【正文】 這樣才能保證 FLASH正常工作。 AM29LV800B 引腳外形如圖 35 所示。 26 F S E _ D 0F S E _ D 1F S E _ D 2F S E _ D 3F S E _ D 4F S E _ D 5F S E _ D 6F S E _ D 7F S E _ D 8F S E _ D 9F S E _ D 1 0F S E _ D 1 1F S E _ D 1 2F S E _ D 1 3F S E _ D 1 4F S E _ D 1 5F S E _ A 2F S E _ A 3F S E _ A 4F S E _ A 5F S E _ A 6F S E _ A 7F S E _ A 8F S E _ A 9F S E _ A 1 0F S E _ A 1 1F S E _ A 1 2F S E _ A 1 3F S E _ A 1 4F S E _ A 1 5F S E _ A 1 6F S E _ A 1 7F S E _ A 2F S E _ A 3F S E _ A 4F S E _ A 5F S E _ A 6F S E _ A 7F S E _ A 8F S E _ A 9F S E _ A 1 0F S E _ A 1 1F S E _ A 1 2F S E _ A 1 3F S E _ A 1 4F S E _ A 1 5F S E _ A 1 6F S E _ A 1 7s r a m _ b e _ n 0s r a m _ b e _ n 1s r a m _ b e _ n 2s r a m _ b e _ n 3s r a m _ o e _ ns r a m _ o e _ ns r a m _ c s _ nR s r a m 15 k1V C C 3_ 3s r a m _ c s _ nV C C 3_ 3 V C C 3_ 3s r a m _ w e _n s r a m _ w e _nF S E _ D 1 6F S E _ D 1 7F S E _ D 1 8F S E _ D 1 9F S E _ D 2 0F S E _ D 2 1F S E _ D 2 2F S E _ D 2 3F S E _ D 2 4F S E _ D 2 5F S E _ D 2 6F S E _ D 2 7F S E _ D 2 8F S E _ D 2 9F S E _ D 3 0F S E _ D 3 1A41A32A23A14A05C S _n6I / O 07I / O 18I / O 29I / O 310VDD11VSS12I / O 413I / O 514I / O 615I / O 716W E _ n17A 1 518A 1 419A 1 320A 1 221NC22NC23A 1 124A 1 025A926A827NC28I / O 829I / O 930I / O 1031I / O 1132VDD33VSS34I / O 1235I / O 1336I / O 1437I / O 1538B L E _ n39B H E _n40O E _n41A742A643A544 I D T 7 1V 4 1 6A41A32A23A14A05C S _n6I / O 07I / O 18I / O 29I / O 310VDD11VSS12I / O 413I / O 514I / O 615I / O 716W E _ n17A 1 518A 1 419A 1 320A 1 221NC22NC23A 1 124A 1 025A926A827NC28I / O 829I / O 930I / O 1031I / O 1132VDD33VSS34I / O 1235I / O 1336I / O 1437I / O 1538B L E _ n39B H E _n40O E _n41A742A643A544 I D T 7 1V 4 1 6 圖 34 原理圖中 IDT71V016 的連接 FLASH： AM29LV800B 的特性和電路設(shè)計(jì) 器件特性 AM29LV800B 有如下特性： ? 單電源 供電： ～ 的讀寫電源電壓 ? m? 工藝制造：與 AM29LV800 系列器件一致 ? 高性能：存取時(shí)間最快達(dá) 70ns ? 超低功耗（在 5MHz 下的典型值） — 200nA 的自動(dòng)休眠狀態(tài)電流 — 200nA 的空閑狀態(tài)電流 — 讀取電流 7mA — 編程 /擦除電流 15mA ? 