[信息與通信]半導(dǎo)體器件原理與工藝-wenkub.com
2025-03-19 02:49 本頁(yè)面
【正文】 m 半導(dǎo)體器件原理與工藝 高選擇比 ? 腐蝕速率 ? Up to ~3 181。 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Ion Milling ? 采用的惰性氣體 Ar ? 純粹的物理轟擊 ? 高定向性 ? 選擇比差 半導(dǎo)體器件原理與工藝 離子銑可能帶來(lái)的問(wèn)題 ? 斜坡轉(zhuǎn)移 ? 不均勻刻蝕 ? 溝槽 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Reactive Ion Etching(RIE) ? 硅片放置在功率電極上 ? 低壓工作 , 離子的平均自由程較大 半導(dǎo)體器件原理與工藝 RIE ? Cl對(duì)硅進(jìn)行各向異性刻蝕 ? Cl對(duì)不摻雜的硅的腐蝕較慢 ? 對(duì)摻雜的 NSi和polySi非?？? ? 襯底電子遷移效應(yīng) ? 離子轟擊加速了 Cl的穿透效應(yīng) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 RIE ? 草地問(wèn)題 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Damage in RIE ? 襯底上殘余損傷 ?在聚合物刻蝕中，會(huì)留下殘膜。 C ? 聯(lián)氨腐蝕很危險(xiǎn) ? 威力很強(qiáng)的還原劑（火箭燃料） ? 易燃液體 ? 易自燃 N2H4+H2O2?N2+H2O (爆炸 ) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 KOH腐蝕 ? 堿性、各向異性腐蝕 ? 腐蝕面較光滑 ? 會(huì)腐蝕 Al ? SiO2的腐蝕較快 ? Nitride 是理想的掩膜材料 ? 典型配方 ? 250g KOH ? 200g 異丙醇 ? 800ml 水 ? 腐蝕速率： ? 1 um/min, 80176。 C 14um/hr ? 80176。在腐蝕液中加如異丙醇可以增加 (100)和 (111)的腐蝕速率比。腐蝕 Al, 有點(diǎn)腐蝕 SiO2，基本不腐蝕 Nitride EDP腐蝕液：和 KOH類似，但有毒。 C 20um/hr ? 90176。 C ? 2 nm/min, 氧化硅 ? nm/hr, Nitride 半導(dǎo)體器件原理與工藝 KOH腐蝕 ? 相對(duì)腐蝕速率： ? (111) (reference)=1 ? (100)= 100~200 ? (110)= 600 ? 腐蝕系統(tǒng)簡(jiǎn)單 ? 熱板加熱 ? 攪拌系統(tǒng) ? 優(yōu)點(diǎn) ? 安全，無(wú)毒 ? 缺點(diǎn) ? 與 CMOS不兼容 ? 腐蝕鋁 半導(dǎo)體器件原理與工藝 電化學(xué)腐蝕效應(yīng) 1 半導(dǎo)體器件原理與工藝 電化學(xué)腐蝕效應(yīng) 2 ? HF通常腐蝕 SiO2, 不腐蝕 Si ? 通過(guò)正向偏置硅，空穴可以通過(guò)外部電路注入以氧化硅，進(jìn)而被 HF溶解 ? 可以用 Si3N4做掩膜，是拋光腐蝕 ? 如果采用濃 HF（ 48%HF）腐蝕，硅在腐蝕過(guò)程中不會(huì)完全氧化，最終形成棕色的多空硅 半導(dǎo)體器件原理與工藝 電化學(xué)腐蝕效應(yīng) 3 ? 自停止腐蝕 V PSi NSi 半導(dǎo)體器件原理與工藝 電化學(xué)腐蝕效應(yīng) 4 ? 硅片的偏置電壓超過(guò) OCP，空穴增加 ?氧化加快 ?腐蝕速率增加 ? 若偏置電壓進(jìn)一步增加至鈍化勢(shì) PP，SiO2將形成 ? 硅表面鈍化，腐蝕停止 ? HF/H2O溶液不顯示 PP，因 HF腐蝕 S iO2 半導(dǎo)體器件原理與工藝
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1