(jù)線為 8位的線路 D7~D0，控制信號有讀寫控制 R/W和訪存請求 MREQ，要求： (1) 如果 ROM和 RAM存儲器芯片都采用 8K 1的芯片，試畫出存儲器與 CPU的連接圖。 (2)需要 (2048/256)x(32/8） =32片 SRAM芯片。 解： 256K*8位 SRAM芯片包含 18根地址線 (1) 該存儲器需要 2048K/256K = 8片 SRAM芯片； (2) 需要 21條地址線，因?yàn)?221=2048K， 其中高 3位經(jīng)過譯碼器輸出后用于芯片選擇， 低 18位作為每個存儲器芯片的地址輸入。 解： 256K*1位 SRAM芯片包含 18根地址線 (1)32片 256K 1位的 SRAM芯片可構(gòu)成 256K 32位的存儲器。 計算機(jī)組成原理 Slide 47 主存儲器 ?基本概念 ?隨機(jī)存儲器 ?只讀存儲器 ?主存儲器與 CPU的連接 ?幾種新型存儲器 ?高速主存儲器 計算機(jī)組成原理 Slide 48 只讀存儲器 (ROM) ?掩模式只讀存儲器（ MROM） ?一次編程只讀存儲器（ PROM） ?多次編程只讀存儲器（ EPROM, EEPROM） 計算機(jī)組成原理 Slide 49 只讀存儲器 VCC X S D T1 計算機(jī)組成原理 Slide 50 只讀存儲器陣列 行地址譯碼器 A3 A2 A1 A0 X0 X1 X2 X3 Y0 Y1 Y2 Y3 輸出 片選 VCC 4 3 1 列地址譯碼器 5 2 計算機(jī)組成原理 Slide 51 熔絲式 ROM(PROM) X S D T1 計算機(jī)組成原理 Slide 52 N基片 源極 漏極 電極導(dǎo)體 (a) 單元結(jié)構(gòu) 浮置柵 二氧化硅 可擦寫 ROM—— EPROM (b) 電路結(jié)構(gòu) 計算機(jī)組成原理 Slide 53 (a) MOS晶體管結(jié)構(gòu) 源極 柵極 漏極 電極導(dǎo)體 二氧化硅 N基片 (c) EPROM晶體管結(jié)構(gòu) 浮置柵 N基片 (b) MOS晶體管導(dǎo)通狀態(tài) +5V Vdd Vss + + + N基片 (d) EPROM晶體管導(dǎo)通狀態(tài) +25V 0V 擊穿電流 + + + + + N基片 MOS管與 EPROM的兩種狀態(tài) 計算機(jī)組成原理 Slide 54 EPROM ?高壓寫入 紫外線光照擦除 計算機(jī)組成原理 Slide 55 編程器 計算機(jī)組成原理 Slide 56 紫外線擦除器 計算機(jī)組成原理 Slide 57 基片 源極 漏極 電極導(dǎo)體 二氧化硅 控制柵極 電可擦寫 ROM—— EEPROM Electrically Erasable Programmable ROM 計算機(jī)組成原理 Slide 58 易失性半導(dǎo)體存儲器 VOLATILE ? SRAM ? DRAM ? FPM DRAM (Fast Page Mode RAM) ? EDO DRAM (Enhanced Data Out DRAM) ? SDRAM (Synchronous DRAM) ? PC66 PC100 PC133 168 pin ? DDR SDRAM (double data rate synch. DRAM) ? PC1600 PC2100 PC2700 PC3200 184/240 pin ? DDR200 DDR266 DDR333 DDR400 ? RDRAM (Rambus DRAM) 計算機(jī)組成原理 Slide 59 非易失性半導(dǎo)體存儲器 NONVOLATILE ? ROM (read only memory) ? PROM (Programmable ROM) ? EPROM (Erasable PROM) ? EEPROM (Electrically Erasable PROM) ? NVRAM (NonvolatileRAM) ? BRAM (Batterybackup RAM) ? FERAM (FerroelectricRAM) ? MRAM (Magoresistive RAM) 計算機(jī)組成原理 Slide 60 主存儲器 ?基本概念 ?隨機(jī)存儲器 ?只讀存儲器 ?主存儲器與 CPU的連接 ?幾種新型存儲器 ?高速主存儲器 計算機(jī)組成原理 Slide 61 新型存儲器 ? NVRAM ? Flash Memory 計算機(jī)組成原理 Slide 62 NVRAM ?非易失性存儲器 ? SRAM、微電池、電源檢測、切換開關(guān)集成 ?寫數(shù)據(jù)時間短，適合存放實(shí)施采集的重要數(shù)據(jù)。 每隔 ，刷新一行； 2毫秒內(nèi)刷新完所有行 用在大多數(shù)計算機(jī)中。 計算機(jī)組成原理 Slide 38 DRAM 刷新放大器 Vss(0V) T1 D X地址譯碼線 C I/O Y地址譯碼線 T2 T4 T3 T1 T2 TS VDD(5V) PS 預(yù)置脈沖 PS X / Y / RD 有效數(shù)據(jù) I/O A B A’ 放大器 DRAM 陣列 VDD(5V) VDD(5V) X0 X1 Xi Y0 Yi I/O 計算機(jī)組成原理 Slide 40 2116引腳圖（ 16Kx1） ?地址線 ?數(shù)據(jù)線 ?讀寫控制線 ? RAS CAS ?電源線 ?地線 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 V SS D OUT A 6 A 3 A 4 A 5 V CC 2 1 1 6 V BB D IN WE R A S A 0 A 1 A 2 V DD C A S 計算機(jī)組成原理 Slide 41 2116 存儲單元 32x128存儲單元 128輸出放大器 32x128存儲單元 64條選擇線譯碼器（ X） 32x128存儲單元 128輸出放大器 32x128存儲單元 64條選擇線譯碼器（ X） 128條列選擇線譯碼器（ Y） 計算機(jī)
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