靈活的扇區(qū)結(jié)構(gòu) — 一塊 16kb、兩塊 8kb、一塊 32kb 和 15 塊 64kb 扇區(qū)（字節(jié)模式下） — 一塊 8kb、兩塊 4kb、一塊 16kb 和 15 塊 32kb 扇區(qū)（字模式下） — 支持全片擦除 — 扇區(qū)保護(hù)特性 ? 解除旁路編程命令：當(dāng)多個(gè)程序命令序列發(fā)生沖突時(shí)從整體上減少編程時(shí)間 ? 可用頂部或者底部導(dǎo)入塊配置 ? 嵌入式的算法 — 嵌入的擦除算法可以自動(dòng)地預(yù)編程序并且可以擦除整片的內(nèi)容或者已經(jīng)寫入的內(nèi)容 — 嵌入的編程算法可以自動(dòng)地寫并且核實(shí)指定地址的數(shù)據(jù) ? 每個(gè)扇區(qū)保證至少可寫 1000000 次 27 ? 125℃的環(huán)境下 25 年的數(shù)據(jù)保持時(shí)間 ? 封裝類型選擇： 48ball FBGA、 48 腳 TSOP、 44 腳 SOP、 KGD ? 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) ? 數(shù)據(jù)輪洵和指定位：提供一種軟件的方法來檢測編程或者擦除操作完成 ? 準(zhǔn)備就緒 /忙引腳（ RY/BY） :提供一種硬件方法來檢測編程或者擦除周期完成 ? 擦除掛起 /擦除恢復(fù)：當(dāng)需要從某一個(gè)正在進(jìn)行擦除操作的扇區(qū)讀取數(shù)據(jù)或者向此扇區(qū)寫程序數(shù)據(jù)時(shí)，掛起擦除操作，讀取操作完成以后繼續(xù)擦除操作 ? 硬件復(fù)位引腳（ RESET） :通過硬件的方法來復(fù)位整個(gè)器件以讀取數(shù)據(jù) 器件工作方式描述 AM29LV800B 是容量為 8Mb， 電源供電的閃存 ，它可以存儲(chǔ) 1048576 字節(jié)（字 節(jié)方式下）或者 524288字（字方式下）。 EP1C6 試驗(yàn)板上有兩片 IDT71V016S， IDT71V016S 有 1024Kbits 的容量， 16 位數(shù)據(jù)寬度 。這里的外設(shè)不一定全部是 FPGA 片外的模塊，也可以是 FPGA 片內(nèi)的部分邏輯功能模塊， Avalone 總線的主要功能相當(dāng)與PC 結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)體系中的北 橋芯片。 IDT71V016 采用全靜態(tài)的異步時(shí)序電路，操作時(shí)不要求時(shí)鐘和復(fù)位。 IDT71V016 是利用 IDT 高性能高可靠性的 CMOS 工藝制造而成的。 加電后需要在 nCS 上有一個(gè)下降沿，串行配置器件才能正常操作 DATA 2 輸出 串行數(shù)據(jù)輸出信號(hào)，在讀取 /配置操作期間從串行配置器件向 Cyclone 器件串行傳送數(shù)據(jù)，通過將 nCS 置為低電平選中串行配置器件， DATA 信號(hào)在 DCLK 的下降沿改變。使用新的數(shù)據(jù)壓縮特性，可以用小容量的串行配置器件配置大容量的 Cyclone 器件。 CONF_DONE 變?yōu)楦唠娖胶?Cyclone 器件開始初始化，并在 136 個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成，初始化后 Cyclone 器件進(jìn)入用戶方式。 1 0 k 1 0 k 1 0 k3 .3 V1122334455667788991010 編程插座n C SD C L KA S D ID A T A 串行配置器件n C S OD C L KA S D OD A T A 0C O N F _ D O N En C O N F I Gn C EM S E L 0M S E L 1n S T A T U Sn C E O C y c l o n e 器件 圖 31 用 AS 配置方式配置 Cyclone 器件 Cyclone 器件在配置流程中作為配置控制器使用，通過 nCSO 信號(hào)將 nCS 置為低電平選中串行配置器件，通過 DCLK 向串行配置器件提供串行配置數(shù)據(jù)，通過 ASDO 向串行配置器件發(fā)送指令和地址，串行配置器件在 DCLK 的下降沿向 Cyclone 器件的 DATA0 發(fā)送配置數(shù)據(jù)，配置數(shù)據(jù)在 DCLK 的上升沿鎖存到 Cyclone 器件中。盡管如此， MSEL 腳在開始重新配置時(shí)必須有效。智能主機(jī)（微處理器） EPC EPC1 串行配置器件 Cyclone 器件用 SRAM 單元來存儲(chǔ)配置數(shù)據(jù)，因?yàn)?SRAM 存儲(chǔ)器是不穩(wěn)定的，所以配置數(shù)據(jù)在每次系統(tǒng)上電時(shí)都需要下載到 Cyclone 器件中，配置數(shù)據(jù)可以通過主動(dòng)串行方式、被動(dòng)串行方式和 JTAG 等方式下載，如表 32 所示。 Cyclone 器件 推薦工作條件見附 3。 ? 2910— 20210 個(gè)邏輯單元（ LE） ? 多達(dá) 294912 位 RAM(36864B) ? 支持低成本串行配置器件（ EPCS1 或 EPCS4）配置 ? 支持 LVTTL、 LVCMOS、 SSTL2 和 SSTL3I/O 標(biāo)準(zhǔn) ? 支持 66MHz 32 位 PCI 標(biāo)準(zhǔn)和高速（ 311Mb/s） LVDS ? 兩個(gè) PLL 提供時(shí)鐘倍頻和相移 ? 多達(dá)八個(gè)全局時(shí)鐘線，每個(gè)邏輯塊陣列（ LAB）可用六個(gè)時(shí)鐘源 ? 支持 DDR SDRAM(133MHz)、 FCRAM 和單數(shù)據(jù)速率 (SDR)SDRAM ? 支持知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP)核，包含 Altera MegaCore 函數(shù)和 AMPP mega 函數(shù) 表 31 Cyclone 器件特性 特性 EP1C3 EP1C6 EP1C12 EP1C20 邏輯單元（ LE） 2910 5980 12060 20210 M4K RAM 塊（ 128 36位） 13 20 52 64 總 RAM 位 59904 92160 239616 294912 鎖相環(huán)（ PLL） 1 2 2 2 最大用戶 I/O 引腳 104 185 249 301 引腳說明 21 240 引腳 PQFP 封裝的引腳功能見附 3。 19 圖 24 印制電路板 PCB 圖 20 第 3 章 Nios 嵌入式系統(tǒng)開發(fā)板硬件開發(fā) 硬件開發(fā)環(huán)境概述 Nios 開發(fā)板為開發(fā)嵌入式系統(tǒng)提供硬件平臺(tái) ， Nios 開發(fā)板具有如下組件： Cyclone EP1C6Q240C8 器件、8MBit Flash、 256kByte SRAM、兩個(gè) RS232 DB9 串行口、兩個(gè) 擴(kuò)展插座，一共包括 92 個(gè) Cyclone 用戶 I/O 引腳、八個(gè)連接到 Cyclone 用戶 I/O 引腳的發(fā)光二極管、四個(gè)連接到 Cyclone 用戶 I/O 引腳的按鈕開關(guān)、EPCS1 串行配置器件、用 Altera 下載電纜連接 Cyclone 器件的 JTAG 插座、 50MHz 振蕩器和零偏移時(shí)鐘分配電路和加電復(fù)位電路等。 電源只用做 Cyclone 器件核心的電源，不用于任何插座。 利用 Cyclone 器件新的數(shù)據(jù)壓縮特性，設(shè)計(jì)者可以使用較小的串行配置器件配置大的 Cyclone 器件 ,串行配置器件不能級(jí)連。 兩個(gè)插座包含以下引腳： ? 96 個(gè)用戶 I/O 引腳，全部連接到 FPGA 器件的用 戶 I/O 引腳，每個(gè)信號(hào)與擴(kuò)展插座之間有一個(gè) 33歐姆以實(shí)現(xiàn)隔離和電平保護(hù) ? 經(jīng)過緩沖的零偏移 FPGA 鎖相環(huán) PLL 輸出 ? 電源引腳 ? 5V 電源引腳 ? 多個(gè)地引腳 （ 6）發(fā)光二極管 Nios 開發(fā)板上有八個(gè)發(fā)光二極管 LED1— LED8，其直接連接到 FPGA 的 I/O 引腳上，當(dāng) FPGA 引腳輸出高電平時(shí)對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管亮。開發(fā)板上的兩個(gè)串行口一個(gè)用來 調(diào)試，另一個(gè)用來提供給用戶使用，兩個(gè)串行口以相同的方式連接到 FPGA， Nios 處理器系統(tǒng)可以將任何一個(gè)串行口用于任何目的，不受原理圖上標(biāo)記的限制。 Flash 存儲(chǔ)器與 SRAM 共用地址和數(shù)據(jù)總線。 Nios 開發(fā)板具有如下組件： ? Cyclone EP1C6Q